1. 상기 비정질 박판 적층체는 광폭 비정질 리본을 슬리팅 및 컷팅에 의해 형성된 비정질 박판을 적층함에 따라 성형 자동화와 이에 사용되는 성형장치의 내구성을 보장할 수 있다.

Les stratifiés de plaques minces amorphes sont formés par stratification de plaques minces amorphes qui sont formées par le refendage et la coupe d'un ruban amorphe large, de façon à obtenir une formation automatique, et à assurer la durée de vie d'un appareil de formation.

2. 본 발명은 전술한 종래의 비정질 합금의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 비정질 합금이 가지는 높은 강도, 경도 및 내식성 등을 유지하면서 기존의 비정질 합금이 가지고 있던 취약한 상온 인장 특성이 향상된 새로운 비정질 복합재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.

La présente invention a été conçue pour résoudre les problèmes associés aux alliages amorphes traditionnels et elle vise donc à proposer un matériau composite amorphe inédit présentant des caractéristiques mécaniques à la traction améliorées par rapport à celles des alliages amorphes traditionnels qui sont médiocres et ce, tout en conservant la grande résistance, la grande dureté et la bonne résistance à la corrosion, etc., des alliages amorphes.

3. 비정질 금속 코어와, 이를 이용한 유도장치 및 그 제조방법

Noyau métallique amorphe, appareil d'induction l'utilisant et procédé pour sa fabrication

4. 갈륨을 포함하는 P형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법

Semi-conducteur d'oxyde amorphe de type p comprenant du gallium, procede de fabrication de ce semi-conducteur, cellule solaire comprenant celui-ci et procede de fabrication de ladite cellule solaire

5. 본 발명은 갈륨을 포함하는 p형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 개시한다.

La présente invention concerne un semi-conducteur d'oxyde amorphe de type p comprenant du gallium, un procédé de fabrication de ce semi-conducteur, une cellule solaire comprenant celui-ci et un procédé de fabrication de la cellule solaire.

6. 또한, 본 발명에 의한 고온에서 자동 성형한 고투전율의 비정질 압분자심 코아는 성형 밀도가 높고 표면 크랙이 전혀 없으며, 입자간 절연이 양호하여 주파수 의존성이 적으며, 고주파수 대역에서도 실효투자율의 변화폭이 적기 때문에 수 KHz에서 수십 MHz 주파수 대역의 전기 및 전자 디바이스의 자성 재료로서 이용 가능한 경제적인 고온성형에 의한 고투자율 비정질 압분자심 코아가 제공될 수 있게 된다.

Par conséquent, le noyau de poudre compacte amorphe à haute perméabilité peut être utilisé en tant que matériau magnétique pour des dispositifs électriques et électroniques qui sont actionnés à une bande de fréquences de plusieurs KHz à plusieurs dizaines de MHz.

7. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 화학 기상 증착 장치의 챔버 내부에 기판을 로딩하는 단계 및 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체 및 도전형올 가지는 도펀트를 주입하여 기판 상에 도핑된 비정질 실리콘층을 형성하는 단계 및 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체 및 반응 가스를 주입하여 기판 상에 실리콘을 포함하는 절연층을 형성하는 단계를 교번적으로 반복하여, 복수의 도핑된 비정질 실리콘층 및 복수의 절연층이 교번적으로 적층된 다층 구조를 형성하는 단계를 포함한다.

Le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention comporte le placement d'un substrat dans la chambre d'un appareil de dépôt en phase vapeur par procédé chimique et la formation d'une structure multicouches dans laquelle plusieurs couches de silicium amorphe dopé et plusieurs couches d'isolation sont empilées de façon alternée.

8. 본 발명에 있어서, 고주파수 대역에서도 실효투자율의 변화폭이 적은 고온성형에 의한 고투자율 비정질 압분자심 코아의 제조 방법에 따르면, 분말 간의 절연제로서 인산코팅 및 폴리이미드계에 의한 2회 코팅을 실시하고, 고온에서 분말의 윤활이 가능한 이황화몰리브덴(MoS2) 혹은 흑연분말을 사용하여, 약 200~550°C의 온도에서 자동 압축성형을 통하여 고주파수 대역에서도 실효투자율의 변화폭이 적고, 실효투자율이 75 이상이면서, 50KHz 주파수와 유도자속밀도 1000Gauss의 조건하에서 철손이 300mW/cc 이하로 매우 낮은 비정질 압분자심 코아를 제조할 수 있게 된다.

La présente invention concerne également un noyau de poudre compacte amorphe à haute perméabilité obtenu par un moulage à haute température économique, le noyau de poudre compacte amorphe à haute perméabilité obtenu par un moulage automatique à une température élevée présentant une densité de moulage élevée et aucune fêlure, de bonnes propriétés d'isolation parmi les particules de manière à être moins dépendant de la fréquence, et également une plage variable réduite de perméabilité effective même à une bande de fréquences aiguës.

9. 또한, 상기 다결정 실리콘 박막 제조장치는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치되고 비정질 실리콘 박막과 도전성 박막을 구비한 기판이 안착되는 기판 스테이지 및, 상기 기판에 구비된 도전성 박막에 전원을 인가하기 위하여 상기 기판 스테이지에 대향되는 상기 챔버의 타측에 설치되는 전원인가용 전극을 포함한다.

A cet endroit, la platine à substrat se déplace en direction de l'électrode d'application de puissance de sorte que le film mince conducteur du substrat chargé sur la platine vienne au contact de l'électrode d'application de puissance.

10. 상기 다결정 실리콘 박막 제조장치는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치되고 비정질 실리콘 박막과 도전성 박막을 구비한 기판이 안착되는 기판 스테이지 및, 상기 기판 스테이지에 대향되도록 상기 챔버의 타측에 설치되고 상기 기판 스테이지에 안착된 기판 측으로 이동되어 상기 기판에 구비된 도전성 박막에 전원을 인가하도록 된 전원인가용 전극을 포함한다.

La présente invention concerne un appareil et un procédé de fabrication d'un film mince en silicium polycristallin.