Nghĩa của từ nitrure bằng Tiếng Việt
@nitrure
* danh từ giống đực
- (hóa học) nitrua
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1. Nitrure de gallium
2. Procede pour joindre un corps fritte de nitrure d'aluminium et corps joint de nitrure d'aluminium
3. Outil a tranchant resistant a l'usure en nitrure de bore cubique ou en nitrure de bore cubique polycristallin, procede de fabrication et utilisation
4. 3C005"Substrats" de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d'aluminium (AlN) ou de nitrure de gallium d'aluminium (AlGaN), ou lingots, boules ou autres préformes de ces matières, ayant une résistivité supérieure à 10 000 ohm-cm à 20 °C.
5. Mémoire perfectionnée à métal/nitrure/oxyde/silicium programmable plusieurs fois
6. «Substrats» de semi-conducteurs de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d'aluminium (AlN) ou de nitrure de gallium d'aluminium (AlGaN), ou lingots, boules ou autres préformes de ces matières, ayant une résistivité supérieure à 10 000 ohm-cm à 20 °C.
7. Corps fritte en nitrure d'aluminium a conductivite thermique elevee, et sa preparation
8. 3C005«Substrats» de semi-conducteurs de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d'aluminium (AlN) ou de nitrure de gallium d'aluminium (AlGaN), ou lingots, boules ou autres préformes de ces matières, ayant une résistivité supérieure à 10 000 ohm-cm à 20 °C.
9. La surface de croissance de nitrure de gallium est orientée dans un plan "a", et de l’oxyde de zinc qui est en contact avec le nitrure de gallium est formé par genèse cristalline hydrothermale.
10. Ce nitrure a ensuite été stabilisé au cours de la synthèse suite à la présence d'un cation (un ion positif) de sodium faiblement lié, ce qui a empêché le nitrure de réagir avec tout autre élément.
11. La couche active contient une nitrure d’indium-galliun (InGaN), et la couche barrière est formée par la superposition alternée d’un film minces de nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN) et d’un film mince d’indium-galliun (InGaN).
12. L'abrasif ultra-dur est généralement du diamant ou un nitrure de bore cubique.
13. Meules abrasives électriques, à savoir meules diamantées et en CBN (nitrure de bore cubique)
14. Une couche active d'un matériau monocristallin à base de nitrure du groupe III est mise en croissance sur la structure à base de nitrure de gallium (GaN) et sur le réseau sensiblement cristallin adapté à cette dernière.
15. Appareil et procédé de préparation continue de nitrure de silicium présentant une uniformité granulométrique améliorée
16. La présente invention porte sur un dispositif émetteur de lumière à semi-conducteurs au nitrure, qui comporte une couche de semi-conducteur au nitrure de type n, une couche de tampon de contraintes, une couche active et une couche de semi-conducteur au nitrure de type p, la couche active comprenant un MQW (puits quantique multiple) émetteur de lumière et un MQW non-émetteur de lumière, et le MQW non-émetteur de lumière comprenant une couche barrière quantique formée d’un semi-conducteur au nitrure à quatre constituants.
17. Meules abrasives/disques de coupe plaqués au nitrure de bore cubique [meules pour l'aiguisage] à usage industriel
18. Le nitrure de bore cubique peut être employé pour faire des matériaux aussi durs que le diamant.
Nitrua bo (BN) có thể sử dụng để chế tạo vật liệu có độ cứng như kim cương.
19. Procede pour former un revetement de nitrure de silicium double a grille auto-alignee pour des circuits cmos
20. Une structure oxyde-nitrure-oxyde est formée au-dessus du substrat entre les zones de drain/source.
21. Utilisation de bicouches de metal/nitrure metallique comme electrodes grilles dans des dispositifs cmos auto-alignes mis a l'echelle agressivement
22. 3. recouverts d'une couche de carbure, nitrure ou borure de tantale, ou d'une combinaison quelconque de ces trois substances.
23. recouverts d’une couche de carbure, nitrure ou borure de tantale, ou d’une combinaison quelconque de ces trois substances.
24. La couche semi-conductrice de type n d'un groupe nitrure comprend de l'aluminium déposé sur la couche active.
25. 3. recouverts d’une couche de carbure, nitrure ou borure de tantale, ou d’une combinaison quelconque de ces trois substances.
26. On décrit un comprimé abrasif renfermant de 40 à 90 % en poids de nitrure de bore cubique sous forme de cristaux (CBN), lié par une matrice de liaison représentant de 60 à 10% en poids et composé principalement d'un mélange intime de nitrure d'aluminium et d'un diborure métallique.
27. Diode electroluminescente a geometrie verticale formee d'une couche de nitrure du groupe iii et caracterisee par une vie utile prolongee
28. La zone active comprend une pluralité de puits à base de nitrure du groupe III empilés séquentiellement comprenant des couches de puits respectives.
29. Procédé de fabrication d'une diode mixte jonction p-n et schottky avec une couche de nitrure de gallium traitée par reprise d'épitaxie
30. Machines d'abrasion et broyeurs de haute précision et outils électriques, à savoir meules contenant du diamant, du nitrure de bore cubique et abrasives extra-dures
31. Une cellule solaire comprend une couche d'absorption en chalcopyrite appliquée sur le substrat au moyen d'une couche adhésive en chrome, titane, tantale ou nitrure de titane.
