Đặt câu với từ "silicon rectifier"

1. A voltage-doubler rectifier includes an ac full-bridge diode rectifier and a dc-to-dc converter having two output boost circuits.

Un redresseur doubleur de tension comprend un redresseur de courant alternatif à diode et à couplage intégral, et un convertisseur continu-continu comprenant deux circuits de tension additionnelle de sortie.

2. stabilised power packs (rectifier with a regulator).

les alimentations stabilisées (redresseur associé à un régulateur).

3. 11. stabilised power packs (rectifier with a regulator).

11. les alimentations stabilisées (redresseur associé à un régulateur).

4. Heterojunction field effect transistors using silicon-germanium and silicon-carbon alloys

Transistors a effet de champ, a heterojonction, avec alliages au silicium-germanium et silicium-carbone

5. High performance rotating rectifier for ac generator exciters and related methods

Redresseur rotatif hautes performances pour appareils d'excitation de générateurs de courant alternatif et procédés associés

6. Silicon containing metal alloys

Silicium contenant des alliages métalliques

7. A first silicon-germanium alloy layer is formed on a semiconductor substrate including silicon.

L'invention concerne une première couche en alliage de silicium-germanium formée sur un substrat semi-conducteur comprenant du silicium.

8. A synchronous rectifier circuit rectifies an AC input voltage to produce a DC output voltage.

La présente invention concerne un circuit redresseur synchrone qui redresse une tension d'entrée CA pour produire une tension de sortie CC.

9. Accelerated acetate-hardening silicon materials

Masses de silicone a durcissement a l'acetate accelere

10. Heat-resistant aluminium-silicon piston alloy

Alliage de piston thermoresistant a base d'aluminium-silicium

11. A three-phase inverter operating at a rectifier mode provided AC to DC conversion.

Un convertisseur triphasé fonctionnant en mode de redressement offert par la conversion d'AC en DC.

12. The DC-DC power converters connect to an AC rectifier through a DC bus.

Les convertisseurs continu-continu se connectent à un rectificateur de courant alternatif par l'intermédiaire d'un bus à courant continu.

13. The full-wave bridge rectifier is configured to receive an AC input from the power source.

Le redresseur en pont à double alternance est conçu pour recevoir une entrée en CA à partir de la source d'énergie.

14. The TFT disclosed herein is a silicon based TFT in which the active channel comprises amorphous silicon.

Le transistor en couches minces (TFT) est un transistor en couches minces (TFT) à base de silicium dans lequel le canal actif comprend du silicium amorphe.

15. An AC to DC converter comprises a bridge rectifier followed by a boost circuit.

Un convertisseur CA-CC comprend un redresseur en pont suivi d'un circuit survolteur.

16. The passive rectifier circuit is configured to transform a load impedance to the parallel resonator.

Le circuit redresseur passif est configuré pour transformer une impédance de charge sur le résonateur parallèle.

17. Audio frequency ripple control transmitter with a pulsed a.c. Rectifier provided with a capacitive accumulator

Emetteur audiofrequence a telecommande centralisee, avec redresseur de courant pulse dote d'un accumulateur capacitif

18. Fully depleted silicon-on-insulator cmos logic

Logique cmos silicium sur isolant entierement appauvrie

19. A plurality of rectifier modules is connected to the power bus and usually at least one AC power source.

Plusieurs modules de redressement sont également reliés au bus de puissance et, généralement, à au moins une source de courant alternatif.

20. Furthermore, the rectifier converts the alternating current into direct current which keeps the accumulator battery charged.

En outre, le redresseur convertit le courant alternatif en courant continu qui maintient en charge la batterie d'accumulateurs.

21. Monolithic silicon acousto-optic modulator structure and method

Structure et procédé de modulateur acousto-optique de silicium monolithique

22. Advanced metal-nitride-oxide-silicon multiple-time programmable memory

Mémoire perfectionnée à métal/nitrure/oxyde/silicium programmable plusieurs fois

23. The AC current passes through a rotating rectifier (20) to produce DC current, which supplies the generator or motor field.

Ce courant alternatif passe par un redresseur rotatif (20) de façon à produire un courant continu, qui alimente le champs de l'alternateur ou le bobinage d'excitation.

24. Fin field effect transistors can be formed on the at least one silicon-germanium alloy fin and the at least one silicon fin.

Des transistors à effet de champ à ailette peuvent être formés sur l'au moins ailette en alliage de silicium-germanium et l'au moins ailette de silicium.

25. The relaxed silicon germanium structure (54) further comprises a silicon germanium layer (54) has less than about 10. sub.7 threading dislocations per square centimeters.

Cette structure de silicium germanium relâchée contient aussi une couche de silicium germanium déposée sur toute la couche tampon de silicium.

