1. From the physical behaviour of MOS transistors four-terminal equations and equivalent circuit diagrams for a segment of an MOS transistor are derived which include the influence of the reverse biased depletion layer between channel and substrate and the finite output admittance of the short-channel saturated transistor.

Aus dem physikalischen Verhalten von MOS-Transistoren werden Vierpolgleichungen und Ersatzschaltbilder für ein Transistorsegment abgeleitet, die das Kleinsignalverhalten beschreiben und den Einfluß der Verarmungszone zwischen Kanal und Substrat und den endlichen Ausgangsleitwert des abgeschnürten Transistors mit kurzem Kanal enthalten.