1. A gallium-nitride-based semiconductor stacked structure includes a low-temperature-deposited buffer layer and an active layer.

Une structure empilée de semi-conducteur gallium nitruré comprend une couche tampon déposée à basse température et une couche active.

2. The semiconductive semiconductor-metal alloy layers may be doped, for example with boron, phosphorus, and/or arsenic.

Les couches semi-conductrices d'alliage métal/semi-conducteur peuvent être dopées, par exemple, au bore, au phosphore et/ou à l'arsenic.

3. Semiconductor nanoparticle aggregate and production method for semiconductor nanoparticle aggregate

Agrégat de nanoparticules semi-conductrices et procédé de fabrication d'un agrégat de nanoparticules semi-conductrices

4. Semiconductor device having trench wiring and process for fabricating semiconductor device

Dispositif a semi-conducteur avec cablage en reseau et procede de fabrication associe

5. The highest levels of arsenic are found in nails and hair, which accumulate arsenic over time.

À la longue, l'arsenic s'accumule dans les ongles et les cheveux, où les concentrations sont les plus élevées.

6. Advanced semiconductor light sources

Des lasers perfectionnés à semi-conducteurs

7. Adhesive film for semiconductor

Pellicule adhesive pour semi-conducteur

8. Aluminum alloy semiconductor packages

Boitiers a semiconducteurs en alliage d'aluminium

9. Semiconductor wafer suitable for forming a semiconductor junction diode device and method of forming same

Tranche semi-conductrice appropriée pour la formation d'un dispositif semi-conducteur à diode à jonction et procédé de formation de celle-ci

10. Advancing semiconductor materials growth processes

Une avancée dans les procédés de développement des matériaux pour semi-conducteurs

11. Producing advanced organic semiconductor devices

Production de dispositifs à semi-conducteurs organiques de pointe

12. Flux activator, adhesive resin composition, adhesive paste, adhesive film, semiconductor device fabrication method, and semiconductor device

Activateur de flux, composition de résine adhésive, pâte adhésive, film adhésif, procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur

13. Arsenic was named accordingly because, in its pure form, this element has two allotropes – the yellow form and gray metallic arsenic.

À l'état pur, l'arsenic se trouve sous deux formes allotropiques : celle d'une poudre jaune et celle d'un métal gris.

14. These elements especially include arsenic, which is highly hazardous and is often contained in arsenic pyrite, a very frequent accompanying mineral.

Il s'agit notamment de l'arsenic, qui est extrêmement dangereux et est souvent contenu dans la pyrite d'arsenic, un minéral secondaire très fréquent.

15. Advanced thermal processing of semiconductor materials

Traitement thermique avancé des semi-conducteurs ou de matériaux

16. Copper alloy bonding wire for semiconductor

Fil de connexion en alliage de cuivre pour semi-conducteur

17. Advanced probe pin for semiconductor test

Pointe de sonde évoluée pour test de semi-conducteur

18. In addition, the second semiconductor material includes an alloy of the first semiconductor material with an alloying constituent.

De plus, le second matériau semi-conducteur comprend un alliage du premier matériau semi-conducteur avec un composant d'alliage.

19. One such method may include depositing a semiconductor layer (14) on a semiconductor substrate (12), depositing an adynamic diamond layer (16) on the semiconductor layer (14) opposite the semiconductor substrate (12), and coupling a support substrate (18) to the adynamic diamond layer (16) opposite the semiconductor layer (14) to support the adynamic layer.

Un procédé consiste : à déposer une couche semi-conductrice (14) sur un substrat semi-conducteur (12), à déposer une couche de diamant adynamique (16) sur la couche semi-conductrice (14) opposée au substrat semi-conducteur (12), et à accoupler un substrat de support (18) avec la couche de diamant adynamique (16) opposée à la couche semi-conductrice (14) pour supporter la couche adynamique.