26. Semiconductor heterostructures with crystalline silicon carbide alloyed with germanium

Heterostructures de semi-conducteur presentant un alliage de carbure de silicium cristallin et de germanium

27. Silicon-containing resist underlayer-forming composition containing amic acid

Composition contenant un acide amique pour la formation d'une sous-couche de réserve contenant du silicium

28. The invention provides a polycrystalline silicon wafer texturizing additive.

L'invention porte sur un additif de texturation de tranche de silicium polycristallin.

29. A generator may provide backup AC power to the rectifier modules when the AC power source is interrupted.

La commande réduit la chute d'appel et les transitoires de haute tension lorsque les modules de redressement commencent à fournir de l'énergie et le contacteur décide de reconnecter les batteries au bus de puissance.

30. The boosted AC voltage is rectified by a voltage doubling circuit, or alternatively with a full bridge rectifier.

La tension en courant alternatif amplifiée est redressée à l'aide d'un circuit doubleur de tension, ou éventuellement à l'aide d'un redresseur en pont.

31. A high frequency capacitor has one terminal connected to an AC-side terminal of the input rectifier circuit.

Un condensateur à haute fréquence présente une borne connectée à la borne côté CA du circuit redresseur d'entrée.

32. The present invention relates to a method for producing abrasion-resistant printed silicon shaped parts and the silicon shaped parts obtained using said method.

L'invention concerne un procédé permettant de produire des pièces moulées en silicone, imprimées résistant à l'usure, ainsi que des pièces moulées en silicone obtenues à l'aide dudit procédé.

33. Metallic/Silicon Carbide abrasive paper is not to be used.

Ne pas utiliser de papier abrasif au carbure de silicium/métallique.

34. Specifically, composites have been formed in thin layers comprising silicon nanoparticles embedded in an amorphous silicon matrix, which can be formed at relatively low temperatures.

Spécifiquement, des composites ont été formés en couches minces comprenant des nanoparticules de silicium incorporées dans une matrice de silicium amorphe, qui peut être formée à des températures relativement basses.

35. An electrical circuit for a resistance welder comprises a rectifier connected to an AC source, typically of 60 Hz.

Un circuit électrique pour une machine à souder par résistance comprend un redresseur relié à une source de courant alternatif, généralement à 60 Hz.

36. Coated abrasive backings with cloth treated with colloidal silicon oxide

Supports de toile abrasive enduits, dont la toile est traitée par de l'oxyde de silicium colloïdal

37. Iodine hollow cathode lamps with windows in pure silicon or quartz

Lampes à iode cathodiques creuses à fenêtres en silicium pur ou quartz

38. Aluminum-silicon carbide composite body and method for processing the same

Corps composite de carbure d'aluminium et de silicium et son procede de traitement

39. The flow cross-section of the channels of the stripper/rectifier section changes depending on the process carried out therein.

Le plan en coupe de l'écoulement des canaux du module de stripage ou de rectification varie selon le traitement qui s'y effectue.

40. A junction field effect transistor comprises a silicon-on-insulator architecture.

L'invention porte sur un transistor à effet de champ à jonctions qui comprend une architecture silicium sur isolant (SOI).

41. Methods for producing silicon tetrafluoride by acid digestion of fluoride salts of alkali metal or alkaline earth metal and aluminum, optionally, in the presence of a source of silicon; methods for producing silane that include acid digestion of by-products of silane production to produce silicon tetrafluoride.

La présente invention concerne des procédés pour produire du tétrafluorure de silicium par digestion acide de sels de fluorure de métal alcalin ou de métal alcalino-terreux et d'aluminium, facultativement, en présence d'une source de silicium ; des procédés pour produire un silane qui comprennent la digestion acide de sous-produits de production de silane pour produire du tétrafluorure de silicium.

42. The stamp is a single silicon crystal, metal alloy or special glass.

Le tampon est fait d'un seul cristal de silicium, d'alliage métallique ou de verre spécial.

43. An abrasive aggregate including silicon carbide and a method of making same

Agrégat abrasif comprenant du carbure de silicium et procédé de production correspondant

44. The silicon layer (B) consists of polycrystalline or amorphus silicon which is doped by semiconducting dopants of the p- or n-type, preferably in a concentration higher than 10?

La couche de silicium (B) est constituée de silicium polycristallin ou amorphe dopé par des agents de dopage semi-conducteurs de type p- ou n-, de préféfence à une concentration supérieure à 10?

45. Semiconductor device with channel alignment and strained silicon and method of manufacture

Dispositif à semi-conducteur avec alignement de canal et silicium contraint et procédé de fabrication

46. An aluminum alloy including additions of scandium, zirconium, erbium and, optionally, silicon.

L'invention porte sur un alliage d'aluminium qui comprend des ajouts de scandium, de zirconium, d'erbium et, éventuellement, de silicium.

