Nghĩa của từ drain bằng Tiếng Việt
@drain
* danh từ giống đực
- ống tiêu nước
- (y học) ống dẫn lưu
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1. a) réalisé en technologie P-MOS, ayant une tension de claquage drain-source de -20 V, fonctionnant avec un courant drain n'excédant pas 3,5 A et un pouvoir de dissipation n'excédant pas 2 W,
2. Le drain est couplé pour recevoir un signal d'alimentation en courant alternatif (c.a.).
3. Perte brute d'exploitation («cash drain») hors effet des gains de productivité
4. Les première et seconde sources définissent des première et seconde zones en alternance dans le drain.
5. Structure de transistor a effet de champ aux jonctions source/drain abruptes
6. Le drain est perméable et permet l'entrée de fluide tout en empêchant l'entrée de sable.
7. Une structure oxyde-nitrure-oxyde est formée au-dessus du substrat entre les zones de drain/source.
8. Schema de detection cote drain pour un reseau d'eprom flash a terre virtuelle avec charge et maintien de bits adjacents
9. Mme Drain a ensuite expliqué la façon dont la réponse de Mme Evans a été notée.
10. Un drain est typiquement utilisé pour éliminer la vapeur d'eau qui se condense en liquide dans la conduite d'air.
11. Placer ensuite un drain thoracique dans le nouveau péricarde et un autre dans la cavité péricardique endogène.
12. Un drain (24) séparé est situé à proximité de chaque photodétecteur (16) et d'un registre à décalage (18).
13. Les eaux de lavage très alcalines, et très corrosives pour les poissons, ont pénétré dans un drain pluvial qui débouche dans la rivière.
14. Une barrière (28) de commande d'exposition est ménagée entre chaque drain (24) et le registre à décalage (18) adjacent.
15. La présente invention concerne un drain composite vertical préfabriqué (10) destiné à accélérer la consolidation conventionnelle des sols saturés.
16. La zone de diffusion du drain et la zone d'oxyde à effet de tunnel auto-alignées peuvent être utilisées dans une variété de cellules EEPROM.
17. Cellule eeprom comportant une zone de diffusion du drain auto-alignee par rapport a la region d'oxyde a effet tunnel et procede pour sa fabrication
18. Le flux de courant entre la source et le drain est inhibé si aucun niveau d'énergie de points quantiques n'est aligné avec l'énergie des électrons incidents qui traversent par effet tunnel.
19. Le courant peut s'écouler entre la source et le drain si le niveau d'énergie des points quantiques est aligné avec l'énergie des électrons incidents qui traversent par effet tunnel.
20. On crée ainsi une jonction très abrupte qui forme une extension source/drain à résistance relativement faible et confère de bonnes caractéristiques de fuite par courant infraseuil à l'état bloqué.
21. Les zones de source et les zones de drain sont conçues de façon à être ajustées automatiquement par rapport aux lignes de mots d'après une technologie de logique CMOS standard.
22. L'invention concerne un procédé de réalisation de contacts à base de cobalt-disiliciure sur des zones source/drain et une électrode de grille en polysilicium d'un transistor MOS utilisant un film mince d'alliage cobalt-carbone.
23. Éponges à récurer, bouchons en caoutchouc pour bouteilles, bouchons de drain pour éviers et conduits d'écoulement, gadget sous forme d'un dispositif à adapter sur un pot, qui maintient les ustensiles de cuisson sur le bord du pot, gadget sous forme d'un battoir, d'un balai, d'une pelle à poussière et de pinces combinés
24. Le transistor à effet de champ MOS à accumulation peut être utilisé comme interrupteur en courant alternatif, et ce en reliant sa grille à un circuit de polarisation qui trouve celle qui est la plus basse, de la tension de drain et de la tension de source du transistor à effet de champ MOS à accumulation.
25. Par combinaison du transistor MOSFET et d'un transistor bipolaire à tunnel comportant une jonction tunnel, un élément à semi-conducteurs est configuré qui présente une variation brusque du courant de drain par rapport à une variation de la tension de grille (une valeur S inférieure à 60 mV/ordre) même à basse tension.
26. L'invention concerne une cellule mémoire morte programmable (MC) comprenant une grille flottante (FG) enfouie dans une tranchée, une couche canal (EPI) épitaxiale formée au-dessus de la grille flottante (FG) et reliant une électrode-source (S) à une électrode-drain (D), et une grille sélection (CG) placée au-dessus de la couche canal (EPI).
27. L'objectif de l'invention est de produire une capacité de mise en contact, simple à réaliser, d'un transistor MOS sans incision dans le spectre d'utilisation, une connexion transversale étant effectuée soit de la partie source ou de la partie drain soit à travers la couche d'isolation soit au-delà du substrat à semi-conducteur vers un contact sur l'envers, de manière à être relié électriquement avec ce dernier, lorsque les exigences sur les propriétés matérielles du substrat à semi-conducteur, telles que le dopage ou la conductibilité, diminuent ou sont réduites.
28. L'invention permet d'augmenter l'efficacité de tunnellisation avec une pente de bande abrupte, par formation d'une région source avec un matériau qui présente une bande interdite d'au moins 0,4 volt d'électron (eV) plus étroite que celle du silicium, afin d'augmenter un courant d'entraînement (courant ON) par la formation d'une région de canal avec un matériau ne présentant quasiment pas de différence de constante de treillis par rapport à une région source et ayant une mobilité d'électron élevée, au moins 5 fois supérieure à celle du silicium et d'augmenter simultanément le rapport de courant ON/OFF dans une quantité supérieure par la formation d'une région de drain avec un matériau présentant une bande interdite plus large ou égale à celle d'un matériau de région de canal pour limiter le courant OFF au maximum.