1. complementary MOS types (CMOS) and N-channel types (NMOS) of all densities irrespective of access speed, configuration package or frame.

als auch in Form von bearbeiteten Wafers (Scheiben) oder Chips, die unter Verwendung eines Metalloxydhalbleiters (MOS) sowie in CMOS- und NMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen.

2. Process for producing a read-only storage cell arrangement with vertical mos transistors

Verfahren zur herstellung einer festwertspeicherzellenanordnung mit vertikalen mos-transistoren

3. Besides MOS-based structures, additional work was carried out on junction gate field-effect transistors and Schottky barrier diodes.

Neben MOS-basierten Strukturen wurden zusätzliche Arbeiten an Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren und Schottky-Dioden durchgeführt.

4. Quadruple digital-to-analog converter, of C-MOS technology, with a capacity of 8 bits per channel,

Vierfacher Digital-Analog-Umsetzer mit einer Kapazität je Kanal von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×39 mm .

5. From the physical behaviour of MOS transistors four-terminal equations and equivalent circuit diagrams for a segment of an MOS transistor are derived which include the influence of the reverse biased depletion layer between channel and substrate and the finite output admittance of the short-channel saturated transistor.

Aus dem physikalischen Verhalten von MOS-Transistoren werden Vierpolgleichungen und Ersatzschaltbilder für ein Transistorsegment abgeleitet, die das Kleinsignalverhalten beschreiben und den Einfluß der Verarmungszone zwischen Kanal und Substrat und den endlichen Ausgangsleitwert des abgeschnürten Transistors mit kurzem Kanal enthalten.

6. Driver circuit in bipolar N-MOS technology for generating fast high/low edges with a low bias current requirement.

Schaltungsanordnung eines Treibers in bipolarer N-MOS Technologie zur Erzeugung schneller High-/Low-Flanken mit geringem Vorstrombedarf.

7. Process for generating a signal indicating adjacent channel interference

Verfahren zur erzeugung eines nachbarkanalstörungen anzeigenden signals

8. Process for dynamic channel allocation in mobile radio networks

Verfahren zur dynamischen kanalzuteilung in mobilfunknetzen

9. The invention relates to a transistor for analog switching functions comprising at least one source region, at least one drain region, a channel region arranged between the source region and the drain region, a gate dielectric arranged above the channel area, and a gate electrode arranged above the gate dielectric.

Erfindungsgemäß wird ein Transistor für analoge Schaltungsfunktionen mit zumindest einem Sourcebereich, zumindest einem Drainbereich, einem zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich angeordneten Kanalbereich, einem über dem Kanalbereich angeordneten Gatedielektrikum und einer über dem Gatedielektrikum angeordneten Gateelektrode bereitgestellt.

10. Furthermore, the word lines (18) for connecting the gate electrodes of the MOS transistors extend at right angles to the longitudinal direction of the source/drain ribs (8).

Des weiteren sind die Wortleitungen (18) für den Anschluß der Gateelektroden der MOS-Transistoren quer zur Längsrichtung der Source/Drain-Stege (8) verlaufend angeordnet.

11. Static random-access memory of C-MOS technology (C-MOS S-RAM), with a storage capacity of

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 18×39 mm .

12. The gate terminal of the p-channel MOSFET is caused by the inverter, to the positive supply voltage potential.

Der Gateanschluss des p-Kanal-MOSFETs befindet sich, bedingt durch den Inverter, auf dem positiven Versorgungsspannungspotential.

13. By the inverter, the gate terminal of the p-channel MOSFETs is now at a negative supply voltage potential.

Durch den Inverter liegt nun der Gateanschluss des p-Kanal-MOSFETs auf negativem Versorgungsspannungspotential.

14. Process for producing pyrrolidone and n-alkyl pyrrolidones

Verfahren zur herstellung von pyrrolidon und n-alkylpyrrolidonen

15. Combining these two techniques has led to FETs with ambipolar current characteristics utilising both an n-channel and a p-channel.

Das Ergebnis aus einer Kombination dieser beiden Verfahren sind FETs mit ambipolaren Stromkennlinien, die einen n-Kanal und einen p-Kanal nutzen.

