1. 테레프탈산 제조에서의 결정화 및 고액 분리 공정

Procédé de cristallisation et de séparation solide-liquide dans la préparation d'acide térephtalique

2. 일부 다른 국가에도 '공정 거래'라는 유사한 개념이 있으며 적용 방법은 다를 수 있습니다.

Dans certains autres pays, il existe un concept similaire, à savoir le "principe de loyauté", qui peut être appliqué différemment.

3. 전자 사진복사 공정 또는 정전 인쇄 공정에 사용되는 토너 및 상기 토너에 바인더로서 포함되는 폴리에스테르 수지가 개시된다.

L'invention concerne un toner destiné à être utilisé dans un procédé électronique de duplication d'une photographie ou dans un procédé d'impression électrostatique, et une résine de polyester comprise dans le toner en tant que liant.

4. 본 발명은 전기로 및 고로에서 정련된 용강을 연속주조에 의해 슬라브로 만든 후 재가열하고 열간 압연하여 열연강판으로 제조하는 슬라브 캐스팅 공정과; 상기 슬라브 캐스팅 공정 실시 후 상기 열연강판을 밀폐오븐을 통해 블랭크로 이송하여 블랭킹하는 블랭킹 공정과; 상기 블랭킹 공정 후 프레스 금형으로 이송하여 프레스 성형하는 프레스 경화 공정;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Le recours à une étape supplémentaire de réchauffage est superflu, puisque le procédé de l'invention permet d'injecter immédiatement la feuille d'acier produite à haute température par laminage à chaud à l'étape de durcissement par pressage.

5. 아마, 목화, 양털, 염소 털 등의 식물 섬유나 동물 섬유를 뽑아 내어 함께 꼬아서 실이나 방적사를 만드는 공정.

Procédé qui consistait à étirer et à tordre ensemble des fibres végétales ou animales (lin, coton, laine, poil de chèvre, etc.) afin d’en faire du fil.

6. 본 발명은 플라즈마 방전이 기판까지 전달되는 것을 방지하여 플라즈마 방전에 의한 기판이 손상과 막질 저하를 최소화할 수 있도록 한 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 및 상기 공정 챔버의 내부에 설치되어 플라즈마를 이용해 공정 가스를 해리시켜 기판 상에 분사하는 가스 분사 모듈을 포함하고, 상기 가스 분사 모듈은 복수의 전극 삽입부를 가지는 하부 프레임; 갭 공간을 가지도록 상기 복수의 전극 삽입부 각각에 삽입된 복수의 돌출 전극과, 상기 공정 가스를 상기 기판 상에 분사하도록 상기 복수의 돌출 전극에 형성된 공정 가스 분사 홀을 포함하는 상부 프레임; 및 상기 상부 및 하부 프레임 사이에 형성되어 상기 복수의 돌출 전극 각각이 관통하여 상기 복수의 전극 삽입부에 삽입되도록 하는 복수의 전극 관통부를 가지는 절연 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.

La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat qui peut réduire au minimum l'endommagement d'un substrat et la détérioration d'une membrane dus à une décharge de plasma, en empêchant la transmission de la décharge de plasma au substrat.

7. 여기에 가공물의 표면 상태를 모니터링 하는 표면 모니터링부를 더 가지는 구성도 가능하다. 가공 상태에 대한 실시간 모니터링이 가능하므로 공정 전반에 대한 능동적 제어가 가능하다.

L'appareil de traitement laser permet une commande active sur la totalité de son processus, l'appareil de traitement laser étant capable de surveiller un état de traitement en temps réel.

8. 상기 제조 방법에 의하면, 장갑 제조 공정 중의 긴 교반 숙성 공정을 생략하여 생산성을 높이고, 종래의 황 및 가황 촉진제에 의하여 유발되는 부작용을 줄이면서도 우수한 물성의 고무장갑을 제공할 수 있다.

L'invention permet d'éviter d'avoir recours à un long processus de maturation dans un procédé de production de gants, ce qui permet d'augmenter la productivité et d'obtenir des gants en caoutchouc présentant d'excellentes propriétés physiques, tout en réduisant les effets secondaires provoqués par le soufre ou par les accélérateurs de vulcanisation utilisés dans des procédés classiques.

9. 그 복사열 차단막은 CVD 공정 중에 가열된 폴리실리콘 로드에서 발상되는 복사열을 흡수하여 온도가 400°C 이상으로 가열됨에 따라 그 흡수한 열을 그 폴리실리콘 로드와 냉각 기벽 양쪽으로 재 방사함으로써 냉각 기벽에 대해 열 차단효과를 제공한다.

