Đặt câu với từ "gallium arsenide diode"
1. Method of fabricating a merged p-n junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer
Procédé de fabrication d'une diode mixte jonction p-n et schottky avec une couche de nitrure de gallium traitée par reprise d'épitaxie
2. A laser diode with a low absorption diode junction
Diode laser avec jonction par diode a faible absorption
3. Junction barrier schottky diode
Diode de schottky à barrière de jonction
4. A method concerning a junction barrier schottky diode, such a diode and use thereof
Procede se rapportant a une diode a barriere de schottky, diode et utilisation correspondantes
5. Trench schottky barrier diode
Diode a barriere de schottky a tranchees
6. A matrix addressed diode flat panel display (820) including a diode pixel structure.
Dispositif d'affichage à écran plat (820), à diodes et à adresage matriciel, comprenant une structure de pixels à diodes.
7. Super-junction-schottky-pin-diode
Diode pn schottky à superjonction
8. Switchable junction with intrinsic diode
Jonction commutable avec diode intrinsèque
9. Laser diode junction temperature compensation
Compensation de température de jonction de diode laser
10. Method of producing a light-emitting diode comprising a nanostructured pn junction and diode thus obtained
Procede de fabrication d’une diode electroluminescente a jonction pn nanostructuree et diode obtenue par un tel procede
11. Light emitting diode and laser diode using n-face gan, inn, and ain and their alloys
Diode électroluminescente et diode laser dans lesquelles sont utilisés du gan, du inn et du aln et leurs alliages face azote
12. Bright diode-laser light-source
Source lumineuse vive a diodes laser
13. Solar module junction box bypass diode
Diode de dérivation de boîte de raccordement de module solaire
14. A laser diode supply circuit comprises a laser diode (LD1) connected in series with a junction transistor (TR1).
Un circuit d'alimentation pour une diode laser comprend une diode laser (LD1) raccordée en série avec un transistor à jonction (TR1).
15. Pn junction diode and its manufacture method
Diode a jonction pn et son procede de fabrication
16. Laser diode having an abrupt turn-on, optical transmitter device using the same laser diode and optical communication apparatus
Diode laser dotée d'un dispositif émetteur optique à enclenchement rapide utilisant cette même diode, et appareil optique de communication
17. High-voltage trench junction barrier schottky diode
Diode schottky à barrière, à jonction, à tranchées, à haute tension
18. Resistance-based memory having two-diode access device
Mémoire à base de résistances comprenant un dispositif d'accès par deux diodes
19. Active matrix light emitting diode pixel structure and method
Structure de pixel a diode luminescente a matrice active et procede
20. The tunnel diode includes a second PN junction.
La diode tunnel comporte une seconde jonction PN.
21. P-n junction-type compoud semiconductor light-emitting diode
Diode électroluminescente semi-conductrice à composé de type fonction p-n
22. UV detector with variable wavelength adjustment or diode array detector
Détecteur UV de longueur d'onde variable ou détecteur à barrettes de diodes.
23. Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array
Diode schottky employant des renfoncements pour éléments de réseau de barrières de jonction
24. Pn junction and schottky junction hybrid diode and preparation method thereof
Diode hybride à jonction pn et jonction de schottky, ainsi que procédé de préparation
25. UV detector with variable wavelength adjustment or diode array detector.
Détecteur UV de longueur d'onde variable ou détecteur à barrettes de diodes.
26. Junction barrier schottky diode with highly-doped channel region and methods
Diode schottky à barrière de jonction avec une région de canal hautement dopée et procédés apparentés
27. The junction layer forms a quantum well of the laser diode.
La couche de jonction forme un puits quantique de la diode laser.
28. Palladium alloy containing gold, silver, gallium, germanium and/or lithium and dental restorations utilizing same
Alliage de palladium contenant de l'or, de l'argent, du gallium, du germanium et/ou du lithium et reconstitutions dentaires utilisant un tel alliage
29. A junction box for a photovoltaic module can include a bypass diode.
L'invention concerne une boîte de dérivation d'un module photovoltaïque, ladite boîte pouvant comprendre une diode de dérivation.
