Nghĩa của từ monolithique bằng Tiếng Việt
@monolithique
* tính từ
- nguyên khối, một khối
=Monument monolithique+ công trình kỷ niệm nguyên khối
=Parti monolithique+ (nghĩa bóng) đảng (thống nhất) một khối
# phản nghĩa
=Ouvert, souple
Đặt câu có từ "monolithique"
1. Transducteur monolithique d'acceleration
2. Structure et procédé de modulateur acousto-optique de silicium monolithique
3. Chambre monolithique pour la formation de verre flotté et procédé de construction
4. L'élément monolithique peut, par exemple, comporter une valeur nominale de 6 kV.
5. Agent d'accélération de prise pulvérulent et procédé d'application par pulvérisation de matière réfractaire monolithique
6. Circuit resonnant accordable et integrable de maniere monolithique et circuiteries realisees a l'aide dudit circuit
7. Capteur d'accélération et d'accélération de Coriolis (MAC) monolithique micro-usiné mesurant le mouvement linéaire et angulaire.
8. La présente invention concerne un catalyseur monolithique pour suppression simultanée de particules de NOx et de carbone, en particulier à partir de gaz de dégagement de centrales électriques produisant du carbone, lequel catalyseur monolithique contient le monolithe qui est constitué d'acier austénitique résistant à l'acide.
9. Ceci a facilité l'intégration monolithique des membranes empilées, promettant une force élevée du couplage des photons.
10. Une carte d'émission-réception est montée dans le logement et comprend des puces de circuit intégré monolithique à micro-ondes (MMIC).
11. Matrice monolithique permettant la separation d'acides nucleiques par chromatographie liquide haute performance avec formation de paires d'ions et en phase inverse
12. "Microcircuit microprocesseur" (3): "circuit intégré monolithique" ou "circuit intégré à multiplaquettes" contenant une unité arithmétique et logique (UAL) capable d'exécuter à partir d'une mémoire externe une série d'instructions universelles.
13. modules de puissance hyperfréquences comprenant au moins un tube à ondes progressives, un "circuit intégré monolithique" hyperfréquence et un conditionneur électronique de puissance intégré et présentant toutes les caractéristiques suivantes:
14. “Microcircuit microcalculateur” (3): “circuit intégré monolithique” ou “circuit intégré à multiplaquettes” contenant une unité arithmétique et logique (UAL) capable d'exécuter des instructions universelles à partir d'une mémoire interne, sur des données contenues dans la mémoire interne.
15. Parmi ces techniques, la définition de micro-anneaux par lithographie est compatible avec la technologie CMOS, ce qui permet d'intégrer dans une même structure monolithique les résonateurs et les guides d'ondes de couplage.
16. modules de puissance hyperfréquences comprenant au moins un ‘dispositif électronique à vide’ à ondes progressives, un "circuit intégré monolithique hyperfréquences" ("MMIC") et un conditionneur électronique de puissance intégré et présentant toutes les caractéristiques suivantes:
17. Comme l'a excellemment déclaré hier soir notre collègue Souchet, au nom du groupe Europe des nations, les Européens s'enferment depuis dix ans dans des voies sans issues, parce qu'ils conçoivent l'Union de manière monolithique.
18. «Circuit intégré optique» (3): «circuit intégré monolithique» ou «circuit intégré hybride» contenant un ou plusieurs éléments, conçu pour fonctionner comme photocapteur ou photoémetteur, ou pour assurer une ou plusieurs fonctions optiques ou électro-optiques.
19. Ledit composant est par exemple un actionneur piézo-électrique comportant un corps monolithique (2), dans lequel des éléments piézo-électriques à points de rupture et d'autres éléments piézo-électriques (11) sans point de rupture sont superposés et agglomérés conjointement par frittage.
20. L'invention concerne également une matrice mémoire tridimensionnelle monolithique constituée d'une pluralité de diodes p-i-n; lesdites diodes p-i-n étant composées d'un alliage silicium-germanium ayant été soumis à un processus de chauffage en deux étapes.
21. Circuit de contrôle des décalages et de l'état ( Status and shift control unit ), réalisé en technologie bipolaire, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 16×57 mm, comportant au maximum 42 broches de connexion et portant :
22. Circuit intégré monolithique analogique numérique réalisé en technologie bipolaire pour signaux d'interface entre l'unité périphérique de mémoire à disques rigides et l'unité centrale, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 15×50 mm, comportant au maximum 40 broches de connexion et portant :
23. Mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets ( EPROM ), d'une capacité de mémorisation de 2 Kbits, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, pourvu sur la face supérieure d'une fenêtre en quartz et portant :
24. La structure monolithique et autocratique de l’Église catholique se fissure, et le pape Jean-Paul II arpente le monde en s’efforçant de boucher les trous, un peu comme le gamin hollandais de la légende qui essaie de colmater avec son doigt une digue rompue.
25. Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire, réalisée en technique C-MOS ( C-MOS-S-RAM ), d'une capacité de mémorisation de 32 Kbits, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions maximales sont de 18 × 39 mm, comportant au maximum 28 broches de connexion et portant :
26. Rien de tel n'a existé en Chine, où il y avait un état monolithique qui couvrait un cinquième de l'humanité; toute personne ayant de l'ambition devait réussir un examen standardisé, très difficile, qui durait 3 jours, et impliquait de mémoriser un très grand nombre de caractères et des essais très complexes de Confucius.
Không có 1 sự tồn tại như thế này ở Trung Quốc, nơi có một bang rộng lớn bao phủ 1/5 nhân loại, và tất cả mọi người với mọi tham vọng phải vượt qua kì kiểm tra tiêu chuẩn hoá, mất khoảng 3 ngày và rất khó và liên quan đến một số lượng đặc điểm về trí nhớ và những bài luận rất phức tạp của những người theo Nho giáo.
27. Circuit de contrôle pour tubes cathodiques ou pour dispositifs de visualisation à cristaux liquides ( CRT et LCD Controller ), réalisé en technologie C/MOS, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 30×30 mm et comportant au maximum 84 broches de connexion ou points de contact, et portant :
28. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0ex 8542 11 8403Circuit d'interface bus, réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), avec vitesse programmable pour la transmission des données, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 28×28 mm, comportant au maximum 132 connexions, et portant:
29. 88 Journal officiel des Communautés européennes Code NC Désignation des marchandises Taux des droits autonomes (%) ex 8542 11 99 Émetteur/récepteur synchrone-asynchrone universel ( USART ) réalisé en technologie C-MOS, sous forme d'un circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 32 broches de connexion ou points de contact et portant :
30. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0ex 8542 11 9034Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), réalisée en technologie AsGa, d'une capacité de mémorisation de 4 Kbits, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 13×13 mm, comportant au maximum 40 connexions, et portant:
31. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0ex 8542 11 8404Circuit d'interface bus, réalisé en technologie C-MOS, permettant la transmission des données synchrone/asynchrone entre un microprocesseur et des circuits de contrôle, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excédent pas 31×31 mm, comportant au maximum 100 connexions, et portant:
32. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0ex 8542 11 8605Amplificateur tampon/de ligne à 8 bits (octuple), réalisé en technologie C-MOS, ayant un temps de propagation n'excédant pas 9,5 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 10×27 mm, comportant au maximum 20 connexions, et portant:
33. Mémoire à lecture exclusivement, programmable ( PROM ), réalisée en technologie bipolaire, d'une capacité de mémorisation de 16 Kbits, ayant une alimentation d'attente d'une intensité supérieure ou égale à 50 mA et inférieure ou égale à 80 mA, se présentant sous la forme d'un circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 33×14 mm, comportant au maximum 24 broches de connexion et portant :
34. L'invention concerne un dispositif de fabrication d'une cellule préfabriquée (1) dans une construction monolithique, pourvue d'un coffrage extérieur (6) et d'un coffrage intérieur (7) pouvant être inséré dans le coffrage extérieur (6), ledit coffrage comportant une plaque de base (8, 9, 10) et plusieurs segments de paroi (20, 21, 27) pouvant être assemblés de manière amovible à la plaque de base (8, 9, 10).
