1. Vertical Junction Field Effect Transistor

transistor à effet de champ à jonction verticale

2. Memory including bipolar junction transistor select devices

Mémoire comprenant des dispositifs de sélection de transistor à jonction bipolaire

3. High voltage esd protection featuring pnp bipolar junction transistor

Protection esb haute tension caractérisant un transistor à jonction bipolaire pnp

4. A junction field effect transistor comprises a silicon-on-insulator architecture.

L'invention porte sur un transistor à effet de champ à jonctions qui comprend une architecture silicium sur isolant (SOI).

5. Bipolar junction transistor with spacer layer and method of manufacturing the same

Transistor bipolaire à jonctions avec couche intercalaire et procédé pour sa fabrication

6. Silicon carbide bipolar junction transistor comprising shielding regions and method of manufacturing the same

Transistor à jonction bipolaire au carbure de silicium comprenant des zones de blindage et son procédé de fabrication

7. Bipolar transistor with an improved base emitter junction and method for the production thereof

Transistor bipolaire a jonction base-emetteur amelioree et procede de production

8. Circuit arrangement, and junction field effect transistor suitable for use in such a circuit arrangement

Agencement de circuit et transistor a effet de champ de jonction utilisable dans ledit agencement

9. Optimal strain in the channel region of a PMOS transistor is provided by silicon alloy material in the junction regions of the device in a non-planar relationship with the surface of the substrate.

L'invention concerne la tension optimale obtenue dans la zone de canal d'un transistor PMOS grâce à un matériau en alliage de silicium dans les zones de jonction du dispositif, dans une relation non planaire par rapport à la surface du substrat.

10. The deep recessed P+ junction may be deeper than a termination structure in the transistor device.

La jonction P+ profondément en retrait peut être plus profonde qu'une structure de terminaison dans le dispositif transistor.

11. An aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof

Cellule solaire a jonction arriere en alliage d'aluminium et son procede de fabrication

12. According to some embodiments, the device can be a normally-off SiC vertical junction field effect transistor.

Selon certains modes de réalisation, le dispositif peut être un transistor à effet de champ à jonctions verticales SiC normalement bloqué.

13. Cascode-type dimming switch using a bipolar junction transistor for driving a string of light emitting diodes

Variateur d'intensité de type cascode utilisant un transistor à jonctions bipolaires pour entraîner une guirlande de diodes électroluminescentes

14. Chassis part, in particular junction element or sub-frame containing an aluminium secondary alloy

Partie de châssis, notamment élément noeud ou châssis secondaire

15. A laser diode supply circuit comprises a laser diode (LD1) connected in series with a junction transistor (TR1).

Un circuit d'alimentation pour une diode laser comprend une diode laser (LD1) raccordée en série avec un transistor à jonction (TR1).

16. Al ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND DISPLAY DEVICE

PELLICULE D’ALLIAGE D’Al POUR DISPOSITIF D’AFFICHAGE, SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE, LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE

17. Also disclosed is a display device comprising a thin-film transistor that comprises the Cu alloy film.

L'invention concerne également un dispositif d'affichage qui comprend un transistor en film mince qui contient le film d'alliage de Cu.

18. A p-type field effect transistor (PFET) and an n-type field effect transistor (NFET) are formed by patterning of a gate dielectric layer, a thin silicon layer, and a silicon-germanium alloy layer.

Selon l'invention, un transistor à effet de champ du type p (PFET) et un transistor à effet de champ du type n (NFET) sont formés par formation de motifs sur une couche diélectrique de grille, une couche mince de silicium et une couche d'alliage silicium-germanium.

19. A method of forming cobalt-disilicide contacts on source/drain regions and a polysilicon gate electrode of an MOS transistor using a cobalt-carbon alloy thin film.

L'invention concerne un procédé de réalisation de contacts à base de cobalt-disiliciure sur des zones source/drain et une électrode de grille en polysilicium d'un transistor MOS utilisant un film mince d'alliage cobalt-carbone.

