1. 인체 미세전류의 공급과 조절이 가능한 마스크 팩

Ensemble masque apte à fournir et réguler des micro-courants au corps humain et dans le corps humain

2. 오르가노겔 조성물 및 이를 이용하여 제조된 오르가노겔 마스크 팩

Composition d'organogel et paquet de masques à organogel produits à l'aide de celle-ci

3. 왼쪽: 이집트 왕 투탕카멘의 장례용 순금 마스크 아래: ‘바’가 사람의 머리를 가진 새로 묘사된 고분 벽화

À gauche : masque en or du roi égyptien Toutankhamon. Ci-dessous : peinture funèbre représentant le “ ba ” sous la forme d’un oiseau à tête humaine.

4. 본 발명은 오르가노겔 마스크팩 조성물 및 이를 이용하여 제조된 오르가노겔 마스크 팩에 관한 것으로, 보다 상세하게는 오일, 오일 겔화제, 물, 다가알콜, 겔화고분자 및 피부 유효 성분을 포함하는 오르가노겔 조성물 및 이를 이용하여 제조된 오르가노겔 마스크 팩에 관한 것이다.

La présente invention concerne une composition de masques à organogel et un paquet de masques à organogel produits à l'aide de celle-ci.

5. 응급 구조사들은 자신을 보호하기 위해 필요하다면 장갑, 마스크, 보안경, 안면 가리개, 특수한 의복이나 가운과 같은 개인 보호 장비를 착용하기도 합니다.

Le port d’équipements de protection s’impose donc : gants, masques, lunettes, combinaisons ou blouses spéciales...

6. 본 발명은 스캔 앤 스텝 노광기에 관한 것으로, 특히 본 발명은 노광모듈이 스캔방식으로 연속하거나 반복적으로 스텝 이송하면서 1회의 노광작업으로 회로 패턴을 형성할 수 없는 큰 규격의 피노광체(필름, 웨이퍼 등)를 전체적으로 균일하게 노광하는 신개념의 기술에 관한 것이다. 본 발명은 외부로 인출한 척 트레이에 피노광체를 흡착시킨 후 상기 척 트레이를 마스크 홀더의 하측으로 투입하고, 상기 마스크 홀더의 상단에는 회로 패턴이 형성된 필름마스크가 흡착 고정된 글라스 베이스를 탑재하며, 상기 마스크 홀더를 상하로 이동하면서 상기 글라스 베이스 및 피노광체 상호 간의 갭을 조절하는 한편, 상기 마스크 홀더의 상부에 위치한 노광모듈을 횡방향을 따라 스캔방식으로 연속하여 이송하거나 반복적으로 스텝 이동하면서 노광할 수 있도록 함을 발명의 특징으로 한다.

La présente invention concerne un dispositif d'exposition à balayage pas-à-pas, et concerne en particulier un nouveau concept technologique par le biais duquel un module d'exposition peut exposer de manière générale et uniforme un objet à exposer (film, plaquette, et autres) de grande taille qui ne peut pas former un motif de circuit, par l'intermédiaire d'une seule opération d'exposition en déplaçant en continu ou de manière répétée des pas dans un mode de balayage.

7. 상기 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법은, 피식각층이 형성된 반도체 기판 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트 패턴을 110 내지 220°C로 가열(하드닝 베이크)하여 층간 거울막을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계; 및 상기 제2 포토레지스트막에 노광 마스크 없이 제2 포토레지스트막의 문턱에너지(Threshold Energy; Eth)보다 낮은 값의 에너지를 갖는 광(저에너지 광)으로 노광 및 현상 공정을 수행하여, 상기 제1 포토레지스트 패턴 사이에 층간 거울막의 난반사에 의한 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

La présente invention a trait à un procédé permettant de former des motifs fins dans un dispositif à semi-conducteur, à l'aide d'un processus de formation de motifs à double exposition capable de former un second motif de résine photosensible au moyen d'une simple exposition sans utiliser de masque d'exposition.