1. Circuit-NPN Transistor

Schaltkreis-NPN-TransistorStencils

2. Vertical Junction Field Effect Transistor

Vertikal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor (Vertical Junction Field Effect Transistor)

3. Fluid-cooled power transistor arrangement

Fluidgekühlte leistungstransistoranordnung

4. Transistor for analog switching functions

Transistor für analoge schaltungsfunktionen

5. Series and shunt transistor stabilizers

Reihen- und Shunttransistorstabilisatoren

6. They don't know what a transistor is.

Sie wissen nicht, was ein Transistor ist.

7. Bipolar transistor having self-adjusted emitter contact

Bipolartransistor mit selbstjustiertem emitterkontakt

8. Drive circuitry for a mos field effect transistor

Schaltungsanordnung zum ansteuern eines mos-feldeffekttransistors

9. TFT-LCD (Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display) computer monitors

TFT-LCD (Dünnfilmtransistoren - Flüssigkristallanzeige)-Computerbildschirme

10. The devices that computers use are what's called a transistor.

Die Bauteile, die in Computern eingesetzt werden, heißen Transistoren.

11. Transistor arrangement for an analog switch, and method for designing the same

Transistoranordnung für einen analogen schalter und verfahren zu deren entwurf

12. is connected to the drain electrode of the first field effect transistor (102).

ist mit der Drain-Elektrode des ersten Feldeffekt-Transistors (102) verbunden.

13. Disclosed is a transistor arrangement for an analog switch, comprising a first, a second, and a third transistor (10, 20, 30) which are connected in parallel by means of the controlled sections thereof.

Eine Transistoranordnung für einen analogen Schalter umfasst einen ersten, einen zweiten und einen dritten Transistor (10, 20, 30), die mit ihren gesteuerten Strecken parallel geschaltet sind.

14. And if you're thinking of the brain as a computer, this is the transistor.

Und wenn Sie sich das Gehirn wie einen Computer vorstellen, dann ist dies der Transistor.

15. MRO's main computer is a 133 MHz, 10.4 million transistor, 32-bit, RAD750 processor.

Das Herz des MRO-Bordcomputers ist ein 133 MHz schneller, aus 10,4 Millionen Transistoren bestehender, 32-bit-RAD750-Prozessor.

16. Bipolar transistor with an improved base emitter junction and method for the production thereof

Bipolartransistor mit verbessertem basis-emitter-übergang und verfahren zur herstellung

17. Flash memories based on EPROM technology have an array structure composed of one transistor cell.

Die Array-Struktur der auf der EPROM-Technologie beruhenden Speicher besteht aus Zellen mit einem Transistor.

18. Recorded computer programs, all the aforesaid goods other than in connection with diode-transistor logics

Gespeicherte Computerprogramme, alle vorgenannte Waren nicht im Zusammenhang mit der Dioden-Transistor-Logik

19. As member of Heinz Zemanek's "Mailüfterl-Team", he worked on the country's first transistor computer.

Als Mitglied im sogenannten „Mailüfterlteam“ des Computerpioniers Heinz Zemanek arbeitete Rothauser an Österreichs erstem Transistorcomputer.

20. Development of further program-controlled electro-mechanical computers, first in valve, later in transistor technology.

Entwicklung weiterer programmgesteuerter elektromechanischer Rechengeräte in Röhren und Transistortechnik.

21. Method for producing a solar cell or a transistor having a crystalline silicon thin-film layer

Verfahren zur herstellung einer solarzelle oder eines transistors mit einer kristallinen silizium-dünnschicht

22. consisting of an IGBT transistor chip and a diode chip on one or more lead frames,

bestehend aus einem IGBT-Transistor-Chip und einem Diodenchip auf einem oder mehreren Leadframes

23. The structures and the synthesis method can be applied to create new transistor and thyristor arrangements, e.g.

Diese Strukturen ermöglichen die Beschreibung neuer Transistor- und Thyristorschaltungen.

24. A European research group is the first that has developed an organic light emitting field effect transistor.

Nun wurde durch eine europäische Forschergruppe erstmalig ein organischer, leuchtender Feldeffekttransistor entwickelt.

25. Mutations of the SCN5A gene cause either a reduction in cardiac Na+ channel expression or alterations in channel-gating properties, leading to a reduction in Na+ current amplitude.

Der bislang einzig nachgewiesene Gendefekt liegt auf dem SCN5A-Gen, welches die α-Untereinheit des humanen kardialen Natriumkanals kodiert.

26. The inverter (IC1) is a simple NAND gate (74LS00), but you may use a simple transistor instead.

Der Inverter (IC1) ist hier mit einem NAND-Gatter (74LS00) realisiert. Man kann aber auch einfach einen Transistor nehmen.

27. The invention relates to a high-speed output driver comprising at least one CMOS inverter (IN1) acting as an amplifier for high-frequency digital signals and consisting of an n-channel transistor (T11) and a series connected complementary p-channel transistor (T21).