La couche barrière de chaleur rayonnante absorbe la chaleur rayonnante émise par une tige de silicium polycristallin chauffée dans un processus de dépôt chimique en phase vapeur, et fait rayonner à nouveau la chaleur absorbée (qui chauffe la couche barrière de chaleur rayonnante à une température égale ou supérieure à 400 ̊C) en direction de la tige de silicium polycristallin et des deux faces des parois de refroidissement afin de protéger lesdites parois contre la chaleur.

10. 본 발명에 따른 촉매는 충진밀도 및 내마모도 등의 물리적 특성, CO 전환율이 우수하여 이산화탄소를 효과적으로 포집, 분리할 수 있다. 또한, 분무기술을 적용함으로 대량생산이 용이하고, 생산 수율이 높아 비용발생이 적기 때문에 석탄가스화 복합발전, 연료전지, 석탄액화 공정, 화합물 생산공정 등에 저비용 연소전 CO2 회수기술로 사용할 수 있다.

De plus, il est facile de produire le catalyseur en grandes quantités en appliquant une technique de pulvérisation, et les coûts sont bas du fait d'un rendement élevé de production, et ainsi le catalyseur peut être utilisé dans une technique de capture de CO2 à précombustion à faible coût dans un cycle combiné de gazéification intégré, une pile à combustible, un procédé de liquéfaction du charbon, un procédé de fabrication de composé, et similaires.

11. 이러한 아데포버 디피복실의 결정형의 제조방법은, 아데포버 디피복실을 무수 에틸알코올에 용해하는 공정, 및 용해 공정에 의해 얻어진 아데포버 디피복실 용액을 냉각 교반하여 결정을 형성시키는 공정을 포함한다. 본 발명에 따른 아데포버 디피복실의 결정형은, 용해도와 용해속도가 빠르고, 생체 안전성이 우수하며, 의약분야 등에서 폭넓은 활용이 가능하다.

La forme cristalline d'Adefovir Dipivoxil selon l'invention présente une plus grande solubilité et une plus grande vitesse de dissolution ainsi qu'une excellente biosécurité et elle peut être largement utilisée dans des domaines médicaux.

12. 도장제품의 생산 조건에 관한 데이터를 분석하여, 최적의 생산 조건을 설정할 수 있음으로써, 특히 LOT성 다량의 불량 제품이 발생할 경우, 생산 작업의 원인을 규명하기 위한 추적 작업이 가능한 도장 공정 자동 제어 방법이 개신된다. 도장 공정 자동 제어 방법은 작업입력부를 이용하여, 작업자의 정보, 제품 정보 및 행거정보를 입력하는단계, 스캔장치부를 이용하여, 행거에 거치된 제품 및 행거의 바코드를 스캔하는 단계, 도장장치부를 이용하여, 제품의 도장 작업을 수행하는 단계, 도막측정부를 이용하여, 생산된 제품의 도막 두께를 측정하는 단계, 도장조건산출부를 이용하여, 생산된 제품의 도막 두께를 생산 품질 조건과 비교하여, 생산조건을 업데이트 하는 단계; 및 생산정보저장부를 이용하여, 도장조건산출부에서 산출된 생산 조건 정보를 저장하는 단계를 포함한다.

L'invention concerne une méthode de régulation automatique d'un processus de peinture qui consiste à analyser les données sur les conditions de production d'un produit à peindre afin d'établir les conditions de production optimales, et qui est donc capable de permettre le suivi des procédures de production afin de permettre l'investigation d'un grand nombre de défaillances de lot.

13. 본 발명은 이산화탄소를 비롯한 산성 가스 분리 및 회수 공정에서, 흡수제 재생을 위한 재생탑에 제공해야 하는 열량을 감축시킬 수 있는 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 산성 가스를 분리 회수하는 공정에서 공정 자체의 열을 활용하여 에너지 소모를 줄일 수 있는 산성 가스 분리 회수 시스템 및 산성 가스 분리 회수 방법을 제공한다.

Le système et le procédé selon la présente invention provoquent un échange de chaleur entre de l'eau condensée à basse température et un gaz traité à haute température, ce qui préchauffe l'eau condensée, abaisse le volume de réfrigérant du condenseur, et provoque l'entraînement de l'eau condensée à basse température dans la tour de régénération dans un état préchauffé, ce qui présente l'avantage d'abaisser la quantité de chaleur que doit fournir un rebouilleur.

