1. 기판 검사방법

2. 기판 검사장치

3. 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 기판

4. 전도성 기판 및 이의 제조방법

5. 액체를 이용한 에너지 전환 기판

6. 글라스 기판 식각장치 및 방법

7. 다층 플라스틱 기판 및 이의 제조방법

8. 플렉서블 패브릭 기판 및 그의 제조방법

9. 기판 구조물 및 이의 제조 방법

10. 상기 세정 장치는 직선 트랙을 따라서 일렬로 배치되는 기판 입력부, 기판을 세정하도록 구성되는 제1 및 제2 세정 챔버를 포함하는 기판 세정부, 기판을 건조하도록 구성되는 2개 이상의 건조 챔버를 포함하는 기판 건조부를 포함한다.

11. 그라파이트 기반의 발광다이오드용 기판 및 이를 이용한 발광다이오드

12. 광소자 기판, 광소자 디바이스 및 그 제조 방법

13. 접합용 구조물 및 이를 이용한 기판 접합 방법

14. 상기 다결정 실리콘 박막 제조장치는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치되고 비정질 실리콘 박막과 도전성 박막을 구비한 기판이 안착되는 기판 스테이지 및, 상기 기판 스테이지에 대향되도록 상기 챔버의 타측에 설치되고 상기 기판 스테이지에 안착된 기판 측으로 이동되어 상기 기판에 구비된 도전성 박막에 전원을 인가하도록 된 전원인가용 전극을 포함한다.

15. 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치

16. 기판 검사 시의 보상 매트릭스의 유효성 판단 방법

17. 기판 접합 시스템 및 이에 사용되는 이동형 챔버

18. 피시비 기판 천공용 엔트리 시트 및 그 제조 방법

19. 표면 증강 라만 분광용 기판 및 이의 제조방법

20. 신규한 폴리아믹산, 감광성 수지 조성물, 드라이 필름 및 회로 기판

21. 굴절률 매칭용 조성물, 이를 이용하여 제조된 터치스크린 기판 및 표시장치

22. 본 발명에 따른 화소 구조는 베이스 기판, 복수의 화소 회로 전극, 절연층 및 복합층을 포함한다. 복수의 화소 회로 전극은 베이스 기판 위에 매트릭스 형태로 배열된다.

23. 전극 기판, 이를 포함하는 입력 장치 및 표시 장치, 및 이의 제조방법

24. 본 발명에 따르면, 기판, 및 상기 기판 상에 형성되는 방사패치를 포함하는 광대역 안테나에 있어서, 상기 기판은, 비투자율/비유전율 > 1 인 것을 특징으로 하는 광대역 안테나가 제공된다.

25. 프로세스 모듈 및 그 제조 방법과, 프로세스 모듈을 이용한 기판 처리 방법

26. 금속 기판의 고방열성을 위한 절연층 형성방법 및 이에 의해 제조된 금속 기판

27. 본 명세서는 기판 상에 설치된 연성인쇄회로기판의 구조체를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

28. 기판 적층과 식각 기술의 개발과 함께, 이런 개념은 오늘날의 표준 인쇄회로기판 제조공정으로 발전되었다.

29. 실시예에 따른 발광소자는 산화갈륨 기반 기판; 상기 산화갈륨 기반 기판 상에 산화갈륨질화 기반막; 상기 산화갈륨질화 기반막 상에 제1 도전형의 반도체층; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 활성층; 및 상기 활성층 상에 제2 도전형의 반도체층이 포함된다.

30. 기판이 이송되는 동안에 샤워 헤드는 왕복 이동하면서 원료 전구체와 반응 전구체를 기판 상으로 분사한다. 기판의 이송 속도 및 샤워 헤드의 왕복 이동 속도를 조절함으로써 기판 상에 증착되는 원자층의 수를 조절할 수 있다.

