1. The active layer contains indium gallium nitride (InGaN), and the barrier layer is formed by alternately stacking an aluminum gallium nitride (AlGaN) thin film and an indium gallium nitride (InGaN) thin film.

본 개시는 활성층 및 활성층의 상부 및 하부에 배치되어 활성층에 인가되는 응력을 완화시켜 활성층 내부의 자발분극에 의한 전계 및 피에조에 의한 전계의 합을 감소시키는 초격자층으로 형성된 장벽층을 포함하는 발광층; 발광층에 전자를 주입하는 N형 콘택층; 및 발광층을 경계로 N형 콘택층과 대향하게 배치되고, 발광층에 정공을 주입하는 P형 콘택층을 포함하며, 활성층은 질화인듐갈륨(InGaN)을 포함하고, 장벽층은 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 박막 및 질화인듐갈륨(InGaN) 박막이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

2. Gallium is one step away from aluminum on the periodic table.

프랑스의 옛 이름인 갈리아를 따서 갈륨이라고 이름 짓습니다.

3. Four more elements have melting points slightly above room temperature: francium, caesium, gallium and rubidium.

그 이상의 4가지 원소들은 상온보다 약간 높은 곳에서 녹는점을 가지고 있다: 프란슘, 칼슘, 갈륨, 루비듐.