14. 특히, 본 발명의 고분자 화합물을 바인더로 이용하여 제조한 유기 반도체 조성물은 스핀코팅이나 인 쇄 공정 시, 공정에 적합한 점도를 부여할 수 있어 신뢰도가 높은 박막 트랜지스터 를 제조할 수 있다. 특히 기존의 CYTOP과 같은 불소기를 포함하는 절연막을 사용하 지 않고 일반적인 광경화성 박막을 게이트 절연박막으로 사용하여 특성을 구현할 수 있기 때문에 실제적인 공정에 적용하기가 용이하다.

En particulier, les caractéristiques du transistor peuvent être obtenues à l'aide d'une couche mince photodurcissable générale en tant que couche mince d'isolation de grille sans utiliser des couches minces classiques comprenant des groupes fluorés telles que des couches minces de CYTOP, et par conséquent la composition et le procédé de la présente invention peuvent être facilement appliqués à des procédés pratiques.

15. 본 발명은 광배선 구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상면에 곡률반경을 갖도록 적어도 하나의 렌즈 형성용 홈이 구비된 실리콘 기판; 및 상기 렌즈 형성용 홈의 형상이 유지되도록 상기 렌즈 형성용 홈을 포함한 실리콘 기판 상에 형성된 실리카층을 포함함으로써, 대부분의 공정이 반도체 공정 장비를 통해 수행되어 대량 생산이 가능하며, 기존 PCB 기판에 비해 좋은 열특성을 갖는 효과가 있다.

Comme la plupart des procédés sont mis en oeuvre au moyen d'un matériel de traitement de semiconducteurs, une production en série peut être réalisée et des caractéristiques thermiques supérieures à celles des substrats de PCB classiques sont obtenues.

16. 본 발명의 플라즈마 반응장치는 진공환경에서의 박막형성 또는 건식식각이 이루어지는 공정 체임버와 진공펌프 또는 진공펌프와 스크러버 사이에 설치되어 미반응 가스, 세정 가스 혹은 일부 초기 반응물을 포함하는 배출가스를 분해하기 위한 플라즈마 반응장치로서, 상기 미반응 가스, 세정 가스 혹은 일부 초기 반응물을 포함하는 배기가스가 통과하는 유전체 튜브와, 상기 유전체 튜브 외면에 밀착 설치된 플라즈마를 형성하기 위한 전극들과, 상기 유전체 튜브의 외부를 감싸는 자기장 발생 수단을 포함한다.

La présente invention concerne un réacteur à plasma, lequel réacteur à plasma est disposé entre une chambre de traitement, dans laquelle une formation de film mince dans un environnement sous vide ou une gravure à sec est mise en œuvre, et une pompe à vide, ou entre la pompe à vide et un épurateur de manière à décomposer un gaz n'ayant pas réagi, un gaz de purge ou un gaz d'échappement comprenant des réactifs initiaux partiels, et lequel réacteur à plasma comprend : un tube diélectrique à travers lequel passe le gaz n'ayant pas réagi, le gaz de purge ou le gaz d'échappement comprenant des réactifs initiaux partiels ; des électrodes qui sont prévues pour venir en contact étroit avec la surface externe du tube diélectrique de manière à former le plasma ; et un moyen de génération de champ magnétique pour enfermer le côté extérieur du tube diélectrique.

17. 본 발명에 따른 상압 플라즈마 발생 장치는 마이크로 웨이브가 인가되는 도파관 및 상기 도파관을 관통하며 토치 가스가 유입되어 플라즈마가 발생하는 유전관을 포함하는 상압 플라즈마 발생 장치에 있어서, 도파관의 직경은 동일하고, 상기 도파관의 단부는 곡면을 이루는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 도파관은 평행한 형태를 이루므로, 도파관 제조 공정이 간단하고, 도파관 간의 접합 수를 줄임으로써 마이크로 웨이브의 방출 및 접합 공정 중에 유입된 이물질에 의한 문제를 해결할 수 있다.

Étant donné que le guide d'ondes selon la présente invention a un diamètre constant, le procédé de fabrication peut être simplifié et les jonctions entre les guides d'ondes sont réduites pour éviter les problèmes provoqués par l'introduction de substances étrangères pendant une décharge d'ondes hyperfréquences ou un processus de jonction.