47. The silicon cap includes a cavity for allowing the diaphragm to deflect.

La coiffe en silicium comporte une cavité permettant à la membrane de se déformer.

48. Improved radiation heating efficiency by increasing absorption of a silicon containing material

Efficacité de chauffage par rayonnement améliorée par augmentation de l'absorption d'un matériau contenant du silicium

49. Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Procede pour former un revetement de nitrure de silicium double a grille auto-alignee pour des circuits cmos

50. Additional silicon containing materials may be added to the grinding aid as well.

Des matériaux additionnels à base de silicium peuvent également être ajoutés au matériau de broyage.

51. 16¿ per cubic centimeters, reverse blocking voltages greater than those of a corresponding parallel-plane P-N junction rectifier can be achieved.

16¿ par centimètre cube, on obtient des tensions inverses de blocage supérieures à celles d'un redresseur à jonctions PN d'un plan parallèle correspondant.

52. A process for preparing a silicone compound, the process comprising reacting (A) a silicon compound having silicon-bonded alkoxy groups or silicon-bonded aryloxy groups and (B) a disiloxane in the presence of (C) a carboxylic acid, (D) an acid catalyst, and (E) a carboxylic anhydride, and a process for preparing a silicone compound, the process comprising reacting (F) a silicon compound having silicon-bonded acyloxy groups and (B) a disiloxane compound in the presence of (D) an acid catalyst, (E) a carboxylic anhydride, and (G) an alcohol.

La présente invention concerne un procédé de préparation d'un composé de silicium, comportant la réaction (A) d'un composé de silicium présentant des groupes alcoxy liés au silicium ou des groupes aryloxy liés au silicium et (B) un disiloxane en présence (C) d'un acide carboxylique, (D) un catalyseur acide, et (E) un anhydride carboxylique, et un procédé de préparation d'un composé de silicium comportant la réaction (F) d'un composé de silicium présentant des groupes acyloxy liés au silicium et (B) un composé de disiloxane en présence (D) d'un catalyseur acide, (E) un anhydride carboxylique, et (G) un alcool.

53. Polycrystalline silicon e-fuse and resistor fabrication in a metal replacement gate process

Fabrication de fusible électronique en silicium polycristallin et de résistance lors d'un traitement de remplacement de grille métallique

54. Catalyst consisting of phosphoric acid chemically bonded to a support of silicon dioxide

Catalyseur constitué d’acide phosphorique lié chimiquement à un support de dioxyde de silicium

55. Self scanned amorphous silicon integrated display having active bus and reduced stress column drivers

Dispositif d'affichage integre au silicium amorphe a autoexploration comportant un bus actif et des excitateurs en colonnes a contrainte reduite

56. Silicon carbide bipolar junction transistor comprising shielding regions and method of manufacturing the same

Transistor à jonction bipolaire au carbure de silicium comprenant des zones de blindage et son procédé de fabrication

57. The output of the full-wave rectifier can be used to control the gain of an amplifying means producing the AC signal being detected.

Le signal de sortie du redresseur à deux alternances peut servir à réguler le gain d'un dispositif amplificateur produisant le signal c.a. détecté.

58. Novel etch techniques are provided for shaping silicon features below the photolithographic resolution limits.

L'invention concerne de nouvelles techniques de mise en forme de détails de silicium de dimension inférieure aux limites de la résolution photolithographique.

59. How is it that America gives us Silicon Valley wizardry and Third World infrastructure?

Comment l’Amérique peut-elle avoir à la fois l’ingénieuse Silicone vallée et une infrastructure digne d’un pays arriéré ?

60. Preferably, the particulate abrasive comprises metal oxide such as titanium dioxide or silicon dioxide.

De préférence, l'abrasif particulaire comprend un oxyde de métal tel que du dioxyde de titane ou du dioxyde de silicium.

61. Refractive light index found the usual silicon dioxide mixed with potassium and zinc oxide.

J'ai trouvé l'habituel dioxyde de silicone mélangé avec du potassium et de l'oxyde de zinc.

62. Laser-induced acoustic pulses in aluminum and silicon were detected with a piezoelectric transducer.

Les impulsions acoustiques induites par laser dans l'aluminium et le silicium étaient détectées par un transducteur piézoélectrique.

63. A p-type field effect transistor (PFET) and an n-type field effect transistor (NFET) are formed by patterning of a gate dielectric layer, a thin silicon layer, and a silicon-germanium alloy layer.

Selon l'invention, un transistor à effet de champ du type p (PFET) et un transistor à effet de champ du type n (NFET) sont formés par formation de motifs sur une couche diélectrique de grille, une couche mince de silicium et une couche d'alliage silicium-germanium.

64. If Alpha Orionis Were about to go supernova there would be silicon flashes neutrino emissions....

Si elle allait se transformer en supernova, il y aurait des éclats de silicone... des émissions de neutrino.