20. Tin, solder alloy, and semiconductor device

Etain, alliage à souder, et dispositif à semi-conducteurs

21. Gate alignment procedure in fabricating semiconductor devices

Procedure d'alignement de portes dans la fabrication de dispositifs a semiconducteurs

22. Stacked semiconductor ceramic capacitor with varistor function

Condensateur à empilement de céramique semi-conductrice doté d'une fonction de varistance

23. Electric semiconductor element with a contact hole

Composant electrique a semiconducteur presentant un trou de contact

24. Arsenic (III) oxide, Reagent A.C.S., primary standard, Acros Organics.

Oxyde d’arsenic (III), qualité réactif A.C.S., étalon primaire, Acros Organics.

25. Bi doped gasb alloy infrared semiconductor devices

Dispositifs semi-conducteurs infrarouges en alliage gasb dopé au bi

26. SEMICONDUCTOR MATERIALS PREPARED FROM RYLENE-(π-ACCEPTOR) COPOLYMERS

Matériaux semi-conducteurs préparés à partir de copolymères rylène-(n-accepteurs)

27. Method of fabricating a merged p-n junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Procédé de fabrication d'une diode mixte jonction p-n et schottky avec une couche de nitrure de gallium traitée par reprise d'épitaxie

28. Cu-Mn ALLOY SPUTTERING TARGET AND SEMICONDUCTOR WIRING

CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE D'ALLIAGE Cu-Mn ET CÂBLAGE SEMI-CONDUCTEUR

29. The n-type semiconductor (A) has constituent units represented by formula (I) and the p-type semiconductor (B) has donor-acceptor constituent units.

Le semiconducteur de type N (A) possède des unités constitutives représentées par la formule (I) et le semiconducteur de type P (B) possède des unités constitutives de type donneur-accepteur.

30. Palladium alloy containing gold, silver, gallium, germanium and/or lithium and dental restorations utilizing same

Alliage de palladium contenant de l'or, de l'argent, du gallium, du germanium et/ou du lithium et reconstitutions dentaires utilisant un tel alliage

31. Anode material having a uniform metal-semiconductor alloy layer

Matériau d’anode comprenant une couche uniforme d’alliage metal/semi-conducteur

32. Logic circuit, address decoder circuit, and semiconductor storage device

Circuit logique, circuit décodeur d'adresse et dispositif de stockage semi-conducteur

33. P-n junction-type compoud semiconductor light-emitting diode

Diode électroluminescente semi-conductrice à composé de type fonction p-n

34. Semiconductor heterostructures with crystalline silicon carbide alloyed with germanium

Heterostructures de semi-conducteur presentant un alliage de carbure de silicium cristallin et de germanium

35. Semiconductor storage apparatus for serial advanced technology attachment-based

Appareil de stockage semi-conducteur a connexion par technologie avancee serielle

36. Abrasive wires for cutting semiconductor substrates (parts of machines)

Fils abrasifs pour découpe de tranche de semi-conducteurs (partie de machine)

37. Fine palladium alloy wire for semiconductor element wire bonding

Fil fin d'alliage de palladium pour liaison par fil d'elements semiconducteurs

38. Method for manufacturing package substrate for semiconductor element mounting

Procédé de fabrication de substrat de boîtier pour montage d'éléments semi-conducteurs

39. Semiconductor wafer immersion systems and treatments using modulated acoustic energy

Systemes d'immersion de plaquette a semi-conducteur et traitements correspondants, a energie acoustique modulee

40. Rotational absorption spectra for semiconductor manufacturing process monitoring and control

Spectres d'absorption de rotation pour une surveillance et une commande d'un procédé de fabrication de semi-conducteurs

41. It is possible to determine 0.1 to 8μg gallium in 10 ml solution with an average accuracy of approximately ±5%.

On peut ainsi doser 0,1 à 8μg de gallium en 10 ml de solution avec une précision moyenne d'environ ±5%.

42. This trend drives demand for advanced, low-power semiconductor technologies.

Cette tendance stimule la demande de technologies avancées et de faible puissance en matière de semiconducteurs.