32. La présente invention concerne un élément semi-conducteur électroluminescent en nitrure du groupe III, comprenant : une pluralité de couches semi-conductrices en nitrure du groupe III comprenant une couche active générant de la lumière au moyen d'une recombinaison électron-trou et des couches semi-conductrices en nitrure du groupe III disposées respectivement sur le dessous et le dessus de la couche active, une électrode de transmission de lumière possédant une surface supérieure et une surface inférieure, placée au sommet de la pluralité de couches semi-conductrices en nitrure du groupe III et formée avec un décrochement, de sorte que la couche supérieure est éliminée et que la couche inférieure n'est pas exposée, et des saillies formées sur le fond du décrochement et diffusant la lumière générée dans la couche active.
33. Pourquoi? Parce que les alésages du cylindre sont traités au nitrure de bore, un alliage poreux comportant une couche huileuse microscopique qui permet de réduire l'usure initiale.
34. L’invention porte sur une diode électroluminescente ayant une structure à hétérojonction de nitrure de gallium et d’oxyde de zinc, ainsi que sur un procédé de fabrication de cette dernière.
35. Lubrifiants solides en poudre, en tant que pâtes et en suspension dans l'huile, en particulier à base de bisulfure de molybdène, bisulfure de tungstène et nitrure de bore (hexagonal)
36. La présente invention concerne une structure de couche mince dans laquelle la densité de liaison du nitrure de gallium peut être fortement réduite et un procédé de production associé.
37. L'invention porte sur un transducteur acoustique microusiné (100) du type transducteur piézo-électrique à membrane de parylène (124) laquelle est beaucoup moins rigide qu'une membrane de nitrure de silicium.
38. L'invention concerne un dispositif électroluminescent qui, selon un mode de réalisation, comprend : un substrat d'oxyde de gallium ; une couche de nitrure d'oxyde de gallium sur le substrat d'oxyde de gallium ; une couche de semi-conducteur conductrice primaire sur la couche de nitrure d'oxyde de gallium ; une couche active sur la couche de semi-conducteur conductrice primaire ; et une couche de semi-conducteur conductrice secondaire sur la couche active.
39. Diode électroluminescente verticale à base de semi-conducteur au nitrure de gallium utilisant du fluorure de magnésium en tant que couche de blocage de courant et son procédé de fabrication
40. Ladite électrode ohmique de type N comporte un alliage d'aluminium et de lanthane ou comporte du lanthane sur l'interface de jonction avec le semiconducteur de nitrure du groupe III de type N.
41. La présente invention concerne un dispositif électroluminescent semi-conducteur à nitrure du groupe III composé d'une couche semi-conductrice à nitrure du groupe III de type N, d'une couche semi-conductrice à nitrure du groupe III de type P et d'une couche active interposée entre les deux couches semi-conductrices afin de générer de la lumière par la recombinaison d'électrons et de trous, ladite couche active comprenant une couche de puits quantique, qui a une première bande interdite d'énergie, et une couche guide de localisation de fonction d'onde qui a une deuxième bande interdite d'énergie plus petite que la première bande interdite et qui est disposée dans la couche de puits quantique.
42. Le nitrure de gallium (GaN) et les alliages associés ont ouvert la voie à un éclairage à état solide efficace dans lequel les tubes fluorescents traditionnels sont remplacés par des diodes électroluminescentes (DEL) blanches.
43. L'indice de réfraction absolu du substrat transparent (10) est de préférence supérieur ou égal à 60 % mais inférieur ou égal à 140 % de l'indice de réfraction absolu du film mince semi-conducteur contenant un composé de nitrure.
44. Fabrication sur mesure de composants optoélectroniques, composants microélectroniques, plaquettes épitaxiales, plaquettes de silicium, plaquettes à base de nitrure de gallium, plaquettes de semi-conducteurs, et plaquettes dotées de couches semi-conductrices pour des tiers
45. Cette invention se rapporte au domaine de production d'un matériau compact extra-dur à partir de diamant et/ou de modifications adamantines de nitrure de bore, et permet d'obtenir des matériaux possédant de hautes qualités d'exploitation.
46. Pièces de machines, à savoir meules, meules sur tige, perceuses, évidoirs, tarières à couronne, outils de dressage, molettes de taillage, plaques de dressage, tous ces articles avec revêtement au diamant ou au nitrure de bore cubique
47. Saint-Gobain Abrasives Ltd., un grand fabriquant d'outils de rectification situé au Royaume-Uni, a conçu de nouvelles meules et les a ensuite construites à base de nitrure de bore cubique (CBN), un matériau extrêmement solide.
48. Amplificateur à haute fréquence à nitrure de gallium (GaN) constitué d’un ou de plusieurs circuits intégrés, d'une ou plusieurs puces de condensateurs et de composants facultatifs passifs intégrés («IPD») montés sur une flasque métallique intégrée dans un boîtier
49. Les trous en excès dans un tel nitrure de métal et/ou oxyde de métal piègent les électrons injectés par les électrodes métalliques sous l'effet polarisant du courant alternatif, lesquels électrons viendraient autrement endommager la couche ferroélectrique polymère.
50. Enduits, enduits brillants, poudres pour enduits, poudres pour enduits brillants, sous forme de couche anti-corrosion, contenant essentiellement au moins un acide, oxyde, bioxyde, hydrate d'oxyde, sulfure, halogénure, nitrure, carbure, carbonitrure, borure, siliciure, oxyhalogénure ou sel d'un métal