30. Switchable junction with an intrinsic diode formed with a voltage dependent resistor
Jonction commutable avec une diode intrinsèque formée avec une résistance dépendant de la tension
31. The photons bounce off walls, all the way back to that diode.
Les photons rebondissent sur les murs jusqu'à la diode.
32. The controller may include a momentary switch, a relay, and a diode.
Le contrôleur peut comprendre un commutateur momentané, un relais et une diode.
33. The AC/DC converter circuit part includes a diode and an inductor.
/C.C. capable de corriger le facteur de puissance et un circuit onduleur C.C.
34. Light-emitting diode with multiple quantum wells and asymmetric p-n junction
Diode electroluminescente a multiples puits quantiques et jonction p-n asymetrique
35. In contrast, the near-infrared diode laser offers faster results and less interference.
Par contre, la diode laser à proche infrarouge se caractérise par des résultats plus rapides et des interférences moindres.
36. It is possible to determine 0.1 to 8μg gallium in 10 ml solution with an average accuracy of approximately ±5%.
On peut ainsi doser 0,1 à 8μg de gallium en 10 ml de solution avec une précision moyenne d'environ ±5%.
37. Compact wavelength-independent wavelength-locker for absolute wavelength stability of a laser diode
Systeme de blocage d'ondes independant de la longueur d'ondes compact pour assurer une stabilite de longueur d'onde absolue d'une diode a laser
38. The reflected light from the energized diode operates as a target alignment marker.
La lumière réfléchie de la diode excitée fonctionne comme un trait d'alignement de cible.
39. and the calibrated voltmeter V each are connected in parallel over the photo-diode.
et le voltmètre V étalonné soient chacun connecté en parallèle sur la photo-diode.
40. Light emitting diode (led) lighting systems including low absorption, controlled reflectance and diffusion layers
Systèmes d'éclairage à diodes électroluminescentes (del) comprenant des couches de faible absorption, de réflectance contrôlée et de diffusion
41. A laser diode includes a substrate and a junction layer disposed on the substrate.
Une diode laser comprend un substrat et une couche de jonction disposée sur le substrat.
42. A gallium-nitride-based semiconductor stacked structure includes a low-temperature-deposited buffer layer and an active layer.
Une structure empilée de semi-conducteur gallium nitruré comprend une couche tampon déposée à basse température et une couche active.
43. Alternatively, the diode switch may be a single element such as a thyristor.
Selon une variante, l'interrupteur à diode peut être un élément unique tel qu'un thyristor.
44. Pn-junction diode with multiple contacts and analog-to-digital converter using it
Diode à jonction pn dotée de contacts multiples et convertisseur analogique/numérique l'utilisant
45. Semiconductor wafer suitable for forming a semiconductor junction diode device and method of forming same
Tranche semi-conductrice appropriée pour la formation d'un dispositif semi-conducteur à diode à jonction et procédé de formation de celle-ci
46. Laser diode current drive values are modified in response to the estimated laser junction temperature.
Des valeurs de commande de courant de diode laser sont modifiées en réponse à la température de jonction de laser estimée.
47. Semiconductor pn-junction diode, method of making the same and electronic circuit comprising the same
Diode a jonction pn, procede de fabrication et circuit electronique pourvu d'une telle diode
48. Two adjacent junction devices (3) are electrically connected with each other by a diode (4).
Deux dispositifs de jonction adjacents (3) sont électriquement connectés l'un à l'autre par une diode (4).
49. Vertical geometry light emitting diode with group iii nitride active layer and extended lifetime
Diode electroluminescente a geometrie verticale formee d'une couche de nitrure du groupe iii et caracterisee par une vie utile prolongee
50. Laser diode pumped fiber laser with upwards conversion by means of multi-photon absorption
Laser a fibre pompe a diode laser a conversion ascendante par absorption multiphotonique
51. Structure and method for abrupt pn junction diode formed using chemical vapor deposition processing
Structure et procede de formation d'une diode a jonction pn abrupte par depot chimique en phase vapeur
52. Recorded computer programs, all the aforesaid goods other than in connection with diode-transistor logics
Programmes informatiques stockés, tous les produits précités sans rapport avec la logique de diode-transistor
53. An active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED) pixel unit circuit and a display panel.
L'invention concerne un circuit d'unité de pixel à diode électroluminescente organique à matrice active (AMOLED) et un panneau d'affichage.