18. 본 발명은 테모졸로미드 및 pH 안정화제로서 타르타르산을 포함하는 건식 과립, 이를 포함하는 안정성이 개선된 약제학적 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 제제는 종래의 용출 패턴을 유지하면서도 pH와 수분에 대해 안정성이 개선되어 공정 및 포장 단계 후에 주약인 테모졸로미드의 안정성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라 장기 보관이 가능하며, 흐름성 개선으로 생산성을 향상시키고, 경구 제제로 적용되어 우수한 함량 균일성 및 약물 활성을 유지하여 뇌종양의 치료에 유용하게 사용될 수 있다.

La présente invention concerne : un granulé sec contenant de témozolomide, et de l'acide tartrique comme stabilisateur de pH ; une composition pharmaceutique ayant une stabilité améliorée le contenant ; et son procédé de préparation.

19. 본 발명은 본 발명은 용융 합금철 혹은 용융 비철금속을 보유하는 과정에서 탈질 혹은 흡질 방지를 수행하여, 흡질로 인한 후속 공정 혹은 추가의 탈질을 예방하기 위하여, 용융 합금철 또는 용융 비철금속을 준비하는 준비 단계; 상기 용융 합금철 또는 용융 비철금속을 융점 이상의 온도에서 유지하는 유지 단계; 및 상기 용융 합금철 또는 용융 비철금속과 준비된 용강을 합탕하는 합탕 단계;를 포함하며, 상기 유지 단계가 수행되는 도중에 상기 용융 합금철 또는 용융 비철금속을 흡질 방지 또는 탈질하는 흡질 방지 또는 탈질 단계가 수행되는 망간 함유 용강 제조방법을 제공한다.

Dans la présente invention, pendant le déroulement de l'étape de maintien, une étape de prévention d'absorption de l'azote ou de dénitrification est également conduite, étape au cours de laquelle le ferro-alliage fondu ou le métal non ferreux fondu est soumis à une prévention d'absorption de l'azote ou à une dénitrification.

20. 이를 위한 본 발명은 기판의 상측에 형성된 제 1 솔더 볼 및 반도체 칩과, 상기 제 1 솔더 볼의 일부가 노출되도록 상기 반도체 칩과 상기 솔더 볼을 몰딩하는 몰드를 포함하는 하부 반도체 패키지; 및 하면에 형성된 제 2 솔더 볼을 통하여 상기 솔더 볼의 노출부위에 접속되도록 적층되는 상부 반도체 패키지;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의해 본 발명은 탑 게이트 몰드 방식에 따른 박리현상, 몰드 플래시, 냉납 등의 고질적인 불량을 방지할 수 있고, 소재(material) 선택 및 공정 안정화를 향상시킬 수 있는 효가 있다.

Grâce à ladite configuration, la présente invention empêche des défauts chroniques, tels qu'une délamination du haut de la matrice, causés par le procédé de moulage de grille supérieure, la bavure de moulage, la soudure à froid et analogue, et améliore la stabilité du processus et la sélection des matériaux.

21. 리튬이온 이차전지용 바인더는 카르복실산(-COOH)을 포함하는 제1 바인더 및 아민(NR3, 단 R은 수소, 알킨, 알칸)을 포함하는 제2 바인더를 화학적으로 합성하여 형성한 합성 바인더를 포함하고, 본 발명에 의하면 용량을 증가시키기 위해 실리콘을 포함하는 음극 합제를 사용함에 따라 발생되는 충방전에 따른 부피 팽창 및 수축을 억제하여 전지 수명 감소를 방지하고, 일부 바인더를 사용할 때 발생되는 고형분의 침강 현상을 방지하여 음극 합제를 전극에 균일하게 분포시켜 전극 밀도를 균일하게 형성하며 음극 합제의 소결 온도를 감소시켜 제조 공정 특성을 향상시키고, 종래 바인더 대비 우수한 결착력, 우수한 회복률, 우수한 강성을 갖도록 함으로써 리튬 이온 이차 전지의 성능을 크게 향상시킨다.

La présente invention concerne un liant pour une pile secondaire lithium-ion qui comprend un liant synthétique formé par synthèse chimique d’un premier liant comprenant un acide carboxylique (-COOH) et un deuxième liant comprenant une amine (NR3, où R est hydrogène, un alcyne, un alcane).