31. 본 발명에 따른 무영등은, LED소자, 렌즈, 기판 및 방열판을 포함하는 LED 무영등에 있어서, 상기 기판 및 방열판에는 결합 홈이 형성되고, 상기 렌즈는 LED소자가 인입될 수 있는 홈이 형성된 본체, 상기 기판 및 방열판에 형성된 결합 홈에 인입될 수 있도록 돌출 형성된 결합부, 상기 본체의 기판 접합측에 형성되어 상기 결합부가 상기 결합 홈에 인입되는 것을 멈추도록 지지하는 지지부로 구성되며, 상기 렌즈의 결합부의 일 끝단에 체결되어 렌즈를 고정하기 위한 고정부; 를 포함하고, 상기 렌즈의 결합부가 상기 기판과 방열판에 형성된 결합 홈을 관통하여 상기 고정부와 체결됨으로 렌즈, 기판 및 방열판이 일체로서 결합 되는 것을 특징으로 하는 방열판 직결식 렌즈를 사용한 LED무영등을 제공한다.

32. 이 발광 다이오드는, 복수의 관통홀들을 갖는 질화갈륨 기판; 기판 상에 위치하고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 질화갈륨계 반도체 적층 구조체; 및 질화갈륨 기판의 관통홀들을 통해 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극을 포함한다.

33. 실시예에 따른 태양 전지는 지지 기판; 상기 지지 기판 상에 배치되는 배리어층; 및 상기 배리어층 상에 배치되는 광전 변환부를 포함하며, 상기 배리어층은 서로 다른 기공도를 가지는 제 1 배리어층 및 제 2 배리어층을 포함한다.

34. 또한, 전자빔을 조사함과 동시에 이온빔을 함께 조사함으로써, 기판 표면에 축적되는 전자빔의 전하가 이온빔의 전하에 의해 중화되도록 하여, 전자빔의 전하들이 기판 표면에 축적되어 불필요한 표면 전류를 형성하는 것을 방지하고 효율적으로 비정질 실리콘 박막을 결정화시킬 수 있게 된다.

35. 그러나 반도체 장치 제조는 인쇄 회로 기판 제조에 비해 상당히 더 비싼 편이므로 최종 제품에 가격이 증가된다.

36. 또한, 상기 다결정 실리콘 박막 제조장치는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치되고 비정질 실리콘 박막과 도전성 박막을 구비한 기판이 안착되는 기판 스테이지 및, 상기 기판에 구비된 도전성 박막에 전원을 인가하기 위하여 상기 기판 스테이지에 대향되는 상기 챔버의 타측에 설치되는 전원인가용 전극을 포함한다.

37. 본 발명은 기판; 상기 기판 상부에 형성되며 검사를 위한 혈액이 유입되는 전처리 유입로; 상기 기판 하부에 형성되며 상기 전처리 유입로를 지나는 혈액에 초음파 진동을 부여하는 초음파 진동자; 상기 초음파 진동자에 의한 초음파 진동을 부여받은 혈액 흐름을 분기하기 위한 분기 노드; 및 상기 분기된 혈액을 출력하는 전처리 유출로를 포함하는 혈액 분리를 위한 칩을 제공하며, 이때 상기 초음파 진동자 및 상기 분기 노드는 분리하고자 하는 혈장의 정제 정도에 따라서 가감될 수 있다.

38. 본 발명의 일 실시예는 디스플레이 소자에서 기판 상에 설치된 연성인쇄회로기판의 구조에 관한 것으로, 상부 연성인쇄회로 기판 중 하부 연성인쇄회로기판과 겹치는 부분에 형성된 홀에 채워진 전도성 물질에 의해서 겹쳐진 상부 연성인쇄회로기판의 양극 패드 및 음극 패드와 하부 연성인쇄회로기판의 양극 패드 및 음극 패드가 각각 통전되는 것이다.

39. 실시예에 따른 태양 전지는, 기판; 상기 기판 위에 위치하는 제1 전극층; 상기 제1 전극층 위에 위치하는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 위에 위치하며 투광성 전도성 물질을 포함하는 제2 전극층; 및 상기 제2 전극층 위에 위치하며 투광성 전도성 물질을 포함하는 그리드 전극을 포함한다.

