1. Rf-plasma glow discharge sputtering

Pulvérisation cathodique à décharge luminescente de plasma rf

2. An electrically conductive surface (9) is deposited onto a nonconductive underlay (1) by a method where a metal is evaporated under a vacuum - sputtering, magnetron sputtering, radiofrequency sputtering, diode plasma sputtering, cathodic arc evaporation, ion plating, ionization-assisted evaporation, ion implantation or laser alloying.

Une surface électriquement conductrice (9) est déposée sur un support non conducteur (1) grâce à un procédé dans lequel le métal est évaporé par pulvérisation cathodique sous vide, pulvérisation cathodique à magnétron, pulvérisation cathodique à radiofréquence, pulvérisation cathodique à plasma diode, évaporation à arc cathodique, placage ionique, évaporation assistée par ionisation, implantation ionique ou alliage laser.

3. Cu-Mn ALLOY SPUTTERING TARGET AND SEMICONDUCTOR WIRING

CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE D'ALLIAGE Cu-Mn ET CÂBLAGE SEMI-CONDUCTEUR

4. Silver alloy sputtering target for forming electroconductive film, and method for manufacture same

Cible de pulvérisation en alliage d'argent pour former un film électroconducteur, et son procédé de fabrication

5. The sputtering process includes the addition of 0.05% to 0.5% oxygen to an inert gas stream.

Le processus de pulvérisation comprend l'ajout de 0,05 % à 0,5 % d'oxygène à un flux de gaz inerte.

6. The relative rate of sputtering from each of the rings (15) may be controlled by adjusting the relative lengths of the curved portions of the closed-loop magnet (21).

On peut réguler le débit rotatif de pulvérisation par chaque anneau (15) en modifiant les longueurs relatives des parties incurvées de l'aimant à boucle fermée (21).

7. An ion beam source, a sputtering source, a laser ablation source, a molecular beam source, a chemical vapor deposition source and/or an evaporative source can provide the chemical component(s) to be deposited on the substrate.

Une source de faisceaux ioniques, une source de pulvérisation cathodique, une source d'ablation au laser, une source de faisceaux moléculaires, une source de dépôt chimique en phase vapeur et/ou une source de dépôt par évaporation peuvent fournir le(s) constituant(s) chimique(s) à déposer sur le substrat.

8. The invention refers to a method for the fabrication of a thin film acoustic reflector stack with alternating layers of a first and a second material having different acoustic characteristic impedances, wherein the layers are deposited alternately by a reactive pulsed dc magnetron sputtering process.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une pile de réflecteurs acoustiques à film mince à couches alternées d'un premier et d'un second matériaux présentant des impédances acoustiques caractéristiques différentes, lesdites couches étant déposées en alternance par un processus réactif de pulvérisation de magnétron à courant continu pulsé.