54. The diode-free junction boxes (4) are connected with connection wires of the junction box.
Les boîtes de jonction sans diodes (4) sont connectées à l'aide de fils de connexion de la boîte de jonction.
55. Typically, the p-n junctions may be A1GaAs, A1GaInP, A1GaInAs or A1GaInAsP laser diode devices.
De manière générale, les jonctions p-n peuvent être des dispositifs à diodes laser de type AlGaAs, AlGaInP, AlGaInAs ou AlGaInAsP.
56. The junction diode structure can include a p-n or a p-i-n junction.
La structure de diode à jonction peut comprendre une jonction p-n ou p-i-n.
57. The photocrosslinking device also comprises activation means (120) for selectively activating each light-emitting diode (LED1-LED4).
Le dispositif de photoréticulation comprend en outre des moyens d'activation (120) pour activer sélectivement chaque diode électroluminescente (LED1-LED4).
58. A bypass diode (12) and a conducting piece (13) are positioned in the main junction box(1).
Une diode by-pass (12) et un élément conducteur (13) sont placés dans la boîte de jonction principale (1).
59. The resonator (S1) is coupled in particular with parasitic resonant circuits by a variable-capacitance diode (D1).
Le résonateur (S1) est accouplé notamment aux circuits oscillants parasitaires par une diode à capacité variable (D1).
60. LED (light emitting diode) lighting fixtures for use in display, commercial, industrial, residential, and architectural accent lighting applications
Luminaires à LED (à diodes électroluminescentes) destinés à des applications d'affichage, commerciales, industrielles, résidentielles, et d'éclairage architectural décoratif
61. The 5g – 4f Rydberg transition of nitric oxide has been recorded by high-resolution diode laser absorption spectroscopy.
La transition Rydberg 5g – 4f de l'oxyde nitrique a été observée en spectroscopie d'absorption diode laser à haute résolution.
62. A method for annealing a diode formed of a silicon-germanium alloy that minimizes leakage current is disclosed.
L'invention concerne un procédé de recuit d'une diode composée d'un alliage silicium-germanium qui réduit au minimum le courant de fuite.
63. Light emitting diode (LED) lighting fixtures for use in display, commercial, industrial, residential, and architectural accent lighting applications
Luminaires à diodes électroluminescentes (LED) destinés à des applications de présentation, commerciales, industrielles, résidentielles, et d'éclairage architectural décoratif
64. Arrangement of bulbs each having a junction diode for a luminous animation device, and luminous animation device itself
Ensemble d'ampoules a diode de jonction pour dispositif d'animation lumineuse et dispositif d'animation lumineuse
65. Alternatively, the buzzer is shunted with a resistive element, with or without series connected reversed biased diode.
Selon une autre réalisation, le bruiteur est shunté par un élément résistif, avec ou sans diode à polarisation inverse montée en série.
66. The laser diode arrays (66) are tuned to match an absorption band of the atomic vapor filter (132).
Les matrices de diode laser (66) sont accordées de façon à correspondre à une bande d'absorption du filtre à vapeur atomique (132).
67. A switchable junction (600) having an intrinsic diode (634) formed with a voltage dependent resistor (640) is disclosed.
L'invention concerne une jonction commutable (600), comportant une diode intrinsèque (634) formée avec une résistance dépendant de la tension (640).
68. Light emitting diode (LED) light assemblies for use in display, sign, commercial, industrial, residential and architectural accent lighting applications
Ensembles d'éclairage à diodes électroluminescente (LED) destinés à l'affichage, aux enseignes, à des applications d'éclairage industrielles, résidentielles et architecturales
69. Gallium nitride (GaN) and its related alloys have opened up the road to efficient solid state lighting with white light emitting diodes (LEDs) replacing conventional fluorescent tubes.