16. Process and circulation tank or channel for long-term aeration of waste water cleaned in an activated sludge process

Verfahren und umlaufbecken bzw. -graben für die langzeitbelüftung von im belebungsverfahren gereinigtem abwasser

17. Channel access process for a local transmission system configured as a bus system

Kanalzugriffsverfahren für ein als bus-system konfiguriertes lokales übertragungsnetz

18. Drive circuitry for a mos field effect transistor

Schaltungsanordnung zum ansteuern eines mos-feldeffekttransistors

19. Pattern converters and systems for conducting advanced process operations on electronic pattern data (data channel)

Muster-Konverter und Systeme zur Ausführung von avancierten Prozessoperationen an elektronischen Musterdaten (Datenkanal)

20. Process for controlling access to a transmission channel used in common by several data sources

Verfahren zur steuerung des zugriffs auf einen von mehreren datenquellen gemeinsam benutzten übertragungskanal

21. Gates, Gate frames, gate roller shutters and gate fittings, Not of metal and Not of concrete

Tore, Torrahmen, Torrollläden und Torzubehör, nicht aus Metall und nicht aus Beton

22. Open gate.

Tor öffnen.

23. Transmission and storage of multi-channel audio-signals when using a bit rate-reducing coding process

Übertragung und speicherung von mehrkanaligen tonsignalen bei anwendung von bitratenreduzierenden codierverfahren

24. Silicon containing metal alloys

Metalllegierungen mit Silikon

25. Process for the production of n-acetyl-d,l-alpha-aminocarboxylic acids

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON N-ACETYL-D,L-$g(a)-AMINOCARBONSÄUREN

26. Silicon-aluminum mixed oxide powder

Silicium-aluminium-mischoxidpulver

27. Close the gate.

Schließt das Tor.

28. Intake-gate shaft

Einlaufschacht

29. Accelerated acetate-hardening silicon materials

Beschleunigte acetathärtende silikonmassen

30. Silicon dioxide is an amorphous substance, which is produced synthetically by either a vapour-phase hydrolysis process, yielding fumed silica, or by a wet process, yielding precipitated silica, silica gel, or hydrous silica.

Siliciumdioxid ist ein amorpher synthetischer Stoff, der entweder durch Dampfhydrolyse, bei der pyrogene Kieselsäure entsteht, oder in einem Nassverfahren, bei dem gefällte Kieselsäure, Kieselgel oder hydrierte Kieselsäure entstehen, hergestellt wird.

31. Logical Inverter Gate

Logisches Inverter-GatterStencils

32. According to said method, the clock signal (CLt, CLc) to be corrected is applied to the respective gate of the MOS transistor pair (T1, T2), and a differential analog pulse duty correction signal (DCt, DCc) is produced by respective integration of the true and complementary clock signal (ACLt, ACLc) emitted by every MOS transistor (T1, T2) of the differential amplifier (1) on its source/drain connection.

Dabei wird das zu korrigierende Taktsignal (CLt, CLc) an einen jeweiligen Gateanschluss des MOS-Transistorpaars (Tl, T2) angelegt, ein differentielles analoges Tastverhältniskorrektursignals (DCt, DCc) durch jeweilige Integration des von jedem MOS-Transistor (Tl, T2) des Differenzverstärkers (1) an seinem Source/Drainanschluss abgegebenen wahren und komplementären Taktsignals (ACLt, ACLc) erzeugt und das so erzeugte differentielle Tastverhältniskorrektursignals (DCt, DCc) jeweils an die elektrisch voneinander getrennten Substratanschlüsse (Sl, S2) des MOS- Transistorpaars (Tl, T2) angelegt, so dass jeweils die Substratspannungen und damit die Einsatzspannungen der MOS- Transistoren (Tl, T2) des Transistorpaars gegensinnig beeinflusst werden.

33. Heat-resistant aluminium-silicon piston alloy

Warmfeste aluminium-silizium-kolbenlegierung

34. The eastern gate is called the Harem Gate and was used by women.

Das östliche Tor war als „Haremstor“ bekannt und wurde von Frauen genutzt.

35. The 6502 is an 8-bit microprocessor designed by MOS Technologies in 1975 .

Typbezeichnung für einen 8-Bit- Mikroprozessor von MOS Technologies , der 1975 auf den Markt kam.