40. 본 발명은 메모리를 구비한 피씨비가 내장되며 일측에 USB 단자가 형성되는 기판부; 상기 USB 단자가 드러나도록 상기 기판부를 수용하는 기판 수용부; 상기 기판 수용부가 착탈 가능하게 삽입 위치되는 커버부; 및 상기 커버부가 이동 가능하게 결합되는 하우징을 포함하는 것을 특징으로 하는 USB 메모리 장치에 관한 것이다.

41. 본 발명은 불순물 제거 가능 광조사부를 구비하는 증착장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 불순물 제거 가능 광조사부를 구비하는 증착장치는 소스가 기판 상에 증착되도록 내부에 상기 기판을 수용하는 챔버부; 상기 기판 측으로 자외선 광을 조사하는 광조사부; 광투과성 재질로서 상기 광조사부와 상기 기판 사이에 마련되며 상기 광조사부로부터 발생되는 자외선 광을 상기 챔버부 내로 투과시키는 윈도우, 상기 챔버부 내부에 마련되어 열을 발생시킴으로써 상기 자외선 광의 윈도우 투과를 억제하는 불순물을 제거하는 발열부재로 구성되는 광투과부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

42. 본 발명에 따른 복수개의 기판을 동시에 기판처리할 수 있는 배치식 기판처리 장치(1)는, 복수개의 기판(10)에 대하여 기판처리 공간을 제공하는 챔버(20); 복수개의 기판(10)이 로딩되어 지지되는 보트(30); 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 배치되는 복수개의 히터(70); 및 챔버(20)의 내부 일측에 설치되는 가스관 베이스(300) - 가스관 베이스(300)에는 가스 공급관(100) 및 가스 배기관(200)이 연결됨 -; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.

43. 본 발명에 의할 시 제 1 기판 상에 구리, 인듐 및 갈륨으로 구성된 금속 전구체가 코팅된 전구체 기판을 준비하는 단계, 제 2 기판 상에 셀레늄이 코팅된 셀레늄 코팅 기판을 준비하는 단계, 상기 전구체 기판의 금속 전구체 일면과 상기 셀레늄 코팅 기판의 셀레늄 일면을 대면시켜 밀착하는 단계 및 상기 밀착된 전구체 기판 및 셀레늄 코팅 기판을 상기 셀레늄 코팅 기판에 코팅된 셀레늄의 기화가 가능한 온도로 가열하는 단계를 포함하는 CIGS(Copper-Indium-Galium-Selenium) 박막 코팅 기판의 제조방법이 제공된다.

44. 본 발명은 기판 후면부에 p+ 영역과 n+ 영역을 형성함에 있어 이온주입 공정과 열확산 공정을 접목시켜 공정 횟수를 최소화할 수 있는 후면전극형 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 후면전극형 태양전지의 제조방법은 n형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 전면, 후면 및 측면 상에 열확산 제어막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 후면 상에 p형 불순물 이온을 이온주입하여 p형 불순물 영역을 형성하는 단계와, 상기 기판 후면이 선택적으로 노출되도록 상기 열확산 제어막을 패터닝하는 단계 및 열확산 공정을 실시하여 노출된 기판 후면 영역에 고농도 후면전계층(n+)을 형성함과 함께 상기 기판 전면부에 저농도 전면전계층(n-)을 형성하고, 상기 p형 불순물 영역을 활성화시켜 p+ 에미터 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

45. 본 발명은, 급전 신호가 전달되는 급전선; 상기 급전선의 연장을 위하여 제 1 비아가 형성되고, 하면에 금속재질의 패치 그라운드가 형성되는 제 1 기판; 상기 제 1 비아를 통하여 상기 제 1 기판의 상면으로 연장된 급전선으로부터 분기되어 상기 제 1 기판 상에 형성되는 방사체; 및 상기 제 1 기판 위에 상기 방사체를 복개(覆蓋)하도록 형성되는 제 2 기판을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 기판은 투자율과 유전율이 각각 1보다 큰 페라이트로 형성되는 것을 특징으로 하는 페라이트 마이크로 스트립 안테나를 제공한다.