Bezeichnung der Erfindung: HochgeschwindigkeitsausgangstreiberDie Erfindung betrifft einen Hochgeschwindigkeitsausgangstreiber mit mindestens einem als Verstärker für hochfrequente digitale Signale dienenden CMOS-Inverter (IN1), der einen n-Kanal Transistor (T11) und einen dazu in Reihe geschalteten, komplementären p-Kanal Transistor (T21) aufweist.

28. The invention also relates to a method of production of one such (15) high-frequency bipolar transistor (1).

Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung solch eines (15) Hochfrequenz-Bipolartransistors (1).

29. As an alternative to the cited bipolar transistors, the inventive transistor circuit also comprises correspondingly interconnected field-effect transistors.

Alternativ zu den genannten Bipolartransistoren kann die erfindungsgemäße Transistorschaltung ferner entsprechend verschaltete Feldeffekttransistoren aufweisen.

30. The processor elements are implemented as CMOS/neuron MOS threshold value logic elements or CMOS/NMOS pass transistor logic elements.

Die Prozessorelemente werden in CMOS/Neuron-MOS-Schwellwertlogik oder in CMOS/NMOS-Pass-Transistor-Logik ausgeführt.

31. This has led to the production of an organic light-emitting field-effect transistor (OLET) with pronounced ambipolar current characteristics.

Die Forschungen zum Injektionslaser-Verfahren bei organischen Halbleitern im festen Aggregatzustand wurden fortgesetzt.

32. The cathode-end emitter region and the adjacent emitter region form the source and drain of a MOS field-effect transistor.

Die kathodenseitige Emitterzone und die benachbart liegende Emitterzone bilden Source und Drain eines MOS-Feldeffekttransistors.

33. Semiconductors carry electric current and are used to make electronic devices ranging from transistor radios to computer chips and solar panels.

Halbleiter leiten den elektrischen Strom und werden zur Herstellung elektronischer Geräte wie Transistorradios bis hin zu Computerchips und Solarzellen eingesetzt.

34. From the physical behaviour of MOS transistors four-terminal equations and equivalent circuit diagrams for a segment of an MOS transistor are derived which include the influence of the reverse biased depletion layer between channel and substrate and the finite output admittance of the short-channel saturated transistor.

Aus dem physikalischen Verhalten von MOS-Transistoren werden Vierpolgleichungen und Ersatzschaltbilder für ein Transistorsegment abgeleitet, die das Kleinsignalverhalten beschreiben und den Einfluß der Verarmungszone zwischen Kanal und Substrat und den endlichen Ausgangsleitwert des abgeschnürten Transistors mit kurzem Kanal enthalten.

35. In order to reduce the delay between the zero passage of the input voltage and the switching of the output in an analog comparator, a second transistor (T2; T20) controlled by a reference potential (VR1; VR2) is connected with its output circuit between the input and the output of a first transistor (T1) which is controlled by the output of a comparator differential stage.

Um bei einem Analogkomparator die Verzögerungszeit zwischen dem Nulldurchgang der Eingangsspannung und dem Schalten des Ausgangs zu verringern, wird ein von einem Referenzpotential (VR1; VR2) gesteuerter zweiter Transistor (T2; T20) mit seinem Ausgangskreis zwischen den Eingang und den Ausgang eines ersten Transistors (T1) geschaltet, der vom Ausgang einer Komparator-Differenzstufe gesteuert wird.

36. According to said method, the clock signal (CLt, CLc) to be corrected is applied to the respective gate of the MOS transistor pair (T1, T2), and a differential analog pulse duty correction signal (DCt, DCc) is produced by respective integration of the true and complementary clock signal (ACLt, ACLc) emitted by every MOS transistor (T1, T2) of the differential amplifier (1) on its source/drain connection.

Dabei wird das zu korrigierende Taktsignal (CLt, CLc) an einen jeweiligen Gateanschluss des MOS-Transistorpaars (Tl, T2) angelegt, ein differentielles analoges Tastverhältniskorrektursignals (DCt, DCc) durch jeweilige Integration des von jedem MOS-Transistor (Tl, T2) des Differenzverstärkers (1) an seinem Source/Drainanschluss abgegebenen wahren und komplementären Taktsignals (ACLt, ACLc) erzeugt und das so erzeugte differentielle Tastverhältniskorrektursignals (DCt, DCc) jeweils an die elektrisch voneinander getrennten Substratanschlüsse (Sl, S2) des MOS- Transistorpaars (Tl, T2) angelegt, so dass jeweils die Substratspannungen und damit die Einsatzspannungen der MOS- Transistoren (Tl, T2) des Transistorpaars gegensinnig beeinflusst werden.

37. Following the famous Moore's law, the semiconductor industry has continued without hindrance the downscaling of transistor dimensions to add more components in integrated circuits and more functionalities to electronic devices.

Im Anschluss an das berühmte Mooressche Gesetz hat die Halbleiter-Industrie problemlos das Downscaling von Transistorabmessungen fortgeführt, um mehr Komponenten in integrierten Schaltungen unterzubringen und mehr Funktionalitäten auf elektronischen Geräten hinzufügen.