20. The invention relates to a process of forming a compact bipolar junction transistor (BJT) that includes forming a self-aligned collector tap adjacent the emitter stack and an isolated structure.

L'invention concerne un procédé de formation d'un transistor bipolaire à jonctions (BJT) compact. Ce procédé consiste à former une prise de collecteur auto-aligné adjacente à la pile émetteur, ainsi qu'une structure d'isolation.

21. In a preferred embodiment of the display device, the thin-film transistor has a bottom gate-type structure, and a gate electrode and scanning lines in the thin-film transistor comprise the Cu alloy film and are in direct contact with the glass substrate.

Dans un mode de réalisation préféré du dispositif d'affichage, le transistor en film mince présente une structure de base de type grille et une électrode de grille et les lignes de balayage du transistor en film mince comprenent le film d'alliage de Cu et sont en contact direct avec le substrat de verre.

22. Disclosed is a method for manufacturing a TFT substrate that is provided with a thin film transistor having a CuMn alloy film, said method including a control step for controlling a contact resistance on a CuMn alloy film surface on the basis of a contact angle of the CuMn alloy film surface.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de transistor à couches minces (TFT) qui est pourvu d'un transistor à couches minces comportant un film d'alliage CuMn, ledit procédé comprenant une étape de commande consistant à commander une résistance de contact sur une surface de film d'alliage CuMn sur la base d'un angle de contact de la surface de film d'alliage CuMn.

23. A magnetic tunnel junction (MTJ) includes a free layer formed from a ferrimagnetic rare-earth-transition-metal (RE-TM) alloy having the net moment dominated by a sublattice moment of a rare-earth (RE) composition of the RE-TM alloy.

Une jonction magnétique à effet tunnel (MTJ) comprend une couche libre formée à partir d'un alliage ferrimagnétique terres rares-métal de transition (RE-TM) dont le moment net est dominé par un moment de sous-réseau d'une composition de terres rares (RE) de l'alliage RE-TM.

24. Pn junction and schottky junction hybrid diode and preparation method thereof

Diode hybride à jonction pn et jonction de schottky, ainsi que procédé de préparation

25. Three terminal noninverting transistor switch

Commutateur a transistor non inverseur a trois bornes

26. The method comprising forming a lanthanum-aluminum alloy layer at 300°C or less to form an n-type ohmic electrode enriched in lanthanum at the junction interface.

Le procédé selon l'invention consiste à former une couche d'alliage d'aluminium et de lanthane à 300 °C ou moins afin de former une électrode ohmique de type N enrichie en lanthane sur l'interface de jonction.

27. Bipolar Junction Transistors

transistors bipolaires à jonctions

28. A Darlington-type amplifier (10) having an input field effect transistor and an output bipolar transistor (T¿2?)

Un amplificateur (10) de type darlington ayant un transistor d'entrée à effet de champ et un transistor bipolaire de sortie (T¿2?)

29. The storage transistor and the access transistor are serially coupled between a bit line and a source line.

Le transistor de stockage et le transistor d'accès sont couplés en série entre une ligne de bits et une ligne de source.

30. Further, the gold alloy wire increases dispersion of fine additive agents, improves electric conductivity and thermal conductivity, and enables automatic, high speed bonding having a less junction loop height.

Ce fil en alliage d'or accroît en outre la dispersion d'agents d'addition fins, accroît la conductivité électrique et thermique et permet d'effectuer une métallisation automatique à grande vitesse présentant une hauteur de boucle de connexion relativement faible.

31. Two transistor ternary random access memory

Mémoire d'accès aléatoire ternaire à deux transistors

32. Bipolar Junction Transistors (BJTs)

les transistors bipolaires à jonctions (BJT);

33. The n-type ohmic electrode is provided to comprise an alloy of aluminum and lanthanum or comprises lanthanum at the junction interface with the n-type group III nitride semiconductor.

Ladite électrode ohmique de type N comporte un alliage d'aluminium et de lanthane ou comporte du lanthane sur l'interface de jonction avec le semiconducteur de nitrure du groupe III de type N.