Le nitrure de gallium (GaN) et les alliages associés ont ouvert la voie à un éclairage à état solide efficace dans lequel les tubes fluorescents traditionnels sont remplacés par des diodes électroluminescentes (DEL) blanches.
70. Light-emitting diode lamp modules for signalling and warning purposes, in particular for traffic and motor vehicle applications
Modules de lampes à diodes électroluminescentes destinés à la signalisation et à l'avertissement, en particulier pour la circulation routière et les véhicules automobiles
71. The high-precision optics consists of an aberration-corrected grating, a mechanical slit and the diode array detector.
Le système optique ultra-précis est composé d'une grille de correction des aberrations, d'une fente mécanique et de la ligne de réseaux de diodes comme récepteur.
72. The emitter (5) is embodied in the form of a solid crystal diode-pumped laser, said diode comprising a neodymium-containing active element (17), a translucent mirror (21) and an acoustooptical closer (20) arranged therebetween which is connected to the sinusoidal voltage generator (6).
L'émetteur de rayonnement (5) se présente comme un laser solide à pompage par diode semi-conductrice, constitué d'un élément actif contenant du néodyme (17), d'un miroir semi-transparent (21) et d'un verrou opto-acoustique (20) disposé entre eux et branché sur le générateur (6) de tension sinusoïdale.
73. A metal-insulator-semiconductor diode sensor (10) having a Pt/Ir alloy electrode (15) is sensitive to and can detect ethylene.
Le capteur à diode à semi-conducteur métal-isolant décrit (10), comportant une électrode d'alliage Pt/Ir (15), est sensible à l'éthylène et permet de détecter la présence de cette substance.
74. A voltage-doubler rectifier includes an ac full-bridge diode rectifier and a dc-to-dc converter having two output boost circuits.
Un redresseur doubleur de tension comprend un redresseur de courant alternatif à diode et à couplage intégral, et un convertisseur continu-continu comprenant deux circuits de tension additionnelle de sortie.
75. A MIS diode sensor (10) having a Pd/Cu alloy electrode (15) is sensitive to and can detect CO, H¿2?, C¿2?
Un détecteur à diodes MIS (10) possédant une électrode en alliage Pd/Cu (15) est sensible aux gaz CO, H¿2?, C¿2?
76. A substance sensitive to ionizing radiation is proposed consisting of alkali-halide crystals with a structure of the NaCl type, modified ions of nickel, gallium, indium, thallium and palladium.
L'invention concerne une substance sensible au rayonnement ionisant composée de cristaux d'halogénure alcalin d'une structure de type NaCl, d'ions modifiés de nickel, gallium, indium, thallium et de palladium.
77. The diode characterizes in that its bottom cladding layer (1) of n-type is made of Ga OxN1-x alloy in which x>0.0005.
La diode se caractérise en ce que sa couche de plaquage de fond (1) de type n est formée par un alliage de Ga Oxn1-x, où x > 0,0005.
78. The drive circuit (7) is used for providing forward bias voltage to a laser diode in the electro-absorption modulated laser (1) to generate laser.
Le circuit d'attaque (7) est utilisé pour appliquer une tension de polarisation directe à une diode laser dans le laser modulé par électro-absorption (1) pour lui faire émettre un faisceau laser.
79. A ring detect/Caller I.D. detect circuit employs first and second operational amplifiers supplied with a differential input from the AC side of a diode bridge.
L'invention concerne un circuit de détection de sonnerie/identité de l'appelant, comprenant un premier et un second amplificateur opérationnel qui reçoivent un signal d'entrée différentiel provenant du côté courant alternatif d'un pont de diodes.
80. Versions of the assemblies incorporate filtering material (66) into an encapsulant (58) for a light-emitting diode (LED) die (54), avoiding any necessity of using external filtering agents.
Des versions des ensembles incorporent du matériau de filtrage (66) dans un encapsulant (58) pour une puce de diode électroluminescente (DEL) (54), évitant toute nécessité d'utilisation d'agents filtrants externes.