36. Door and gate sections

Tür- und Torteile

37. Aluminum oxide and/or silicon dioxide

Aluminiumoxid und/oder Siliziumdioxid

38. Core network ports, motorways of the sea (MoS) and airports, safe and secure infrastructure

Seehäfen des Verkehrskernnetzes, Meeresautobahnen und Flughäfen, sichere und geschützte Infrastrukturen

39. Currently there are different technologies/semiconductor materials under investigation or in mass production, such as amorphous silicon, poly-crystalline silicon, micro-crystalline silicon, cadmium telluride, copper indium selenide/sulfide.

Derzeit werden unterschiedliche Technologien/Halbleitermaterialien, wie amorphes Silizium, polykristallines Silizium, mikrokristallines Silizium, Cadmiumtellurid, Kupfer-Indium-Selenid/-Sulfid, getestet oder bereits in Serienproduktion hergestellt.

40. The invention relates to a tunable capacitive component comprising a pair of MOS transistors (9) whose gate terminals are each connected via a coupling capacitor (10) to a pair of circuit nodes (6, 7) between which the tuned capacitor can be tapped.

Es ist ein abstimmbares, kapazitives Bauteil angegeben, welches ein Paar von MOS-Transistoren (9) umfaßt, deren Gate-Anschlüsse über je eine Koppelkapazität (10) mit einem Paar von Schaltungsknoten (6, 7), zwischen denen die abgestimmte Kapazität abgreifbar ist, verbunden sind.

41. Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)

Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18)

42. Gadobutrol preparation in a one-pot process by means of dmf acetal and n-methylimidazole

Gadobutrolherstellung im eintopfverfahren mittels dmf-acetal und n-methylimidazol

43. For the industrial manufacture of perhydropolysilazane n, ammonolysis in a solvent is the standard process.

Zur industriellen Herstellung von Perhydropolysilazan n bedient man sich nach wie vor der Ammonolyse in einem Lösungsmittel.

44. You were at the gate?

Sie waren am Tor?

45. The gate wouldn't dial out.

Das Tor wählte nicht fertig.

46. Aluminium and/or silicon alloy coated steel

Mit Aluminium- und/oder Siliziumlegierung beschichteter Stahl

47. For example, on a silicon wafer just four inches (10 cm) square are 200 microcomputer chips, each able to process eight million bits of information per second.

Zum Beispiel haben auf einer 10 × 10 cm großen Siliziumplatte 200 Microcomputerchips Platz, von denen jedes acht Millionen Informationseinheiten pro Sekunde verarbeiten kann.

48. Device for reducing short-circuit amplitude of a disconnectable non-latching mos-controlled power semiconductor

Vorrichtung zur verminderung der kurzschlussamplitude eines abschaltbaren, nichteinrastenden, mos-gesteuerten leistungshalbleiters

49. — or dodecandioic acid, ammonia water and silicon oxide,

— oder Dodecandisäure, Ammoniak und Siliciumoxid,

50. Quick hardening silicon materials with good adhesive properties

Schnellhärtende silikonmassen mit guten hafteigenschaften

51. TTZH is delivering various grades of tungsten carbide, silicon carbide, silicon nitride, aluminum oxide, etc. according to customers’ drawings and sketches.

TTZH liefert verschiedene Sorten von Hartmetall, Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid, etc. nach kundenspezifischen Zeichnungen und Skizzen.

52. The piezoelectric ceramic element was then integrated into the micro-machined thin silicon membrane with a novel bonding process to allow propagation of the deflection with minimal loss.

Das piezoelektrische Keramikelement wurde dann mithilfe eines neuartigen Bindungsverfahrens in die mikromechanisch bearbeitete dünne Siliziummembran eingefügt, wodurch die Übertragung der Deflexion bei minimalen Verlusten möglich ist.

53. The East Gate may have been approximately in line with the Inspection Gate in the city wall.

Es mag ungefähr auf gleicher Höhe mit dem Inspektionstor der Stadtmauer gelegen haben. Offensichtlich ist mit dem in 1.

54. More slaves taken afoot approach gate.

Noch mehr Sklaven kommen zu Fuß Richtung Tor.

55. or dodecanedioic acid, ammonia water and silicon oxide,

oder Dodecandisäure, Ammoniak und Siliciumoxid,

56. Electric locks as parts of or accessories for revolving gate drives, revolving gates and revolving gate drives

Elektrische Schlösser als Teile oder Zubehörteile von Drehtorantrieben, für Drehtore und für Drehtorantriebe

57. For modelling processes/activities within the core module (i.e. gate-to-gate stage), the PEFCR shall also specify:

Für Modellierungsprozesse/-tätigkeiten innerhalb des Kernmoduls (d. h. Gate-to-Gate-Phase) muss die PEFCR-Regel auch Folgendes vorgeben:

58. And it's not just gate fever.

Es ist nicht nur Entlassungsangst.

