Nghĩa của từ aufwachsen einer halbleiterschicht bằng Tiếng Anh

[aufvaksənainrhalplaitrʃiçt] epitaxial growth

Đặt câu có từ "aufwachsen einer halbleiterschicht"

1. Meine Kinder sollen nicht in einer Welt ohne Nationalsozialismus aufwachsen.

2. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines dotierten Halbleiterträgersubstrats (1), das Erzeugen einer Trennschicht (2), beispielsweise einer porösen Schicht, an einer Oberfläche des Halbleiterträgersubstrats, das Abscheiden einer dotierten Halbleiterschicht (3) über der Trennschicht und das Lösen der abgeschiedenen Halbleiterschicht von dem Halbleiterträgersubstrat.

3. Wann können Kinder glücklich aufwachsen?

4. Das Findelkind freilich musste als Edelmann aufwachsen.

5. Ich durfte in einem kleinen Zweig aufwachsen.

6. Warum muß ich ohne sie aufwachsen?“

7. Die „Kinder werden ohne Sünde zur Errettung aufwachsen“ (LuB 45:58).

8. Unsere Kinder sollen nicht mit Eltern aufwachsen, die sich beschuldigen.

9. Tiere, die in Isolation aufwachsen, verhalten sich oft anders.

10. Meine Wahl ist der Höhepunkt einer lebenslangen Verpflichtung, die mit dem Aufwachsen an der Golfküste Alabamas auf der Florida-Halbinsel begann.

11. Und sie hat mir Geschichten übers Aufwachsen in Oklahoma erzählt.

12. Wenn die junge Pflanze heranwächst, muss sie sich gegen ‘Dornen, die damit aufwachsen’, behaupten.

13. Er soll in meinem Haus aufwachsen als Prinz der Zwei Länder.

14. Wenn Kinder mit liebevollen Eltern aufwachsen, haben sie als Erwachsene eine bessere sexuelle Einstellung

Kids with affectionate parents grow up to be better adjusted sexually as adults

15. * Kinder werden aufwachsen, bis sie alt werden; Menschen werden in einem Augenblick verwandelt werden, LuB 63:51.

16. Ich wuchs in der South Bronx auf, einem Innenstadt- Ghetto in New York. Dort war ich umgeben von Bösem, wie alle Kinder, die mitten in einer Großstadt aufwachsen.

17. Die hohe Intensität des Nahfeldes, das durch die Oberflächenplasmonen der metallischen Nanoteilchen entsteht, unterstützt die optische Absorption der Halbleiterschicht.

The concentrated near field intensity induced by localized surface plasmon of the metal nanoparticles will promote the optical absorption of semiconductors.

18. Nur dort kann ein Junge mit einem Seil aufwachsen, ohne eine Menschenseele zu treffen.

19. Die so erhaltene, amorphe bzw. polykristalline Zwischenschicht aus Titandioxid erleichtert ein verkipptes Aufwachsen der polykristallinen Piezokeramikschicht.

The resulting amorphous or polycrystalline intermediate layer made of titanium dioxide makes the skewed growth of the polycrystalline piezoceramic layer easier.

20. Bei vier Gelegenheiten erhielt Joseph von einem Engel Anweisungen, die das Aufwachsen seines Adoptivsohns betrafen.

21. Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Konvertieren von Halbleiterschichten, insbesondere zum Konvertieren von amorphen in kristalline Siliciumschichten, in dem das Konvertieren durch Behandeln der Halbleiterschicht mit einem Plasma erfolgt, welches von einer, mit einer Plasmadüse (1) ausgestatteten Plasmaquelle erzeugt wird.

The present invention relates to a method for converting semiconductor layers, in particular for converting amorphous silicon layers into crystalline silicon layers, in which the conversion is effected by treating the semiconductor layer with a plasma which is generated by a plasma source fitted with a plasma nozzle (1).

22. Die Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor mit Heteroschichtstruktur, wobei auf einem Trägermaterial, das als oberste Schicht eine entspannte monokristalline Halbleiterschicht (3) aus einem ersten Halbleitermaterial (Si) eine verspannte monokristalline Halbleiterschicht (4) ausgebildet wird, die eine Halbleiterlegierung (GexSi1-x) aufweist, wobei ein Anteil x eines zweiten Halbleitermaterials frei einstellbar ist.

The invention relates to a field effect transistor with a heterostructure, comprising a support material, which has a stress-relieved monocrystalline semiconductor layer (3) consisting of a first semiconductor material (Si), a strained monocrystalline semiconductor layer (4), which has a semiconductor alloy (GexSi1-x), a fraction x of a second semiconductor material being freely selectable.

23. 8 Einige Eltern geben sich anscheinend damit zufrieden, ihre Kinder ohne viel Anleitung aufwachsen zu lassen.

24. Dabei dachte sie an das Umfeld, in dem die Kinder heute aufwachsen, das schlimmer ist denn je.

25. Mit dieser Vorrichtung kann auch eine Kompensation refraktiver Effekte erfolgen, da die Brechungsindexinkremente für die refraktionsgesteuerte Halbleiterschicht (7) und die optischen Medien (3, 5, 6) umgekehrte Vorzeichen aufweisen.

The inventive device can be used to compensate refractive effects since the refractive index increments for the refraction-controlled semiconductor layer (7) and the optical media (3, 5, 6) have opposite algebraic signs.