46. 상기 반도체 발광 소자는, 사파이어 기판 및 상기 기판의 상면에 적층되며 광을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 질화물 에피층으로 이루어진 질화물 구조물을 포함한다.

47. 기판; 상기 기판 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고, 상기 후면전극층에는 일 방향으로 연장되는 관통홈이 형성되고, 상기 관통홈은 제 1 영역; 및 상기 제 1 영역에 인접하고, 절단면을 포함하는 제 2 영역을 포함하고, 상기 절단면의 거칠기는 상기 제 1 영역의 내측면의 거칠기보다 더 크다.

48. 감열 기록 소자는 기판, 기판 상에 배치되는 글레이즈층, 글레이즈층 상에 배치되는 절연막, 절연막과 글레이즈층에 매립되는 복수의 제1 전극들과 복수의 제2 전극들, 제1 및 제2 전극들 사이의 절연막 상에 각기 배치되며, 제1 및 제2 전극들에 각기 접속되는 복수의 저항막 패턴들, 그리고 제1 전극들, 저항막 패턴들 및 제2 전극들을 덮는 보호층을 구비할 수 있다.

49. 본 발명은 광흡수율을 증가시켜서 광전변환 효율을 향상시킨 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 태양 전지는, 기판 및 상기 기판 위에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 위에 형성되는 광활성층; 상기 광활성층 위에 형성되는 제2 전극을 포함하며, 상기 광활성층에는 전자 수용체와, 2개 이상의 전자 공여체가 함유된다.

50. 본 발명은 기판 상에, CdTe나 CdZnTe로 이루어진 광도전층과, 상기 광도전층을 이루는 물질에 도핑물질이 포함된 도핑층을 포함하는 광도전체와; 상기 광도전체 상에 형성된 상부전극을 포함하는 이미지센서를 제공한다.

51. DIMM(dual in-line memory module, 듀얼 인라인 메모리 모듈)은 여러 개의 DRAM 칩을 회로 기판 위에 탑재한 메모리 모듈을 가리키며, 컴퓨터의 주기억 메모리로 쓰인다.

52. 본 발명은 기판 위에 도전성 페이스트를 인쇄 방식 및 습식 금속 도금 방식으로 형성하고, 다공성인 적층 도전성 페이스트 위에 금속 도금 하는 것이 아닌, 불필요한 비결정화된 도전성 페이스트 영역을 에칭 제거하는 것을 통해, 기판 상에 금속 결정화층에 다이렉트로 금속 도금함으로써, 공극이 없는 전극 구조를 형성할 수 있고, 또한, 기판과 전극간의 밀착성을 향상시키고, 전극의 비저항을 감소시키며, 특히, 도금 후 열처리 공정을 통해 도금된 금속과 하지인 금속 결정화층과 기판과의 부가적인 오믹 컨텍을 형성하여 태양 전지 셀의 효율을 향상시킬 수 있는 태양 전지용 전극의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 태양 전지용 기판 및 태양 전지를 제공한다.

53. 본 발명은 플라즈마 방전이 기판까지 전달되는 것을 방지하여 플라즈마 방전에 의한 기판이 손상과 막질 저하를 최소화할 수 있도록 한 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 및 상기 공정 챔버의 내부에 설치되어 플라즈마를 이용해 공정 가스를 해리시켜 기판 상에 분사하는 가스 분사 모듈을 포함하고, 상기 가스 분사 모듈은 복수의 전극 삽입부를 가지는 하부 프레임; 갭 공간을 가지도록 상기 복수의 전극 삽입부 각각에 삽입된 복수의 돌출 전극과, 상기 공정 가스를 상기 기판 상에 분사하도록 상기 복수의 돌출 전극에 형성된 공정 가스 분사 홀을 포함하는 상부 프레임; 및 상기 상부 및 하부 프레임 사이에 형성되어 상기 복수의 돌출 전극 각각이 관통하여 상기 복수의 전극 삽입부에 삽입되도록 하는 복수의 전극 관통부를 가지는 절연 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.

