1. Junction barrier schottky diode and junction barrier schottky diode manufactured thereby

접합 장벽 쇼트키 다이오드 및 이에 의해 제조된 접합 장벽 쇼트키 다이오드

2. Junction sleeves for fibre optics

광섬유 접속슬리브

3. The present invention relates to a junction barrier Schottky diode and a junction barrier Schottky diode manufactured thereby, and, more particularly, to a junction barrier Schottky diode using a Schottky contact and a junction barrier Schottky diode manufactured thereby.

본 발명은 접합 장벽 쇼트키 다이오드 및 이에 의해 제조된 접합 장벽 쇼트키 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쇼트기 접합(SCHOTTKY CONTACT)을 이용한 접합 장벽 쇼트키 다이오드 및 이에 의해 제조된 접합 장벽 쇼트키 다이오드에 관한 것이다.

4. It is located on North End Road (B317) close to its junction with West Cromwell Road/Talgarth Road (A4).

이 역은 웨스트 크롬웰 로(West Cromwell Road)/탈가트 로(Talgarth Road, A4)와의 교차점과 가까운 노스엔드 로(North End Road, B317)에 위치하고 있다.

5. The present invention relates to a method for manufacturing highly efficient multi-junction solar cells, and aims to address the technical subject matter of a method for manufacturing highly efficient multi-junction solar cells using II-VI compound semiconductors which is characterized by including a process consisting of growing a II-VI compound semiconductor thin film comprising no In on a GaSn substrate.

본 발명은 고효율 다중접합 태양전지를 제작하기 위한 방법에 관한 것으로서, GaSb 기판 상에 In을 포함하지 않는 II-VI족 화합물 반도체 박막을 성장시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체를 이용한 다중접합 고효율 태양전지의 제조방법을 기술적 요지로 한다.

6. The final layer of the super-lattice layer, which is closest to the active region, is doped with high concentration silicon, thereby preventing the degradation of junction characteristics and improving electrostatic discharge characteristics.

활성 영역에 가깝게 위치하는 초격자층의 거의 모든 층에 실리콘을 의도적으로 도핑하지 않기 때문에 누설 전류를 감소시킬 수 있으며, 활성 영역에 가장 가까운 마지막층에 고농도의 실리콘을 도핑함으로써 접합(junction) 특성이 나빠지는 것을 방지하여 정전 방전 특성을 개선할 수 있다.