22. 본 발명은 디스플레이 패널용 초 박판 유리 핸들링 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 디스플레이 패널로의 적용을 위한 표면 처리 공정 전, 후에 이를 지지하는 캐리어 유리와의 탈, 부착을 용이하게 할 수 있는 디스플레이 패널용 초 박판 유리 핸들링 방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은, 초 박판 유리 및 상기 초 박판 유리를 지지하는 캐리어 유리를 상전이 물질을 매개로 접합하는 접합단계; 상기 초 박판 유리의 표면을 표면처리 하는 표면처리단계; 및 상기 캐리어 유리로부터 상기 초 박판 유리를 분리시키는 분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널용 초 박판 유리 핸들링 방법을 제공한다.

La présente invention concerne un procédé pour la manipulation d'un verre ultra-mince pour un écran d'affichage ; plus spécifiquement, l'invention permet de fixer et détacher facilement le verre ultra-mince sur ou d'un verre porteur destiné à servir de support au verre ultra-mince avant et après un procédé de traitement de surface, afin de poser le verre ultra-mince sur un écran d'affichage.

23. 본 발명은 기저귀 제작 공정 중에 스판덱스 섬유와 폴리프로필렌 부직포 또는 폴리에틸렌 필름과의 핫멜트 접착제에 의한 우수한 접착 특성을 제공하는 스판덱스 섬유 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 방사원액으로서 폴리우레탄 우레아 용액을 제조하는 단계 및 제조된 방사원액을 건식 방사하여 스판덱스 섬유를 얻는 단계를 포함하는 스판덱스 섬유 제조 방법에 있어서, 폴리우레탄 우레아 용액에 고형분의 중량 대비로 에틸렌 비닐 아세테이트 단량체, 중합물 및 그 유도체 또는 탄소가 9개인 하이드로 카본계 레진 단량체, 중합물 및 그 유도체 또는 탄소가 5개인 하이드로 카본계 레진 단량체, 중합물 및 그 유도체 또는 C5/C9 하이드로 카본계 레진 단량체, 공중합체 및 그 유도체를 약 0.1 중량% 내지 약 30중량% 포함시킨 것을 특징으로 한다.

La présente invention concerne une fibre de Spandex et son procédé de fabrication, ladite fibre offrant d'excellentes caractéristiques adhésives, grâce à un adhésif thermofusible, entre la fibre de Spandex et un tissu non tissé en polypropylène ou un film en polyéthylène, dans le cadre d'un procédé de fabrication de couche.

24. 본 발명은 광폭 상용차용 휠 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 하나의 림부와 림부의 내경 중심에 일체로 형성되는 하나의 허브부로 구성되는 새로운 구조의 단륜 타입 광폭 상용차용 휠 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 전신재 알루미늄 합금소재를 이용하여 반응고 단조하는 예비 성형 후, 유동 성형(Flow Forming)을 하는 공정 등을 통하여, 단일 림부와 단일 림부의 내경 중심에 일체로 형성되는 단일 허브부로 구성되는 새로운 단륜 타입 구조로 개선시켜서, 제품 중량 감소를 비롯하여 소재 사용량 및 원가 절감, 단조 사이클 타임 감소, 소재 변경에 따른 인장 및 피로강도 증가 등을 이룰 수 있는 광폭 상용차용 휠 및 이의 제조방법을 제공하고자 한 것이다.

La présente invention concerne une roue large pour un véhicule utilitaire et un procédé de fabrication de celle-ci, plus particulièrement une nouvelle roue large du type roue simple pour un véhicule utilitaire, comportant une partie jante simple et un moyeu simple sous la forme d'un corps intégré au centre du diamètre intérieur de la partie jante, ainsi qu'un procédé de fabrication de cette roue.

25. 본 발명은 기판 후면부에 p+ 영역과 n+ 영역을 형성함에 있어 이온주입 공정과 열확산 공정을 접목시켜 공정 횟수를 최소화할 수 있는 후면전극형 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 후면전극형 태양전지의 제조방법은 n형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 전면, 후면 및 측면 상에 열확산 제어막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 후면 상에 p형 불순물 이온을 이온주입하여 p형 불순물 영역을 형성하는 단계와, 상기 기판 후면이 선택적으로 노출되도록 상기 열확산 제어막을 패터닝하는 단계 및 열확산 공정을 실시하여 노출된 기판 후면 영역에 고농도 후면전계층(n+)을 형성함과 함께 상기 기판 전면부에 저농도 전면전계층(n-)을 형성하고, 상기 p형 불순물 영역을 활성화시켜 p+ 에미터 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire à contact arrière, selon lequel un procédé d'implantation d'ions et un procédé de diffusion thermique sont combinés pour former une région p+ et une région n+ sur une surface arrière d'un substrat, afin de minimiser le nombre de procédés.