54. 본 발명에 따른 발광소자는, 기판; 및 상기 기판 상부에 형성되는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며; 상기 기판은 그 상면에 복수의 요철 패턴을 갖고, 상기 복수의 요철 패턴 각각은 전체적으로 상기 기판에 대하여 돌출된 형상이며 골짜기와 산등성이가 반복되는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하여, 종래의 경우보다 발광 소자의 광추출 효율이 향상되며 결정결함 밀도를 감소시킴으로써 내부양자효율이 향상된다.

55. 본 발명은 광배선 구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상면에 곡률반경을 갖도록 적어도 하나의 렌즈 형성용 홈이 구비된 실리콘 기판; 및 상기 렌즈 형성용 홈의 형상이 유지되도록 상기 렌즈 형성용 홈을 포함한 실리콘 기판 상에 형성된 실리카층을 포함함으로써, 대부분의 공정이 반도체 공정 장비를 통해 수행되어 대량 생산이 가능하며, 기존 PCB 기판에 비해 좋은 열특성을 갖는 효과가 있다.

56. 본 발명에 따른 태양 전지는 기판 상에 순차 형성된 하부 전극, 정공 수송층, 코어(core)-쉘(shell) 구조 나노입자가 부착된 탄소 나노튜브로 이루어진 활성층, 그리고 상부 전극을 포함한다.

57. 측면 방향의 광추출 효율이 우수하고 기판 절단이 용이한 반도체 발광 소자와,반도체 발광 소자의 제조 방법, 반도체 발광 소자를 포함하는 반도체 발광소자 패키지 및 레이저 가공 장치가 개시된다.

58. 본 발명은 접촉식 패터닝 장치에 관한 것이며, 본 발명의 접촉식 패터닝 장치는 기판; 상기 기판 측을 향하여 유체를 공급하는 유체제공부; 상기 유체제공부와 전기적으로 연결되며, 상기 유체제공부로부터 제공되는 유체의 표면에 전압을 인가함으로써 상기 기판과 상기 유체제공부 사이에 상기 유체가 연결되도록 하는 전압인가부; 상기 유체가 상기 기판에 연속적인 라인 형태로 패터닝되도록 상기 유체에 인가되는 전압의 크기를 조절하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉식 패터닝 장치 것을 특징으로 한다.

59. 본 발명의 전자 방출원은 기판, 상기 기판의 상부에 형성되며, 접착성이 있는 그래파이트 접착제(graphite adhesive)로 이루어진 그래파이트 캐소드 및 상기 그래파이트 캐소드에 고정된 침상 전자 방출 물질을 포함한다.

60. 본 발명은 흡수축이 액정셀의 상부 기판 측 액정 배향 방향에 대하여 85°내지 95°의 각도를 갖는 편광 소자를 포함하는 편광판 및 광축이 액정셀의 상부 기판 측 액정 배향 방향에 대하여 130°내지 140°의 각도를 갖는 1/4 파장판을 포함하는 반사형 액정표시장치용 원편광판이며, 상기 1/4 파장판은 역 파장 분산성을 가지는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치용 원편광판에 관한 것이다.

61. 본 발명은, 3단계 동시진공증발법으로 CIGS 광흡수층을 형성하는 과정에서 제1단계의 Ga 증발량을 늘림으로써, Na의 농도가 낮은 기판 위에 형성되어 공핍층의 깊이가 깊은 CIGS 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.

62. 본 발명은 관성 스위치 및 그 제조방법, 관성 스위치를 이용한 자동차 에어백 센서 및 포탄의 신관을 개시한다. 본 발명의 관성 스위치는 기판, 한 쌍의 전극들, 컨테이너, 볼과 플렉시블 도어로 구성되어 있다.

63. 본 발명은 패드전극을 갖는 기판 표면에 형성된 보호막과; 상기 보호막 상에 형성되며, 귀금속물질이나 산화물질로 이루어진 버퍼층과; 상기 버퍼층 상에 형성된 광도전층과; 상기 광도전층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 이미지센서를 제공한다.

