Nghĩa của từ ätzen bằng Tiếng Việt
@ätzen
- {to bite (bit,bitten)} cắn, ngoạm, châm đốt, đâm vào, làm đau, làm nhột, ăn mòn, làm cay tê, cắn câu, ), bám chắt, ăn sâu, bắt vào, lừa bịp
- {to cauterize} đốt, làm cho cứng, làm chai
- {to corrode} gặm mòn & ), mòn dần, ruỗng ra
- {to eat (ate,eaten)} ăn, ăn cơm, ăn thủng, làm hỏng, nấu cơm
- {to erode} xói mòn
= ätzen [auf] {to etch [on]}+
= ätzen (Medizin) {to sear}+
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1. Chemikalien zur Verwendung beim Ätzen
2. Polieren und Ätzen von Glas und Kristall
3. - IN DEM SYSTEM MÜSSEN SOWOHL PARALLEL-PLASMA-ÄTZEN ( PA ) ALS AUCH REAKTIV-IONEN-ÄTZEN ( RIA ) MÖGLICH SEIN ( ANODEN - UND KATHODENKOPPLUNG ) .
4. Um diese verschiedenen Stufen zu ätzen, werden zwischen den Ätzgängen die Stellen, die nicht länger ätzen, d.h. im Druck nicht dunkler werden sollen, mit einem Lack abgedeckt.
5. Oberflächenbereiche von Platten aus Glas oder glasähnlichem Material werden durch Teilchenbestrahlen oder Ätzen abgetragen.
6. Sandstrahlen, Wärmebehandlung und thermo-chemische Behandlung, Ätzen, Galvanisieren, Beschichten von Metallen, Schweißen und Löten, Anstreichen, Rostschutzbehandlung
7. Technische Keramik und Ätzen von Hartmaterialien, nämlich Tonerde, Zircondioxid, Saphir, Karbiden, Nitriden, Glaskeramik, Glas und Quarz
8. Zur Vermeidung von Defekten eines Substrats (1), in dem der Bipolartransistor teilweise erzeugt wird, wird zum Strukturieren von Hilfsschichten (H1, H3) isotropes Ätzen verwendet, wobei selektiv zu darüber angeordneten Hilfsschichten (H2, SP) geätzt wird, die durch anisotropes Ätzen strukturiert werden.
9. Die Urform wird vorzugsweise aus einer Siliziumplatte hergestellt, in welche die Führungsnuten durch anisotropes Ätzen eingebracht werden.
10. Darüber hinaus konnte das anisotrope Verhältnis durch die Auswahl der richtigen Entwicklungsparameter wie zum Beispiel des elektrochemischen Potentials beim Ätzen verbessert werden.
11. Dies geschah durch die Einbeziehung eines neuen Verfahrensschrittes, der die Unebenheiten der Oberfläche verringert, ohne beim Ätzen das anisotrope Verhältnis zu beeinträchtigen.
12. Das Verfahren umfasst Trockenätzen und anisotropes Ätzen eines ersten Substrats (1) zur Herstellung von mindestens einem horizontalen Anschlag (8) und mindestens einem vertikalen Anschlag (4).
13. Abfälle aus der chemischen Oberflächenbearbeitung und Beschichtung von Metallen und anderen Werkstoffen (z. B. Galvanik, Verzinkung, Beizen, Ätzen, Phosphatieren, alkalisches Entfetten und Anodisierung)
14. Gravieren, Ätzen, Ausrüsten, Schmieden, Polieren, Abschleifen, Verzinken, Pressen, Schneiden, Färben, Formen, Stanzen, Härten, Zerspanen, Härten, Beschichten, Gießen, Kaschieren, Bohren, Verarbeiten und Bearbeiten von Metall
15. 11 01 // Abfälle aus der chemischen Oberflächenbearbeitung und Beschichtung von Metallen und anderen Werkstoffen (z. B. Galvanik, Verzinkung, Beizen, Ätzen, Phosphatieren, alkalisches Entfetten und Anodisierung)
16. Industrielle Verwendung von auf Kaliumdichromat basierenden Mischungen beim Ätzen von beiden Indiumantimonid (InSb)-Substratseiten während der Herstellung von optoelektronischen Komponenten zur Datenanzeige und einem Infrarotdetektor in der Indiumantimonid (InSb)-Technologie
17. Ausgehend von den Nachteilen des bekannten Standes der Technik soll ein Verfahren bereitgestellt werden, mit dem ein Abgas hoher Reinheit und eine Mischsäure, die unmittelbar wieder zum Beizen oder Ätzen einsetzbar ist, erhalten werden.
18. Das Verfahren weist dabei die folgenden Schritte auf: Bereitstellen eines Germanium-Substrates (1); Ausbilden einer porösen Schicht (3) an einer Oberfläche des Germanium-Substrates (1) durch elektrochemisches Ätzen des Germanium-Substrates (1) in einer Ätzlösung (7); Abscheiden einer Halbleiterdünnschicht (5) auf der porösen Schicht (3); und Abtrennen der Halbleiterdünnschicht (5) von dem Germanium-Substrat (1), wobei die poröse Schicht (3) als Sollbruchstelle dient.
19. Verfahren zur Herstellung von integrierten mikro-elektro-mechanischen Bauelementen (15) mit den Schritten • Herstellen einer ersten leitfähigen Schicht (3) auf einer ersten Isolatorschicht (1), • Strukturieren der ersten leitfähigen Schicht (3), • Herstellen einer zweiten Isolatorschicht (5), • Herstellen einer zweiten leitfähigen Schicht (6), • Herstellen mindestens einer Ätzöffnung (7) zum wenigstens teilweise Ätzen der zweiten Isolatorschicht (5) unterhalb der zweiten leitfähigen Schicht (6) zur Herstellung wenigstens eines Hohlraums (8), und • Elektrische Kontaktierung (11) wenigstens eines Teils der ersten leitfähigen Schicht (3) und der zweiten leitfähigen Schicht (6).
20. Spezialgase enthalten verschiedene chemische Moleküle, die von der Elektronikindustrie benötigt werden, um Halbleiter herzustellen, die wiederum für die verschiedenen Stufen des Fertigungsprozesses benötigt werden (so genannte elektronische Spezialgase): beispielsweise wird Silan (SiH4) für das Auftragen einer Schicht aus reinem Silikon oder Siliziumoxid auf die Oberfläche der Wafer verwendet, Arsin (ASH3) und Phosphin (PH3) für das Dotieren (Einbringen eines Fremdstoffes in die Wafer, um die Eigenschaften des Halbleiters zu verändern), Nitrogentrifluorid (NF3), Hexafluoroethan (C2F6) und Carbontetrafluorid (CF4) für das Ätzen (Entfernung von Material von der Oberfläche der Wafer, um ein integriertes Schaltbild zu erzeugen), Wolframhexafluorid (WF6) für Metallablagerungen und Hexafluoroethan und Nitrogentrifluorid als Reinigungsmittel.