65. Replacing the silicon dioxide gate dielectric with another material adds complexity to the manufacturing process.

Remplacer le dioxyde de silicium par un autre matériau ajoute de la complexité au procédé de fabrication du composé.

66. A generator for arc welding machines provided with an input rectifier stage (101) which has a unit power factor and comprises an inductor (107), on the main side, two diodes (109, 110) and two electronic switches (111, 112), one for each diode, which are driven by a driver which renders the absorption of the input rectifier stage practically sinusoidal.

L'invention concerne un générateur pour machines à souder à l'arc avec un étage de redressement (101) ayant un facteur de puissance unitaire et comprenant un inducteur (107) sur le bord principal, deux diodes (109, 110) et deux commutateurs électroniques (111, 112), un pour chaque diode commandés par un étage d'attaque qui fait en sorte que l'absorption de l'étage de redressement de l'entrée soit pratiquement sinusoïdale.

67. The present invention relates to a weak solvent fluffy scraper treatment agent for synthetic leather, consisting of the following components: modified polyurethane resin, acetone, dimethylbenzene, silicon dioxide matting powder, modified organic silicon and acrylic fiber.

L'invention concerne un agent de traitement d'ébourrage, à faible teneur en solvant, créant un effet moelleux, pour cuir synthétique, ledit agent étant composé des éléments suivants : d'une résine de polyuréthane modifiée, d'acétone, de diméthylbenzène, d'une poudre produisant un effet mat de dioxyde de silicium, de silicium organique modifié et d'une fibre acrylique.

68. Chemicals used in industry, science and photography, as well as in agriculture, horticulture and forestry, in particular silicon carbide, combustion residues from power plants, colloidal silicon dioxide, titanium oxides, calcium oxide, agglutinants for concrete, catalysts

Produits chimiques à usage industriel, scientifique, photographique, agricole, horticole et sylvicole, notamment de carbure de silicium, résidus de combustion issus de centrales électriques, silice colloïdale, oxyde de titane, oxyde de calcium, agglutinants pour le béton, catalyseurs

69. Manufacture of various chemical products from fluorspar, hydrogen fluoride, 2,6-diisopropylaniline, silicon tetrachloride or acetanilide

Fabrication de produits chimiques divers à base de spath fluor, de fluorure d'hydrogène, de 2,6-diisopropylaniline, tétracholure de silicium ou acétanilide

70. The ingot is divided into bricks and the resistivity profile of each silicon brick is mapped.

Le lingot est divisé en briques et le profil de résistivité de chaque brique de silicium est cartographié.

71. This additional coordination would make formation of silicon dioxide (one of the decomposition products) more facile.

Cette coordination additionnelle favoriserait la formation de dioxyde de silicium (un des produits de la décomposition).

72. Diffusion regions (220), within which an acceptor is introduced, are formed on a silicon substrate (100).

Des régions de diffusion (220), dans lesquelles est introduit un accepteur, sont formées sur un substrat de silicium (100).

73. Junction field effect transistors in germanium and silicon-germanium alloys and method for making and using

Transistors à effet de champ à jonction au germanium et des alliages de silicium-germanium et procédé de fabrication et d'utilisation

74. The active layer is provided on the buffer layer (21) and is formed of silicon carbide.

La couche active est prévue sur la couche tampon (21) et formée de carbure de silicium.

75. Method for removing impurities from mg-si using acid leaching for producing silicon for solar batteries

Procédé d'élimination des impuretés contenues dans du mg-si par lixiviation acide pour produire du silicium destiné à des piles solaires

76. During heating of the component an additional source of silicon phase is supplied to the component.

Pendant le chauffage de la pièce, une source additionnelle de phase silicium est fournie à la pièce.

77. Many commercial devices such as pressure sensors and acceleration sensors employ the piezoresistive effect in silicon.

Beaucoup d'appareils commerciaux comme les capteurs d'accélération utilisent des capteurs en silicium.

78. Anode active material coated with silicon oxide for lithium secondary battery and method for manufacturing same

Matériau actif d'anode revêtu d'oxyde de silicium pour batterie rechargeable au lithium et procédé pour sa fabrication

79. Evaluation parameters: (Down sampling to 1 kHz, followed by) 2.0 Hz 4th order Butterworth low-pass filter, followed by an ideal rectifier to give the absolute value.

Paramètres d’évaluation: (sous-échantillonnage à 1 Hz, suivi d’un) filtre de Butterworth passe-bas d’ordre 4 à 2 Hz, suivi d’un redresseur idéal pour obtenir la valeur absolue.

80. Method for manufacturing a piston of an internal combustion engine, comprising an improved aluminum silicon alloy

Procédé de fabrication d'un piston pour un moteur à combustion interne composé d'un alliage d'aluminium-silicium évolué