64. 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치의 제조 방법은, 제 1 기판 상에 각각 측벽을 갖는 복수의 분리 부재들을 형성하는 단계; 상기 복수의 분리 부재들에 의해 정의되는 홈부 내에 복수의 전기 영동 입자들을 충전하는 단계; 제 2 기판 상에 덮개층을 형성하는 단계; 상기 덮개층이 상기 격벽의 상부 표면에 밀착되도록 상기 제 2 기판을 상기 제 1 기판에 결합하는 단계; 및 상기 덮개층을 경화시키는 단계를 포함한다.

65. 본 발명은 평판표시장치(FPD)를 제조하는 공정에 있어서 기판 표면을 세정하기 위하여 사용되는 붕산 유도체와 유기인산 및 그의 염 중에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 수계 세정액 조성물에 관한 것이다.

66. 이러한 본 발명은, 이미지를 디스플레이하는 디스플레이 패널; 컬럼 방향으로 소정 길이를 갖도록 배리어들이 형성되고 홀수 번째 상기 배리어들은 제1 세그먼트 신호가 인가되는 제1 단자에 공통으로 연결되며 짝수 번째 상기 배리어들은 상기 제1 세그먼트 신호의 상보 신호인 제2 세그먼트 신호가 인가되는 제2 단자에 공통으로 연결되는 전면 기판; 상기 전면 기판과 동일한 배리어 구조를 가지며 상기 제1 세그먼트 신호가 반전된 제3 세그먼트 신호가 홀수 번째 상기 배리어들에 인가되고 상기 제2 세그먼트 신호가 반전된 제4 세그먼트 신호가 짝수 번째 상기 배리어들에 인가되는 후면 기판; 및 상기 전면 기판과 상기 후면 기판 사이에 게재되는 액정을 포함하는 액정 셔터를 포함하는 것을 기술적인 특징으로 한다.

67. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 화학 기상 증착 장치의 챔버 내부에 기판을 로딩하는 단계 및 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체 및 도전형올 가지는 도펀트를 주입하여 기판 상에 도핑된 비정질 실리콘층을 형성하는 단계 및 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체 및 반응 가스를 주입하여 기판 상에 실리콘을 포함하는 절연층을 형성하는 단계를 교번적으로 반복하여, 복수의 도핑된 비정질 실리콘층 및 복수의 절연층이 교번적으로 적층된 다층 구조를 형성하는 단계를 포함한다.

68. 우리는 여기 TED에서 사람들이 아르뒤노(오픈소스 기반 컴퓨팅 기판)를 통해 바이오 해킹, 식물을 해킹하는 것을 들었고 모질라는 젊은이들이 웹사이트와 비디오를 만드는 것을 전세계적으로 장려하는 일을 하고 있다는 것을 알고 있습니다.

69. 본 발명은 유리질 탄소 몰드의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 마이크로 나노 공정으로 형성한 마스터 패턴 및 열경화성 수지 기판 사이에 열경화성 수지, 경화제 및 점도 조절용 용매를 포함하는 혼합물을 위치시키는 단계; 상기 마스터 패턴 또는 상기 열경화성 수지 기판을 압착시키고, 열을 가하여 기판상에 경화된 열경화성 수지 패턴부를 형성하는 단계; 및 마스터 패턴을 분리하고 기판 및 기판상에 경화된 열경화성 수지 패턴부에 탄화 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 유리질 탄소 몰드의 제조방법에 관한 것이다.

70. 상기 기판 및 질화 구조물의 수평 단면은 두 개의 예각 및 두 개의 둔각을 내각으로 하는 마름모 형상을 가지고, 상기 기판의 적어도 일 측면에는, 수평방향으로 형성된 띠 형상을 갖는 적어도 하나 이상의 개질 영역이 형성된다.