38. According to the invention, the gate (G) of the IGBT transistor (2) is connected via an active overvoltage limiting circuit (26) to its collector (C), whereby its breakdown voltage (U¿AÜ?)

Erfindungsgemäß ist das Gate (G) des IGBT-Transistors (2) mittels einer aktiven Überspannungsbegrenzerschaltung (26) mit seinem Kollektor (C) verbunden, wobei dessen Durchbruchspannungswert (U¿AÜ?)

39. Standard analog transmissions started in North America and Europe in the 1940s. In 1954 , Regency introduced a pocket transistor radio, the TR-1, powered by a "standard 22.5 V Battery".

B. TMC oder TPEG ) oder zur strukturierten Übertragung von Audioobjekten die interaktive Nutzung erlauben.

40. Using sophisticated numerical models, EU-funded scientists have been able to track the generation and propagation of defects in the microstructure of transistor semiconductor materials and alloys for nuclear reactors.

EU-finanzierte Wissenschaftler konnten mit ausgefeilten numerischen Modellen die Erzeugung und Ausbreitung von Fehlern in der Mikrostruktur von Transistor-Halbleitermaterialien und Legierungen für Kernreaktoren verfolgen.

41. The large transconductance and the high transit frequency of the bipolar transistor allows the realization of precision analog baseband circuits and of RF-circuits capable to operate at frequencies up to several GHz.

Die hohe Steilheit und die hohe Transitfrequenz des Bipolartransistors erlauben die Realisierung von Präzisions-Analogschaltungen für die Basisband-und von Schaltungen für die Hochfrequenzsignalverarbeitung bis zu einigen GHz.

42. Several initiatives are based in the Trotz Allem, among others the Gustav Landauer Library Witten, a regugee support group named Grenzfrei Witten, a series of queer events called Transistor and an anarchist group named Anarchist Group Eastern Ruhr Area.

Im Trotz Allem angesiedelt sind u. a. die Gustav-Landauer-Bibliothek Witten, die Flüchtlingshilfsgruppe Grenzfrei Witten, die Queer-Veranstaltungsreihe Transistor und die Anarchistische Gruppe Östliches Ruhrgebiet.

43. The invention relates to a transistor for analog switching functions comprising at least one source region, at least one drain region, a channel region arranged between the source region and the drain region, a gate dielectric arranged above the channel area, and a gate electrode arranged above the gate dielectric.

Erfindungsgemäß wird ein Transistor für analoge Schaltungsfunktionen mit zumindest einem Sourcebereich, zumindest einem Drainbereich, einem zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich angeordneten Kanalbereich, einem über dem Kanalbereich angeordneten Gatedielektrikum und einer über dem Gatedielektrikum angeordneten Gateelektrode bereitgestellt.

44. The invention relates to a field effect transistor with a heterostructure, comprising a support material, which has a stress-relieved monocrystalline semiconductor layer (3) consisting of a first semiconductor material (Si), a strained monocrystalline semiconductor layer (4), which has a semiconductor alloy (GexSi1-x), a fraction x of a second semiconductor material being freely selectable.

Die Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor mit Heteroschichtstruktur, wobei auf einem Trägermaterial, das als oberste Schicht eine entspannte monokristalline Halbleiterschicht (3) aus einem ersten Halbleitermaterial (Si) eine verspannte monokristalline Halbleiterschicht (4) ausgebildet wird, die eine Halbleiterlegierung (GexSi1-x) aufweist, wobei ein Anteil x eines zweiten Halbleitermaterials frei einstellbar ist.

45. An operational amplifier with a high input resistance and a high bandwidth particularly suitable for capacitive loads and which above all keeps its operating point within narrow limits independently of technological fluctuations uses bipolar cascodes (Q6, Q16, Q7, Q17) as output branches which are driven with high resistivity through PMOS cascode transistors (M6, M7) directly by the differential amplifier transistor pair (M4, M5).

Der BiCMOS-Verstärker verwendet bipolare Kaskoden (Q6, Q16, Q7, Q17) Ausgangszweige, die über PMOS-Kaskodentransistoren (M6, M7) direkt vom Differenzverstärkertransistorpaar (M4, M5) hochohmig angesteuert werden, wodurch eine Auskopplung eines Stromes bewirkt und die Einhaltung des Arbeitspunktes des Operationsverstärkers auch unter Berücksichtigung von Technologieschwankungen gewährleistet wird.

46. The contact area Asens between the gate electrode and the detection electrode is larger than the contact area Agate between the gate electrode and the gate oxide, whereby the receptor can be immobilized on the surface of the detection electrode in a technically simple manner while the small contact area Agate between the gate electrode and the transistor provides for high sensitivity for detecting the analyte.

Dadurch ist gewährleistet, dass der Rezeptor sich auf technisch einfache Weise auf der Oberfläche der Detektionselektrode immobilisieren lässt. Über die kleine Kontaktfläche Agate der Gateelektrode an den Transistor ist gleichzeitig eine hohe Nachweisempfindlichkeit für den Analyten gegeben.