35. Codeur-décodeur pour la conversion des données en signaux parallèles ou en série, réalisé en technologie N-MOS ( y compris H-MOS ), constitué d'une unité arithmétique logique ( ALU) et d'une mémoire de lecture ( ROM ) d'une capacité de 128 Kbits, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 15×60 mm, comportant au maximum 48 broches de connexion ou points de contact et portant :
36. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 82Circuit de contrôle, réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), permettant de détecter et de corriger les erreurs d'1 bit et de détecter toutes les erreurs de 2 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 30×30 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant:
37. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 95Circuit de contrôle, réalisé en technologie bipolaire, pour la commande de mémoires dynamiques à lecture-écriture à accès aléatoire (D-RAMs), assurant la fonction de multiplexeur d'adresses, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 26×67 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant:
38. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0ex 8542 11 9511Compteur à 4 stade/registre à décalage à 4 bits, réalisé en technologie bipolaire, comprenant des entrées/sorties de logique à couplage par les émetteurs (ECL), sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 13×31 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant:
39. Circuit de contrôle logique réalisé en technologie N-MOS ( y compris H-MOS ), constitué par un registre à 7 bits, trois compteurs, un multiplexeur, des circuits séquentiels et combinatoires effectuant des opérations de contrôle, une logique de décodage, une logique de diagnose et une horloge, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 23×82 mm, comportant au maximum 64 broches de connexion et portant :
40. XR 2247 XR 3470 ou - d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description 0 ex 8542 11 99 Circuit intégré monolithique à six canaux permettant l'amplification et la conversion des signaux de lecture et la conversion des signaux d'écriture pour disques rigides, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 19×38 mm, comportant au maximum 28 broches de connexion ou points de contact et portant :
41. Circuit d'interface bus réalisé en technologie C-MOS, sous forme de circuit intégré monolithique, pour la gestion de flux de données d'entrée-sortie sur les lignes de transferts de signaux, comportant quatre émetteurs-récepteurs indépendants, un circuit à quatre portes NAND à deux entrées, un circuit séparateur, un circuit flip-flop, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 31×31 mm, comprenant au maximum 84 broches de connexion, et portant :
42. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0ex 8542 19 8022Détecteur pour des crêtes d'amplitudes dans des signaux de lecture-écriture des unités de mémoire à disques, constitué d'un amplificateur du différentiel ayant une amplification contrôlée automatiquement et d'un redresseur de précision à double alternance, sous forme de circuit intégré monolithique analogique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 12×12 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant:
43. Pour permettre de disposer sur un emplacement (23, 25, 27) de réception de puce monolithique (22, 24, 26) des puces de taille variable, sans risquer d'avoir des fils de liaison trop longs entre la puce et les plages conductrices (44) entourant l'emplacement réservé, on propose selon l'invention de recouvrir l'emplacement de réception de puces de nombreux plots conducteurs isolés les uns des autres qui peuvent servir de relais de soudure pour ces fils de liaison (80, 90, 100).
44. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Circuit intégré monolithique, constitué d'une mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) d'une capacité de mémorisation de 1 kbit superposée bit à bit à une mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM), enserrées dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×33 mm, comportant au maximum 24 connexions, et portant:
45. 38301-A LIA 2099 PVC-2 ou - d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description 0 ex 8542 11 91 Circuit logique de contrôle et de gestion d'écran cathodique monochrome ( MDC, Monochrome Display Controller ) réalisé en technologie C-MOS, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 25×25 mm, comportant au maximum 68 broches de connexion et portant :
46. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 67Microprocesseur à 32 bit, réalisé en technologie C-MOS, avec bus externe des données de 16 bit et bus externe d'adresse des données à 24 bit, d'une capacité d'adressage de mémoire virtuelle de 64 terabytes, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 31×31 mm, comportant au maximum 100 connexions, et portant:
47. EX 85.21 D II * MEMOIRE STATIQUE A LECTURE-ECRITURE A ACCES ALEATOIRE REALISEE EN TECHNOLOGIE N-MOS ( N-MOS-S-RAM ) EN FORME DE CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE , CONSTITUEE DE DEUX NIVEAUX DE SUBSTRAT SUPERPOSES MUNIS CHACUN DE DEUX PUCES AYANT CHACUNE UNE CAPACITE DE MEMORISATION DE 2 K BITS EQUIVALANT A UNE CAPACITE DE MEMORISATION TOTALE DE 8 K FOIS 1 BIT OU 4 K FOIS 2 BITS , ENSERRE DANS UN BOITIER DONT LES DIMENSIONS EXTERIEURES NE SONT PAS SUPERIEURES A 13 FOIS 13 MM , COMPORTANT 23 BROCHES DE CONNEXION ET PORTANT :
48. -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0ex 8542 11 2148Antémemoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-cache-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 4 K×16 bits, ayant un temps d'accès n'excédant pas 55 ns, comprenant un registre-tampon d'adresse à 12 bits et des circuits de contrôle, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 10×53 mm, comportant au maximum 44 connexions, et portant:
49. 8042 8742 ou - d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description 0 ex 8542 11 75 Micro-ordinateur monochip à 32 bits, réalisé en technologie N-MOS ( y compris H-MOS ), constitué de 24 registres à 32 bits, d'une mémoire de lecture-écriture à accès aléatoire ( RAM ) d'une capacité de mémorisation de 2 Kbits, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 24×24 mm, comportant au maximum 68 broches de connexion et portant :
50. 8397 ou - un sigle d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description 7 ex 8542 11 75 Micro-ordinateur monochip à 32 bits, constitué d'une mémoire de lecture ( ROM ) avec une capacité de mémorisation de 16 Kbits et de mémoires à lecture-écriture à accès aléatoire ( RAM) avec une capacité de mémorisation totale de 32 Kbits, d'une unité arithmétique à 32 bits travaillant en virgule flottante, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boitier comportant au maximum 100 broches de connexion, dont les dimensions n'excèdent pas 30×53 mm et portant :