71. 본 발명에 따른 발광 모듈은, 발광칩이 각각 실장되는 복수의 실장 영역으로 구분되며, 복수의 실장 영역 각각이 구분홈에 의하여 제1기판과 제2기판으로 분리되는 베이스 기판; 및 제1기판상에 실장되며, 제1기판 및 상기 제2기판과 전기적으로 결선되는 복수의 발광칩을 포함한다.

72. 액정 배향 방법은 액정을 배향하는 방법에 있어서, 패턴(pattern)을 갖는 하부 기판과 상기 하부 기판에 대향하는 상부 기판을 제공하는 단계; 상기 상부 기판 또는 상기 하부 기판 상에 SAM(Self Assembled Monolayer)을 화학적으로 형성시키는 단계; 및 상기 하부 기판의 패턴 형태에 따라 상기 액정을 배향시키는 단계를 포함하되, 상기 하부 기판은 하부층과 상기 패턴 형태를 갖는 상부층을 포함하고, 상기 하부층은 제 1 재료로 형성되고, 상기 상부층은 제 2 재료로 형성되며, 상기 제 1 재료와 상기 제 2 재료는 서로 다른 재료로 구성된다.

73. 본 발명은 고투명성과 함께 낮은 열팽창성을 가져 디스플레이 기판 제조에 적용가능한 화학식 1의 반복단위를 갖는 폴리아믹산 고분자 50 내지 99 중량%와, 실리카계 입자 1 내지 50 중량%를 포함하는 폴리아믹산 고분자 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

74. 평면 디스플레이용 대면적 기판처리 시스템에서 복수개의 기판이 장착된 보트가 기판처리 공간을 제공하는 챔버 내에서 상하로 용이하게 이송될 수 있도록 하고 구성요소의 감소에 의해 제작 원가가 절감되며 유지 보수 및 관리가 용이한 대면적 기판처리 시스템의 기판 이송 장치가 개시되었다.

75. 연성 회로 기판을 이용한 안테나는, 연성 및 절연성을 가지는 물질로 형성되는 제1 기판과, 제1 기판 상부에 내부식성, 내산화성 및 전도성을 가진 물질의 박막 패턴으로 형성되고, 외부와 연결되는 터미널부를 구비하는 회로층을 포함하며, 회로층은 알루미늄으로 형성됨으로써, 성능이 우수한 내장형 안테나를 제조할 수 있다.

76. 본 발명에 따른 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법은 고분자 기판의 표면을 플라즈마 처리하여 상기 고분자 기판의 표면에 나노 패턴을 형성하는 나노 패턴 형성단계 및 상기 고분자 기판의 나노 패턴 상에 금속 박막을 형성하는 금속 박막 형성단계를 포함하여 구성된다.

77. 부품의 수동 정렬을 구현하는 광 송수신 장치 및 부품의 수동 정렬방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판(110) 상에 배치된 정렬기준부(115)를 사용하여 광소자부(111)와 렌즈 광섬유 연결부(120)를 수동으로 정렬하는 광 송수신 장치 및 수동 정렬방법이 개시된다.

78. 본 발명은 고효율 다중접합 태양전지를 제작하기 위한 방법에 관한 것으로서, GaSb 기판 상에 In을 포함하지 않는 II-VI족 화합물 반도체 박막을 성장시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체를 이용한 다중접합 고효율 태양전지의 제조방법을 기술적 요지로 한다.

79. (다만 백 게이트 단자가 존재하지 않기 때문에 기판 바이어스 효과에 의한 문턱 전압의 변경을 할 수 없음) 현재 채널층에서 널리 사용되고 있는 것은 수소화 아모퍼스 실리콘(a-Si:H: hydrogenated amorphous silicon)이지만 스레시홀드 전압이 시간, 게이트 전압, 온도에 의해서 불안정하게 변하는 문제가 있다.

80. 본 발명의 제조방법은 주형체를 사용하지 않고 기상이송법을 이용하여 비스무트 나노와이어를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 비스무트 나노와이어가 결함을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고순도/고품질인 장점을 가지며, 기판 상에 응집되어 있지 않은 고형상의 비스무트 나노와이어를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.