43. D/a converter and semiconductor integrated circuit using the same

Convertisseur n/a et circuit intégré semi-conducteur utilisant ledit convertisseur

44. Switching power source device, semiconductor device, and ac/dc converter

Dispositif source d'énergie à découpage, dispositif semiconducteur et convertisseur ca/cc

45. Successive approximation a/d converter circuit and semiconductor integrated circuit

Circuit convertisseur a/n à approximations successives et circuit intégré à semi-conducteurs

46. Heterostructure semiconductor radiation detector for wavelengths from the infrared spectral range

Detecteur de rayonnement a heterostructure de semi-conducteur pour longueurs d'onde de la zone spectrale infrarouge

47. Semiconductor device having germanium active layer with underlying diffusion barrier layer

Dispositif semi-conducteur ayant une couche active de germanium avec une couche de barrière de diffusion sous-jacente

48. Scalable construction for lateral semiconductor components having high current-carrying capacity

Structure échelonnée pour composants semi-conducteurs latéraux à courant admissible élevé

49. Porous siliceous film having low permittivity, semiconductor devices and coating composition

Film siliceux poreux pourvu d'une faible permittivite, dispositifs semi-conducteurs et composition de revetement

50. Differential switch, d/a converter, semiconductor integrated circuit, and communication device

Interrupteur différentiel, convertisseur n/a, circuit intégré à semi-conducteur et dispositif de communication

51. Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Matrices mémoires possédant des structures à semi-conducteur adjacentes sensiblement verticales et leur formation

52. Disclosed are new semiconductor materials prepared from rylene-(π-acceptor) copolymers.

La présente invention concerne de nouveaux matériaux semi-conducteurs préparés à partir de copolymères rylène-(n-accepteurs).

53. Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires

Propriétés d'absorption et de filtration de la lumière de nanofils semi-conducteurs orientés verticalement

54. Method of direct coulomb explosion in laser ablation of semiconductor structures

Procédé d'explosion coulombienne directe au cours d'une ablation par laser de structures semi-conductrices

55. Properties of Semiconductor Alloys: Groups IV, III–V and II–VI Semiconductors.

La plupart des semi-conducteurs à large bande sont des alliages III-V et II-VI.

56. An Advanced Process Control (APC) system including Graphical User Interfaces (GUIs) is presented for monitoring and controlling a semiconductor manufacturing process that is performed by a semiconductor processing system.

L'invention concerne un système de commande de procédé perfectionnée (APC) comprenant des interfaces graphiques (GUI). Ce système APC permet de surveiller et de commander un procédé de fabrication de semi-conducteurs qui est exécuté par un système de traitement de semi-conducteurs.

57. Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Dispositifs à semi-conducteur non plans ayant des ailettes auto-alignées avec des couches de blocage supérieures

58. The active switches (13,23) for example comprise bistable micro-relays or semiconductor switches such as non- volatile power semiconductor switches such as one time programmable flash power MOSFETs etc.

Les commutateurs actifs (13, 23) comprennent, par exemple, des micro-relais bistables ou des commutateurs à semi-conducteurs comme des commutateurs à semi-conducteurs de puissance non volatiles comme des MOSFET de puissance flash programmables une fois, etc.

59. E3CAR will boost the efficiency of electrical cars using advanced semiconductor components.

Grâce à des composants semi-conducteurs avancés, E3CAR améliorera l'efficacité des véhicules électriques.

60. Organic semiconductor devices have been advanced rapidly over the last few years.

Les dispositifs semi-conducteurs organiques ont progressé de façon rapide ces dernières années.

61. Semiconductor device with channel alignment and strained silicon and method of manufacture

Dispositif à semi-conducteur avec alignement de canal et silicium contraint et procédé de fabrication

62. Successive approximation type a/d converter circuit and semiconductor integrated circuit for control

Circuit de conversion a/n du type à approximations successives, et circuit intégré à semi-conducteur pour son contrôle

63. D/a converter, differential switch, semiconductor integrated circuit, video device, and communication device

Convertisseur n-a, commutateur différentiel, circuit intégré à semiconducteur, dispositif vidéo et dispositif de communication

64. A method and apparatus for forming semiconductive semiconductor-metal alloy layers is described.

Cette invention concerne un procédé et un appareil de formation de couches semi-conductrices d'alliage métal/semi-conducteur.

65. The interferometer (12) has a semiconductor optical amplifier (38) coupled in each arm.

L'interféromètre (12) possède un amplificateur optique (38) à semi-conducteur couplé à chaque bras.

66. Consequently, an adsorbent that has a high adsorption capacity for trivalent arsenic can be produced.

En conséquence, un adsorbant qui a une capacité élevée d'adsorption d'arsenic trivalent peut être obtenu.

67. The semiconductor layer stack (2) comprises an active layer (2a) for generating radiation.

Cet empilement de couches semi-conductrices (2) comprend une couche active (2a) destinée à générer un rayonnement.

68. The semiconductor die further includes an interconnect region situated over the active surface.

La puce semi-conductrice comprend par ailleurs une zone d'interconnexion située au-dessus de la surface active.

69. Georgia also has deposits of non-ferrous metals, polymetallic ores, arsenic, bentonite, barite, agate and obsidian.

La Géorgie possède également des gisements de métaux non ferreux et de minerais polymétalliques, notamment des gisements d'arsenic, de bentonite, de baryte, d'agates et d'obsidiennes.

70. Dicing-tape-integrated adhesive sheet, semiconductor device, multilayered circuit board and electronic component

Feuille adhésive intégrée à un ruban de découpage en dés, dispositif à semi-conducteur, carte de circuit imprimé multicouches et composant électronique

71. Candidate surfaces include various polymeric, siliceous, metallic, allotrophic forms of carbon, and semiconductor surfaces.

Des surfaces candidates pour de telles modifications peuvent être constituées par diverses formes polymères, siliceuses, métalliques et allotropigues de carbone, et par les surfaces de semi-conducteur.

72. h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ‘modules’, having all of the following:

h. commutateurs, diodes ou ‘modules’ de puissance à semi-conducteur présentant toutes les caractéristiques suivantes:

73. Semiconductor quantum dots are used to develop nanostructures for advanced electronic and photonic devices.

Les points quantiques semi-conducteurs servent à développer des nanostructures pour des dispositifs électroniques et photoniques sophistiqués.

74. Six different solvent systems for the separation of the two valency states of arsenic are discussed.

On étudie six systèmes différents de solvants pour la séparation des deux états de valence de l'arsenic.

75. Georgia also has deposits of non-ferrous metals, polymetallic ores, arsenic, bentonite, barite, agate and obsidian

La Géorgie possède également des gisements de métaux non ferreux et de minerais polymétalliques, notamment des gisements d'arsenic, de bentonite, de baryte, d'agates et d'obsidiennes

76. A first silicon-germanium alloy layer is formed on a semiconductor substrate including silicon.

L'invention concerne une première couche en alliage de silicium-germanium formée sur un substrat semi-conducteur comprenant du silicium.

77. Aluminum alloy, and semiconductor production device and plasma treatment device each manufactured using same

Alliage d'aluminium, et dispositif de production de semi-conducteurs et dispositif de traitement au plasma chacun produit au moyen de celui-ci

78. The multi-layer semiconductor structure has an absorption coefficient less than 50 cm-1.

La structure semi-conductrice multicouche présente un coefficient d’absorption inférieur à 50 cm-1.

79. Device and method for controlling etching depth during alternate plasma etching of semiconductor substrates

Dispositif et procede pour le controle de la profondeur de gravure lors de la gravure alternee par plasma de substrats semi-conducteurs.

80. Detectors, in particular semiconductor detectors for alpha, beta, gamma, x-ray and synchrotron radiation

Détecteurs, en particulier détecteurs de semi-conducteurs pour rayons alpha, bêta, gamma, x et de synchrotron