Nghĩa của từ 트랜지스터 bằng Tiếng Hàn

트랜지스터(transistor)[명사]게르마늄이나 실리콘 따위 반도체의 특성을 이용하여 3극 진공관과 같은 작용을 하게 만든 소형 증폭관. [라디오·전자계산기 따위에 쓰임.] 결정 삼극관.

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1. 전자 트랜지스터

2. 처음 개발된 집적회로는 트랜지스터 몇개만 들어가 있었다.

3. 트랜지스터 턴 오프 제어 방식이 개선된 능동 다이오드

4. ● 새 전지를 넣은 ‘트랜지스터 라디오’를 가까운 곳에 비치하라.

5. 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 및 제조장치

6. (1961년의 페어차일드 제품 같은) 초기 IC 논리 제품은 단순히 같은 방법으로 접근했었지만 집적 회로에서 다이오드와 트랜지스터가 더 이상 저항보다 비싸지 않게 되어서, 빠르게 다이오드-트랜지스터 논리와 같은 고성능 회로로 트랜지스터화 되었고 (1963년의 Sylvania를 선두로) 트랜지스터-트랜지스터 논리까지 만들어졌다.

7. 더우기, ‘게르마늄’은 오늘날 ‘트랜지스터’ 제조에서 필수불가결한 위치를 차지하고 있다.

8. 박막 트랜지스터(薄膜-, Thin Film Transistor, TFT, 문화어: 박막3극속자액정현시장치, 얇은막3극소자표시장치)는 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)의 한 종류로 박막(Thin Film)의 형태로 되어 있다.

9. 이제 우리는 ‘트랜지스터 칩’ 대신에 태양 ‘볼타’ 전지를 갖게 된 것이다.

10. 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치

11. 다른 언어에 대한 지식을 갖는 것의 가치와 ‘스테레오’ 장비나 ‘트랜지스터’ ‘라디오’를 소유하는 것을 비교해 보십시오.

12. 수직 트랜지스터 소오스(또는 드레인)와 벌크 영역 내의 트랩 전하를 완전히 제거하기 위한 방법

13. 원하는 특정한 방송국을 동조회로가 포착한 후에 변주관이라고 하는 진공관(혹은 ‘트랜지스터’)에 의하여 변조파를 저주파수로 변화시킨다.

14. 뿐만 아니라 그것은 서로 다른 아이디어들의 조합, 즉 플라스틱 아이디어, 레이져 아이디어, 트랜지스터 아이디어들의 조합입니다.

15. 그리고 현대의 1억 트랜지스터 정도가 들어 있는 칩들 같은것에 도달하게 되었고, 이것은 매번 완벽하게 작동되야 합니다.

16. 왜냐하면 베이스-컬렉터 접합의 광자에 의하여 생성된 전자는 베이스에 주입되고, 이 전류는 트랜지스터 동작에 의하여 증폭되기 때문이다.

17. CMOS (상보성 금속 산화막 반도체) 최신 전계효과 트랜지스터 (FET) 규격표 각년도판 (CQ 출판사) 1968년판(초판)에서 1986년판까지는 개별 특성 그림이 붙여 있다.

18. 만일 당신이 과거에 다른 나라에 여행할 기회를 가진 적이 있다면, 그러한 지식은 ‘트랜지스터 라디오’를 가지고 가는 것보다 당신의 여행을 훨씬 더 즐겁게 해 주었을 것입니다.

19. 이곳에서 100‘마일’ 떨어진 ‘퀴토’의 번화한 거리에는 초라한 ‘카르가도르’가 무서운 짐을 지고 터벅터벅 걸어 가는데, 그의 외투 안에 들어있는 조그마한 ‘트랜지스터 래디오’에서도 약간 비슷한 구슬픈 ‘세레나데’가 흘러 나온다.

20. 본 발명에 따른 무기 반도체 잉크 조성물은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.

21. 본 발명은 이종이합체 G 단백질 연결 수용체를 포함하는 나노베지클, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전계효과 트랜지스터 기반 미각 센서, 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이종이합체 G 단백질 연결 수용체를 포함하는 나노베지클로 기능화된 전계효과 트랜지스터 및 미각 센서는 이종이합체 G 단백질 연결 수용체 및 이를 포함하는 나노베지클을 이용하여, 민감도 및 선택도가 우수하고 실시간으로 고특이적으로 단맛 물질을 검출할 수 있다.

22. 예를 들어서 어떤 사람들에게는 ‘트랜지스터 라디오’ 혹은 ‘테이프 레코드’를 갖는 것, 또는 ‘스테레오’ 장비, 어떤 특별한 의복, ‘카메라’, ‘모토 스쿠터’ 혹은 부유한 나라라면, 심지어는 자기 자동차까지도 소유하는 것이 그들이 가장 소중히 여기는 일같이 보입니다.

23. 본 발명에 따른 고분자 화합물은 소자 적용 시에 스핀 코팅 공정이 가능하고, 우수한 광흡수성, 전기전도성, 광기전력, 및 발광 특성을 제공할 수 있어 유기 고분자 태양전지, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전기 발광 소자 등과 같은 다양한 방면에 응용할 수 있다.