34. Such a component has the advantage of having improved thermal-fatigue behaviour while the formation of intermetallic compounds at the junction between the beryllium and the copper alloy is prevented.

Un tel composant présente l'avantage d'avoir un comportement en fatigue thermique amélioré tout en évitant la formation de composés intermétalliques à la jonction entre le béryllium et l'alliage de cuivre.

35. Temperature- stable cast iron alloy and use of said alloy

Alliage de fonte stable à la température et son utilisation

36. Alloy wheels

Roues en alliage

37. — Bipolar Junction Transistors (BJTs)

— les transistors bipolaires à jonctions (BJT);

38. The dopant profile of a transistor may be obtained on the basis of an in situ doped strain inducing semiconductor alloy wherein a graded dopant concentration may be established along the height direction.

Selon la présente invention, le profil de dopant d'un transistor peut être obtenu sur la base d'un alliage semi-conducteur induisant une contrainte, dopé in situ, une concentration graduelle de dopant pouvant être établie dans le sens de la hauteur.

39. Junction barrier schottky diode

Diode de schottky à barrière de jonction

40. At least the surface of the lead or alloy has an ion implanted or atomic embedded graded junction of at least one other atomic species, such as titanium, cadmium, or bismuth.

Le plomb ou l'alliage au plomb présente, au moins en surface, une liaison par implantation ionique ou intégration atomique d'au moins une autre espèce atomique, telle que du titane, du cadmium ou du bismuth.

41. In preferred embodiments of the memory cell, a semiconductor junction diode formed of germanium or a germanium alloy which can be crystallized at relatively low temperature is formed disposed between conductors.

Dans les modes de réalisation préférés de la cellule de mémoire, une diode de jonction à semi-conducteur en germanium ou en alliage au germanium, pouvant être cristallisée à une température relativement basse, est formée disposée entre des conducteurs.

42. The diode-free junction boxes (4) are connected with connection wires of the junction box.

Les boîtes de jonction sans diodes (4) sont connectées à l'aide de fils de connexion de la boîte de jonction.

43. The thin film transistor includes an annealed layer stack including an oxide containing layer, a copper alloy layer deposited on the conductive oxide layer, a copper containing oxide layer, and a copper containing layer.

Le transistor à film mince comprend une pile de couches recuites contenant une couche comprenant un oxyde, une couche d'alliage de cuivre déposée sur la couche d'oxyde conducteur, une couche d'oxyde contenant du cuivre et une couche contenant du cuivre.

44. The junction diode structure can include a p-n or a p-i-n junction.

La structure de diode à jonction peut comprendre une jonction p-n ou p-i-n.

45. Junction Field Effect Transistors (JFETs)

les transistors à effet de champ à jonction (JFET);

46. Super-junction-schottky-pin-diode

Diode pn schottky à superjonction

47. Switchable junction with intrinsic diode

Jonction commutable avec diode intrinsèque

48. 2. Aluminium alloy.

2. alliages d’aluminium.

49. Hydrogen-storage alloy particles, alloy powder for electrode, and alkaline storage battery

Particules d'alliage de stockage d'hydrogène, poudre d'alliage pour une électrode et accumulateur alcalin

50. In the wiring structure, the semiconductor layer of a thin film transistor, and the Al alloy film directly connected with the semiconductor layer are provided on a substrate in this order from the substrate side.

Dans la structure de câblage, la couche semi-conductrice d'un transistor à couche mince et le film d'alliage d'aluminium connecté directement à la couche semi-conductrice sont placés sur un substrat, dans cet ordre, à partir de la face du substrat.

51. Alloy wheel protectors

Dispositif de protection de roue en alliage

52. Hydrogen storage alloy activating device and hydrogen storage alloy activating method

Dispositif d'activation d'un alliage de stockage d'hydrogène et procédé d'activation d'un alliage de stockage d'hydrogène

53. Laser diode junction temperature compensation

Compensation de température de jonction de diode laser

54. Because the thin film having a reflection function is formed from an amorphous alloy, the organic EL luminescence device is provided with a reflection function, a light shielding function against a transistor and an electrode function.