59. Their gate terminals are connected to each other by a NOT gate (inverter), to form the control terminal.

Die Gateanschlüsse werden bei einem Transmission-Gate über ein Nicht-Gatter (Inverter) miteinander verbunden, wodurch ein resultierender Steueranschluss gebildet wird.

60. Single-channel and multiple-channel amplifier input and output transformers

Verstärkervor- und Endstufen in ein- und mehrkanaliger Ausführung

61. Crystalline silicon photovoltaic modules and key components (i.e. cells)

Fotovoltaikmodule aus kristallinem Silicium und Schlüsselkomponenten davon (Zellen)

62. The present invention relates to a method for converting semiconductor layers, in particular for converting amorphous silicon layers into crystalline silicon layers, in which the conversion is effected by treating the semiconductor layer with a plasma which is generated from a nitrogen-containing process gas and has temperatures of ≤ 3000 K.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Konvertieren von Halbleiterschichten, insbesondere zum Konvertieren von amorphen in kristalline Siliciumschichten, in dem das Konvertieren durch Behandeln der Halbleiterschicht mit einem, aus einem stickstoffhaltigen Prozessgas erzeugten Plasma aufweisend Temperaturen ≤ 3000 K erfolgt.

63. The steady state probabilities of the underlying queueing process satisfy an (n+1)-th order homogeneous difference equation.

Die Gleichgewichtswahrscheinlichkeiten des zugehörigen Warteschlangenprozesses genügen einer homogenen Differenzengleichung der Ordnung n+1.

64. The present invention relates to a method for producing abrasion-resistant printed silicon shaped parts and the silicon shaped parts obtained using said method.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung abriebfest bedruckter Siliconformteile und die nach diesem Verfahren erhältlichen Siliconformteile.

65. 12-bit analog-to-digital converter, of C-MOS technology, in the form of a monolithic integrated

12-bit-Analog-Digital-Umsetzer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×53 mm .

66. Biggs, park here and cover this gate.

Biggs, parkt hier und bewacht den Eingang.

67. 8-bit analog-to-digital parallel converter, of C-MOS technology, in the form of a monolithic

8-bit-Analog-Digital-Parallelumsetzer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×39 mm .

68. coated on one side with a pressure sensitive silicon adhesive

einseitig beschichtet mit einem druckempfindlichen Silikonklebstoff

69. - channel amplifier (CAMP),

- Kanalverstärker (CAMP),

70. Allocation by Channel

Zuweisungen nach Umsetzungsverfahren

71. 'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.

„Siliziumcarbid“ schließt nicht Materialien für spanende und umformende Werkzeuge ein.

72. 14- or 16-bit analog-to-digital converter of C-MOS technology, in the form of a monolithic

14 - oder 16-bit-Analog-Digital-Umsetzer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×54 mm .

73. Anchoring device for boundary poles and gate poles

Verankerungsvorrichtung für begrenzungs- und torstangen

74. Vertical lift gate with strip cladding in guideways

Hubtor mit einem lamellenpanzer in führungsbahnen

75. How could he not recognize the gate address?

Wie konnte er die Gate-Adresse nicht wieder erkennen?

76. With full MIDI, CV/Gate and ACM support.

Mit voller MIDI-, CV/Gate- und ACM-Unterstützung.

77. Iodine hollow cathode lamps with windows in pure silicon or quartz

Jod-Hohlkathodenlampen mit Fenstern aus reinem Silizium oder Quarz

78. 2-channel all-valve amplifier with extra gain-stage for the second channel.

2-kanaliger Vollröhrenverstärker mit extra Gain-Stufe für den zweiten Kanal.

79. Simply create an alpha channel and include this channel information within the file.

iModeller 3D erkennt einen eingebetteten Alphakanal automatisch und verwendet diesen als Objektmaske.

80. The processor elements are implemented as CMOS/neuron MOS threshold value logic elements or CMOS/NMOS pass transistor logic elements.

Die Prozessorelemente werden in CMOS/Neuron-MOS-Schwellwertlogik oder in CMOS/NMOS-Pass-Transistor-Logik ausgeführt.