24. 무어의 법칙은 그 마지막 부분이었을 뿐입니다. 트랜지스터를 작게 만든 IC(집적회로)에 대한 것이었죠. 그 전에는 전기-기계적인 계산기가 있었죠. 독일의 암호 코드를 해독해냈던 릴레이 기반의 컴퓨터들이나, 아이젠하워의 당선을 예측했던 1950년대의 진공관 컴퓨터들, 그리고 최초의 우주 비행에 사용되었던 개별 트랜지스터 컴퓨터에 이어, 무어의 법칙이 나온거죠.

25. 특히, 본 발명의 고분자 화합물을 바인더로 이용하여 제조한 유기 반도체 조성물은 스핀코팅이나 인 쇄 공정 시, 공정에 적합한 점도를 부여할 수 있어 신뢰도가 높은 박막 트랜지스터 를 제조할 수 있다. 특히 기존의 CYTOP과 같은 불소기를 포함하는 절연막을 사용하 지 않고 일반적인 광경화성 박막을 게이트 절연박막으로 사용하여 특성을 구현할 수 있기 때문에 실제적인 공정에 적용하기가 용이하다.

26. 본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다.

27. 본 발명은 고역필터와 저역필터를 모두 하나의 칩에 집적한 위상 천이기에 있어서, 상기 저역필터를 구성하는 직렬 인덕터와 병렬 커패시터의 사이의 내부 공간에 상기 고역필터를 구성하는 직렬 커패시터와 병렬 인덕터를 배치하여 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다. 또한 본 발명은 고역필터와 저역필터를 선택적으로 동작시켜 위상을 천이시키는 위상 천이기에 있어서, 상기 고역필터와 상기 저역필터는 입력 신호를 선택적으로 전달받기 위한 스위칭부를 각 필터마다 적어도 하나씩을 구비하되, 상기 스위칭부는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터의 드레인단과 소스단 사이에 병렬 연결된 인덕터 및 상기 트랜지스터의 기판에 연결된 고저항을 포함하여 단극쌍투 스위치를 대체하여 전체 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다.

28. 본 발명은 반도체 파형 발생기에 관한 것으로서, 특히 반도체 집적회로로 사용되는 DC-DC컨버터나 펄스폭 변조 회로등에 적용될 수 있도록 하는 톱니파 발생기를 제공하기 위한 것으로서, 기준전압을 발생시키고, 기준전압을 분압하여 톱니파의 상한값(VTH)과 하한값(VTL)을 발생시키는 레귤레이터부와, 제1,제2모스 트랜지스터(M1)(M2)에 의해 전류 미러로서 작동되는 전류 미러부와, 상기 전류미러부의 제2모스트랜지스터(M2)의 드레인단에 피모스트랜지스터와 엔모스 트랜지스터인 제5,제4모스트랜지스터(M5)(M4)가 직렬 연결되고, 제5, 제4 모스트랜지스터(M5)(M4)의 중간 접속점에서 콘덴서(C2)의 충방전에 의해 톱니파(SAW)를 출력하는 톱니파 발생부와, 상기 톱니파 발생부의 톱니파 출력신호와 상기 레귤레이터부의 톱니파 상한값(VTH)과 하한값(VTL)을 각각 비교하여 톱니파의 상한/하한 제어에 따른 진폭이 제어된 구형파 신호를 발생시켜 상기 톱니파 발생부의 제5,제4모스트랜지스터(M5)(M4)의 게이트에 블랭크(Blank)신호로 인가하는 톱니파 진폭제어부로 구성된다.

29. 본 발명은 유기발광 표시장치의 화소 회로를 구성하는 구동 트랜지스터(D-TR10)의 열화에 따른 문턱 전압의 변동을 보상하기 위한 것으로, 주사신호(SCAN)를 공급하는 복수의 게이트 라인과 화상 신호(Vdata)를 공급하는 복수의 데이터 라인이 교차하는 영역에 배치된 복수의 화소 회로(Px10)를 구비하며, 복수의 화소 회로 각각은, 유기EL소자(OLED)와, 데이터 라인을 통해서 인가되는 화상 신호(Vdata)에 대응하여 유기EL소자(OLED)에 흐르는 전류를 제어하는 구동트랜지스터(D-TR10)와, 구동트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 라인 사이에서 제 2 커패시터(C12)를 개재하여 접속되며 주사신호(SCAN)에 따라서 도통 상태가 제어되는 스위칭트랜지스터(TR11)와, 스위칭트랜지스터와 제 1 전압 원(VDD) 사이에 접속되어서 화상 신호에 대응하는 전압을 충전하는 제 1 커패시터(C11)와, 제 1 커패시터의 일단과 구동트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되어서 구동트랜지스터의 문턱 전압(Vth)을 충전하는 제 2 커패시터(C12)를 포함하며, 구동트랜지스터(D-TR10)는 제 1 커패시터에 충전된 전압과 제 2 커패시터에 충전된 전압의 합계 전압(Vdata+Vth)에 대응하는 전류를 유기EL소자(OLED)에 인가한다.