Puisque le film ayant une fonction réfléchissante est constitué d'un alliage amorphe, le dispositif électroluminescent organique a une fonction réfléchissante, une fonction écran contre un transistor et une fonction électrode.

55. 1959 The transistor-based computers comes into use.

1959 Les ordinateurs transistorisés entrent en usage.

56. Magnesium alloy wheels

Roues en alliage de magnésium

57. Aluminum alloy wire

Fil en alliage d'aluminium

58. A method of manufacturing a titanium alloy fastener and a titanium alloy fastener stock comprising the alpha/beta alloy is disclosed.

L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'une pièce de fixation en alliage de titane et d'une matière première de pièce de fixation en alliage de titane comprenant l'alliage alpha/bêta.

59. Aluminum alloy semiconductor packages

Boitiers a semiconducteurs en alliage d'aluminium

60. A matrix-addressable array of integrated transistor/memory structures

Reseau a adressage matriciel de structures de transistor/memoire integrees

61. Solar module junction box bypass diode

Diode de dérivation de boîte de raccordement de module solaire

62. appropriate for ageing the alloy; cooling the alloy from the temperature T¿A?

adaptée pour le vieillissement de l'alliage, refroidissement à une vitesse suffisamment rapide de cet alliage de cette température T¿A?

63. Silver alloy bonding wire

Fil de connexion en alliage d'argent

64. The material of the cathode is scythe-silver alloy or ytterbium-silver alloy.

La matière de la cathode est un alliage argent-scythe ou un alliage argent-ytterbium.

65. The drive includes a resistor and an output transistor.

Le circuit d'attaque comporte une résistance et un transistor de sortie.

66. • The transistor - which sets the stage for modern computing

• Le transistor qui prépare le terrain pour l'informatique moderne

67. Field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Structure de transistor a effet de champ aux jonctions source/drain abruptes

68. • of non-alloy quality steel, non-alloy aluminium or non-age hardening aluminium alloys;

• fabriqués soit en acier de qualité non allié, soit en aluminium non allié ou en alliages d'aluminium non trempant et qui sont soudés;

69. Low-noise josephson junction-based directional amplifier

Amplificateur directionnel à faible bruit fondé sur jonction de josephson

70. High-voltage trench junction barrier schottky diode

Diode schottky à barrière, à jonction, à tranchées, à haute tension

71. A semiconductor structure comprising (N) stacked junctions, each junction formed of a IV-VI semiconductor alloy and each of said N junctions having a bandgap, where N is an integer and N>1 is disclosed.

L'invention concerne une structure semi-conductrice comprenant N jonctions empilées, chaque jonction étant formée d'un alliage de semi-conducteur IV-VI, et chacune desdites N jonctions comportant une bande interdite, N étant un entier et > 1.

72. Bipolar junction transistors with self-aligned terminals

Transistor à jonction bipolaire à bornes auto-alignées

73. Plug adaptors and Junction boxes, Memory cards

Adaptateurs et boîtes de jonction, cartes mémoire

74. Pn junction diode and its manufacture method

Diode a jonction pn et son procede de fabrication

75. The devices that computers use are what's called a transistor.

Les éléments de base utilisés par les ordinateurs sont appelés les transistors.

76. TFT-LCD (Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display) computer monitors

Moniteurs informatiques TFT-LCD (écrans à matrice active - écrans à cristaux liquides)

77. Transistor-based computers had several distinct advantages over their predecessors.

Les ordinateurs à transistors avaient plusieurs avantages certains par rapport à leurs prédécesseurs.

78. Method of alnico alloy melting

Procede de fonte d'alliages alnico

79. Magnesium alloy wheel for vehicle

Roue en alliage de magnesium pour vehicules

80. Aluminium alloy compressor wheel with:

Roue de compresseur en alliage d'aluminium: